Главная страница Продукция Автомобильные модули IGBT

MSCSM120DDUM31CTBL2NG Мосфетный массив 1200V 79A 310W Транзисторы

Name: MSCSM120DDUM31CTBL2NG Мосфетный массив 1200V 79A 310W Транзисторы
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM120DDUM31CTBL2NG
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(18861)

BT IC
(540)

Автомобильные модули IGBT
(1941)

Микроконтроллер MCU
(12765)

GaN IC
(51)

Чип процессора ИИ
(1179)

Вентильная матрица поля Programmable
(6647)

ИС Ethernet
(943)

Коннекторы
(2853)

Микросхема памяти
(2435)

Датчик IC
(2188)

IoT-чип
(235)

5G-модуль
(132)

Обломок WiFi 6
(142)

Обломок Iphone IC
(55)

Беспроводной модуль связи
(3322)

Термостат регулятора температуры
(8)

Самые лучшие продукты

Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

MSCSM120DDUM31CTBL2NG Мосфетный массив 1200V 79A 310W Транзисторы

Большие изображения : MSCSM120DDUM31CTBL2NG Мосфетный массив 1200V 79A 310W Транзисторы

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	CN
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	MSCSM120DDUM31CTBL2NG

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	модуль
Время доставки:	5-8 дней работы
Условия оплаты:	T/T, L/C, западное соединение

контакт

MSCSM120DDUM31CTBL2NG Мосфетный массив 1200V 79A 310W Транзисторы

Описание

Номер части:	MSCSM120DDUM31CTBL2NG	Id - непрерывное течение стока:	79 a
Pd - диссипация силы:	310 w	Rds на - сопротивлении Сток-источника:	31 mOhms
Время восхода:	30 ns	Устанавливать стиль:	Держатели винта
Выделить:	MSCSM120DDUM31CTBL2NG , Шрубовые монтажи IGBT силовых модулей

Модули IGBT MSCSM120DDUM31CTBL2NG Мосфетный массив 1200V 79A 310W Транзисторы

Описание продукции MSCSM120DDUM31CTBL2NG

Модули MSCSM120DDUM31CTBL2NG используются в таких приложениях, как высоконадежные энергосистемы, высокоэффективные преобразователи AC/DC и DC/AC, управление двигателями и коммутаторы переменного тока.

Спецификация MSCSM120DDUM31CTBL2NG

Номер части	MSCSM120DDUM31CTBL2NG
Полярность транзистора:	N-канал
Типичное время отключения:	50 нс
Типичное время задержки включения:	30 нс
Vds - напряжение отключения источника отвода:	1.2 кВ
Vgs th - пороговое напряжение порта-источника:	1.8 В

ОсобенностиMSCSM120DDUM31CTBL2NG

Внутренний термистор для контроля температуры
Расширенный диапазон температур

Другие виды продукции

Номер части	Пакет
PCA9517DGKR	MSOP8
LPC11U24FHI33	QFN48
W949D6BBFX7C	BGA
BSC883N03MSG	TDSON-8
K3RG3G30MM-MGCH	BGA
STS1DNC45	SOP-8

Частые вопросы

Вопрос: Ваши изделия оригинальные?
О: Да, все продукты оригинальные, новый оригинальный импорт - наша цель.
Вопрос: Какие у вас сертификаты?
О: Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и являемся членом ERAI.
Вопрос: Вы можете поддержать небольшое количество заказа или образцы?
О: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.
Вопрос: Как отправить мой заказ?
A: Мы используем экспресс для отправки, например, DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор.Продукция будет в хорошей упаковке и обеспечить безопасность и мы несем ответственность за повреждение продукта на ваш заказ.
Вопрос: Как насчет сроков?
A: Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если нет запаса, мы подтвердим время доставки для вас на основе количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 1200V (1.2kV)

Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C: 400A

Rds на (Макс) @ id, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Id Vgs (th) (Макс) @: 5.55V @ 240mA

модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

Номер части: Ф3Л400Р10В3С7Б11БПСА1

Тип IGBT: Канава

Статус продукта: Активный

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 950 v

Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 950 v

Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 310 a

Сила - Макс: 20 mW

Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Особенность FET: Силиконовый карбид (SiC)

Напряжение отхода к источнику (Vdss): 1200В (1,2кВ)

Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 200А

Тип установки: Подвеска на шасси

Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Номер части: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 750 v

Ток - коллектор (Ic) (макс.): 200 А

Мощность - Макс: 20 мВт

MSCSM120DDUM31CTBL2NG Мосфетный массив 1200V 79A 310W Транзисторы

MSCSM120DDUM31CTBL2NG Мосфетный массив 1200V 79A 310W Транзисторы

MSCSM120DDUM31CTBL2NG Мосфетный массив 1200V 79A 310W Транзисторы

MSCSM120DDUM31CTBL2NG

Шрубовые монтажи IGBT силовых модулей

Автомобильные модули 400A IGBT,

Модуль силы FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,