Главная страница Продукция Автомобильные модули IGBT

Винт устанавливает автомобильные транзисторы Mosfet модулей 79A 310W IGBT

Name: Винт устанавливает автомобильные транзисторы Mosfet модулей 79A 310W IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM120DUM31CTBL1NG
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(18861)

BT IC
(540)

Автомобильные модули IGBT
(1941)

Микроконтроллер MCU
(12765)

GaN IC
(51)

Чип процессора ИИ
(1179)

Вентильная матрица поля Programmable
(6647)

ИС Ethernet
(943)

Коннекторы
(2853)

Микросхема памяти
(2435)

Датчик IC
(2188)

IoT-чип
(235)

5G-модуль
(132)

Обломок WiFi 6
(142)

Обломок Iphone IC
(55)

Беспроводной модуль связи
(3322)

Термостат регулятора температуры
(8)

Самые лучшие продукты

Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

Винт устанавливает автомобильные транзисторы Mosfet модулей 79A 310W IGBT

Большие изображения : Винт устанавливает автомобильные транзисторы Mosfet модулей 79A 310W IGBT

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	CN
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	MSCSM120DUM31CTBL1NG

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	модуль
Время доставки:	5-8 дней работы
Условия оплаты:	T/T, L/C, западное соединение

контакт

Винт устанавливает автомобильные транзисторы Mosfet модулей 79A 310W IGBT

Описание

Номер детали:	MSCSM120DUM31CTBL1NG	Vf - пропускное напряжение:	1,5 v на 30 a
Vr - обратное напряжение:	1,2 kV	Vgs - напряжение тока Ворот-источника:	- 10 V, 25 V
Устанавливать стиль:	Держатели винта	Время падения:	25 ns
Выделить:	Винт устанавливает автомобильные модули IGBT , модули 79A 310W автомобильные IGBT , Транзисторы Mosfet IGBT

Винт устанавливает автомобильные транзисторы Mosfet модулей 79A 310W IGBT

Автомобильные транзисторы Mosfet 79A 310W модулей MSCSM120DUM31CTBL1NG IGBT

Характер продукции MSCSM120DUM31CTBL1NG

Предложение MSCSM120DUM31CTBL1NG низкопрофильный, сразу установка к heatsink (изолированному пакету), внутренний термистор для контроля температуры, и выдвинутый диапазон температур.

Спецификация MSCSM120DUM31CTBL1NG

Номер детали	MSCSM120DUM31CTBL1NG
Конфигурация:	Двойной общедоступный источник
Время падения:	25 ns
Id - непрерывное течение стока:	79 a
Pd - диссипация силы:	310 w

Особенности MSCSM120DUM31CTBL1NG

Ультра низкие вес и профиль
Источник Кельвина для легкого привода
Субстрат Si3N4 с толстой медью для улучшенного термального представления

Другие типы продукта поставки

Номер детали	Пакет
NCP6924GFCCHT1G	WLCSP-30
ANX7737FH	QFN-64
ADS826E	SSOP28
MT41K256M16TW-107	BGA96
S9S12G64F0VLFR	QFP48
IRMCK343TR	QFP64

вопросы и ответы

Q: Ваши продукты первоначальны?
: Да, все продукты первоначальный, новый первоначальный импорт наша цель.
Q: Которые сертификаты вы имеете?
: Мы компания ISO и член аттестованные 9001:2015 ERAI.
Q: Можете вы поддержать заказ или образец небольшого количества? Образец свободен?
: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Цена образца различна согласно вашим заказу или проекту.
Q: Как грузить мой заказ? Безопасно?
: Мы используем срочный для того чтобы грузить, как DHL, Federal Express, UPS, TNT, EMS.We можем также использовать вашего предложенного товароотправителя. Продукты находятся в хорош пакуя и обеспечить безопасность и нас ответственен к повреждению продукта к вашему заказу.
Q: Как насчет времени выполнения?
: Мы можем грузить части запаса не позднее 5 рабочих дней. Если без запаса, мы подтвердим время выполнения для вас основали на вашем количестве заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 1200V (1.2kV)

Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C: 400A

Rds на (Макс) @ id, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Id Vgs (th) (Макс) @: 5.55V @ 240mA

модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

Номер части: Ф3Л400Р10В3С7Б11БПСА1

Тип IGBT: Канава

Статус продукта: Активный

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 950 v

Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 950 v

Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 310 a

Сила - Макс: 20 mW

Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Особенность FET: Силиконовый карбид (SiC)

Напряжение отхода к источнику (Vdss): 1200В (1,2кВ)

Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 200А

Тип установки: Подвеска на шасси

Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Номер части: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 750 v

Ток - коллектор (Ic) (макс.): 200 А

Мощность - Макс: 20 мВт

Винт устанавливает автомобильные транзисторы Mosfet модулей 79A 310W IGBT

Винт устанавливает автомобильные транзисторы Mosfet модулей 79A 310W IGBT

Винт устанавливает автомобильные транзисторы Mosfet модулей 79A 310W IGBT

Винт устанавливает автомобильные модули IGBT

модули 79A 310W автомобильные IGBT

Транзисторы Mosfet IGBT

Автомобильные модули 400A IGBT,

Модуль силы FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,