Главная страница Продукция Автомобильные модули IGBT

1700V одиночное автомобильное IGBT ModulesTransistors IXYN50N170CV1 SOT-227-4

Name: 1700V одиночное автомобильное IGBT ModulesTransistors IXYN50N170CV1 SOT-227-4
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IXYN50N170CV1
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(18861)

BT IC
(540)

Автомобильные модули IGBT
(1941)

Микроконтроллер MCU
(12765)

GaN IC
(51)

Чип процессора ИИ
(1179)

Вентильная матрица поля Programmable
(6647)

ИС Ethernet
(943)

Коннекторы
(2853)

Микросхема памяти
(2435)

Датчик IC
(2188)

IoT-чип
(235)

5G-модуль
(132)

Обломок WiFi 6
(142)

Обломок Iphone IC
(55)

Беспроводной модуль связи
(3322)

Термостат регулятора температуры
(8)

Самые лучшие продукты

Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

1700V одиночное автомобильное IGBT ModulesTransistors IXYN50N170CV1 SOT-227-4

Большие изображения : 1700V одиночное автомобильное IGBT ModulesTransistors IXYN50N170CV1 SOT-227-4

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	CN
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	IXYN50N170CV1

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	SOT-227-4, miniBLOC
Время доставки:	5-8 дней работы
Условия оплаты:	T/T, L/C, западное соединение

контакт

1700V одиночное автомобильное IGBT ModulesTransistors IXYN50N170CV1 SOT-227-4

Описание

Номер детали:	IXYN50N170CV1	Максимальное напряжение тока излучателя ворот:	- 20 V, 20 V
Pd - диссипация силы:	880 w	Тип продукта:	IGBT-транзисторы
Течение утечки Ворот-излучателя:	nA 100	Непрерывное течение сборника на 25°C:	120 a
Выделить:	модули 1700V одиночные автомобильные IGBT , Модули IXYN50N170CV1Automotive IGBT , Транзисторы IXYN50N170CV1 IGBT

1700V одиночное автомобильное IGBT ModulesTransistors IXYN50N170CV1 SOT-227-4

модули SOT-227-4 транзисторов IXYN50N170CV1 автомобильные IGBT 1700V одиночные IGBTs

Характер продукции IXYN50N170CV1

IXYN50N170CV1 1700V/120A высоковольтное XPT IGBT с диодом, держателем шасси.

Спецификация IXYN50N170CV1

Номер детали:	IXYN50N170CV1
Технология:	Si
Пакет/случай:	SOT-227B-4
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера:	3,7 v
Конфигурация:	Одиночный
Напряжение тока коллектор- эмиттера VCEO Макс:	1,7 kV
Устанавливать стиль:	Держатели винта

Особенности IXYN50N170CV1

Плотность наивысшей мощности
Анти--параллельный диод
Высокое преграждая напряжение тока
Низкое требование к привода ворот
miniBLOC, с изоляцией нитрида алюминия

Другие электронные блоки в запасе

Номер детали	Пакет
AFBR-5710ALZ	ПОГРУЖЕНИЕ
AFBR-5710APZ	ЗАСТЕЖКА-МОЛНИЯ
AD9806KSTZRL	QFP48
RFFM8800SR	QFN30
IPP200N25N3G	TO-220
SPA04N80C3	TO-220F

вопросы и ответы

Q: Ваши продукты первоначальны?
: Да, все продукты первоначальный, новый первоначальный импорт наша цель.
Q: Которые сертификаты вы имеете?
: Мы компания ISO и член аттестованные 9001:2015 ERAI.
Q: Можете вы поддержать заказ или образец небольшого количества? Образец свободен?
: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Цена образца различна согласно вашим заказу или проекту.
Q: Как грузить мой заказ? Безопасно?
: Мы используем срочный для того чтобы грузить, как DHL, Federal Express, UPS, TNT, EMS.We можем также использовать вашего предложенного товароотправителя. Продукты находятся в хорош пакуя и обеспечить безопасность и нас ответственен к повреждению продукта к вашему заказу.
Q: Как насчет времени выполнения?
: Мы можем грузить части запаса не позднее 5 рабочих дней. Если без запаса, мы подтвердим время выполнения для вас основали на вашем количестве заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 1200V (1.2kV)

Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C: 400A

Rds на (Макс) @ id, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Id Vgs (th) (Макс) @: 5.55V @ 240mA

модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

Номер части: Ф3Л400Р10В3С7Б11БПСА1

Тип IGBT: Канава

Статус продукта: Активный

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 950 v

Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 950 v

Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 310 a

Сила - Макс: 20 mW

Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Особенность FET: Силиконовый карбид (SiC)

Напряжение отхода к источнику (Vdss): 1200В (1,2кВ)

Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 200А

Тип установки: Подвеска на шасси

Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Номер части: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 750 v

Ток - коллектор (Ic) (макс.): 200 А

Мощность - Макс: 20 мВт

1700V одиночное автомобильное IGBT ModulesTransistors IXYN50N170CV1 SOT-227-4

1700V одиночное автомобильное IGBT ModulesTransistors IXYN50N170CV1 SOT-227-4

1700V одиночное автомобильное IGBT ModulesTransistors IXYN50N170CV1 SOT-227-4

модули 1700V одиночные автомобильные IGBT

Модули IXYN50N170CV1Automotive IGBT

Транзисторы IXYN50N170CV1 IGBT

Автомобильные модули 400A IGBT,

Модуль силы FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,