Оставьте сообщение
Мы скоро тебе перезвоним!
Ваше сообщение должно содержать от 20 до 3000 символов!
Пожалуйста, проверьте свою электронную почту!
Больше информации способствует лучшему общению.
Отправлено успешно!
Мы скоро тебе перезвоним!
Оставьте сообщение
Мы скоро тебе перезвоним!
Ваше сообщение должно содержать от 20 до 3000 символов!
Пожалуйста, проверьте свою электронную почту!
—— Нишикава из Японии
—— Луис из Соединенных Штатов
—— Ричард из Германии
—— Тим из Малайзии
—— Винсент из России
—— Нишикава из Японии
—— Сэм из Соединенных Штатов
—— Лина из Германии
|
|
Водитель VQFN54 ворот Fet LMG3425R030RQZR Gan интегрировал половинного водителя Gan мостаGate Drivers LMG3425R030RQZR GaN FET with integrated driver and ideal diode mode VQFN54 Description LMG342xR030 GaN FET with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power ... Подробнее
2025-03-28 16:18:52
|
|
|
LMG3422R050RQZR GaN IC 600V 32A GaN FET Power Stage с интегрированной защитойLMG3422R050RQZR GaN IC 600V 32A GaN FET Power Stages VQFN54 Load Drivers LMG3422R050RQZR GaN FET with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in ... Подробнее
2025-12-09 17:59:33
|

