Китай Автомобильные модули IGBT

• 

  модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

  Стеките к напряжению тока источника (Vdss):1200V (1.2kV)

  Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C:400A

  Rds на (Макс) @ id, Vgs:3.7mOhm @ 400A, 15V

  Контакт
• 

  модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

  Номер части:Ф3Л400Р10В3С7Б11БПСА1

  Тип IGBT:Канава

  Статус продукта:Активный

  Контакт
• 

  Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

  Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):950 v

  Настоящий - сборник (Ic) (Макс):310 a

  Сила - Макс:20 mW

  Контакт
• 

  Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

  Особенность FET:Силиконовый карбид (SiC)

  Напряжение отхода к источнику (Vdss):1200В (1,2кВ)

  Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C:200А

  Контакт
• 

  Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

  Номер части:FF300R08W2P2B11ABOMA1

  Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):750 v

  Ток - коллектор (Ic) (макс.):200 А

  Контакт
• 

  Модули IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

  Номер части:ФС03МР12А6МА1ББПСА1

  Особенность FET:Силиконовый карбид (SiC)

  Напряжение отхода к источнику (Vdss):1200В (1,2кВ)

  Контакт
• 

  1700V одиночное автомобильное IGBT ModulesTransistors IXYN50N170CV1 SOT-227-4

  Номер детали:IXYN50N170CV1

  Максимальное напряжение тока излучателя ворот:- 20 V, 20 V

  Pd - диссипация силы:880 w

  Контакт
• 

  Транзисторы модуля держателя IXYN140N120A4 380A IGBT шасси SOT-227-4 одиночные

  Номер части:IXYN140N120A4

  Настоящий - сборник (Ic) (Макс):380 А

  течение утечки Ворот-излучателя:nA 200

  Контакт
• 

  Модули 1200В 220А ИГБТ держателя шасси автомобильные определяют транзистор

  Номер детали:IXYN110N120C4

  Настоящий - выключение сборника:50 мкА

  Входная емкость:5,42 nF @ 25 v

  Контакт
• 

  MSCSM120DDUM31CTBL2NG Мосфетный массив 1200V 79A 310W Транзисторы

  Номер части:MSCSM120DDUM31CTBL2NG

  Id - непрерывное течение стока:79 a

  Pd - диссипация силы:310 w

  Контакт
• 

  Винт устанавливает автомобильные транзисторы Mosfet модулей 79A 310W IGBT

  Номер детали:MSCSM120DUM31CTBL1NG

  Vf - пропускное напряжение:1,5 v на 30 a

  Vr - обратное напряжение:1,2 kV

  Контакт
• 

  Диодные выпрямители MSCDR90A160BL1NG Диодный массив 1 пара серийное соединение

  Номер части:MSCDR90A160BL1NG

  Конфигурация диода:1 пара последовательного соединения

  Технологии:Стандартный

  Контакт