Представляем интегральный микросхема IXFH60N50P3, высокопроизводительный N-Channel Enhancement Power MOSFET, способный обрабатывать 500 В и 60 А.С низким RDS ((On) всего 100 мОм и быстрыми временями переключения, идеально подходит для подачи электроэнергии в режиме переключения, преобразователей DC-DC и робототехники. Соответствует требованиям RoHS и предназначен для легкой монтажа, идеально подходит для применения на высокой мощности. Узнайте больше на нашем сайте!