Китай GaN IC

• 

  Половинное общее назначение GaN IC IGI60F1414A1L IGI60F1414A1LAUMA1 водителя моста

  Категория:Водители Полу-моста PMIC полные

  Серия:CoolGaN™

  Применения:Общее назначение

  Контакт
• 

  Распределение силы Ic силы водителя LMG3411R070RWHR Gan FET переключает канал 32VQFN p

  Соотношение - Вход:Выход:1:1

  Интерфейс:Логика, PWM

  Напряжение - питание (Vcc/Vdd):9.5V | 18V

  Контакт
• 

  Водитель GaN канала p водителя переключателя мощности LMG3410R070RWHR GaN IC интегрировал

  Конфигурация вывода:Высокая сторона

  Тип выхода:P-канал

  напряжение - нагрузка:480V (Макс)

  Контакт
• 

  FET 600V LMG3422R030RQZR GaN интегрировал изолированных водителей ворот GaN

  Выходной ток:1,2 А

  Напряжение питания - мин:7.5 В

  Напряжение питания - Макс:18 В

  Контакт
• 

  Канал IC n переключателя распределения силы IC 6A VQFN32 водителя LMG3411R150RWHR Gan

  Напряжение - нагрузка:480V (Макс)

  Напряжение тока - поставка (Vcc/Vdd):9.5V | 18V

  Текущий объем производства (Макс):6A

  Контакт
• 

  Водители нагрузки водителя FET LMG3410R150RWHR GaN IC 150mohm Gan умные

  Интерфейс:Логика, PWM

  Напряжение - нагрузка:480V (Макс)

  Напряжение тока - поставка (Vcc/Vdd):9.5V | 18V

  Контакт
• 

  Водитель общецелевое VQFN54 моста MOSFET GaN IC LMG3422R050RQZR половинный

  Выходная конфигурация:половинный мост

  Применения:Общее назначение

  Текущий объем производства/канал:1.2A

  Контакт
• 

  Интегрированные водители Fet Gan водителя кремния водителя Mosfet LMG3425R050RQZR Gan

  Рабочая температура:-40°C | 125°C (TJ)

  Подача напряжения:7,5 V | 18 V

  Время восхода:2,5 ns

  Контакт
• 

  MOSFET TO247 канавы транзистора 14mohm SiC Fet IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan

  Тип FET:N-канал

  Стеките к напряжению тока источника (Vdss):1200 v

  Vgs (Макс):+20V, -5V

  Контакт
• 

  Водитель VQFN54 ворот Fet LMG3425R030RQZR Gan интегрировал половинного водителя Gan моста

  Конфигурация:Переворачивать, Не-переворачивая

  Пакет/случай:VQFN-54

  Подача напряжения:7,5 V ДО 18 V

  Контакт
• 

  TP65H300G4JSGB GaN IC SuperGaN FET 650V Нитриды галлия FET PQFN56 GaN FET

  Minimum Order Quantity:10

  Цена:Contact for Sample

  Packaging Details:Standard package

  Контакт
• 

  TP65H300G4LSGB GaN IC GaN FETs 650V SuperGaN FET PQFN88 GaN Power Discretes

  Minimum Order Quantity:10

  Цена:Contact for Sample

  Packaging Details:Standard package

  Контакт