Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

IMBG65R260M1H 650V 6A N-Channel Silicon Carbide Single FET MOSFET Integrated Circuit Chip Surface Mount TO-263-8 (включенный микросхема с интегральной схемой)

Name: IMBG65R260M1H 650V 6A N-Channel Silicon Carbide Single FET MOSFET Integrated Circuit Chip Surface Mount TO-263-8 (включенный микросхема с интегральной схемой)
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IMBG65R260M1H
Price: Подлежит обсуждению USD
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(28758)

BT IC
(577)

Автомобильные модули IGBT
(2395)

Микроконтроллер MCU
(16980)

GaN IC
(321)

Чип процессора ИИ
(1353)

Вентильная матрица поля Programmable
(7070)

ИС Ethernet
(1207)

Коннекторы
(3703)

Микросхема памяти
(2916)

Датчик IC
(3215)

IoT-чип
(267)

5G-модуль
(160)

Обломок WIFI
(201)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3882)

Термостат регулятора температуры
(11)

Врезанные решения
(10093)

Самые лучшие продукты

CYPD6227-96BZXI Integrated Circuit Chip Dual Port USB Type-C Controller IC VFBGA96 Включенная схема с двумя портами

MC33984CHFKR2 Комплексные микросхемы Чипные драйверы IC

MCZ33905DD5EKR2 Система интегральных микросхем с высокоскоростными CAN и LIN

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

IMBG65R260M1H 650V 6A N-Channel Silicon Carbide Single FET MOSFET Integrated Circuit Chip Surface Mount TO-263-8 (включенный микросхема с интегральной схемой)

Большие изображения : IMBG65R260M1H 650V 6A N-Channel Silicon Carbide Single FET MOSFET Integrated Circuit Chip Surface Mount TO-263-8 (включенный микросхема с интегральной схемой)

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	CN
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	IMBG65R260M1H

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	TO-263-8
Время доставки:	5-8 дней работы
Условия оплаты:	Т/Т,Л/К,Вестерн Юнион

контакт

IMBG65R260M1H 650V 6A N-Channel Silicon Carbide Single FET MOSFET Integrated Circuit Chip Surface Mount TO-263-8 (включенный микросхема с интегральной схемой)

Описание

Номер детали:	IMBG65R260M1H	Режим канала:	Повышение
Категория продукта:	MOSFET	Пакет устройства поставщика:	PG-TO263-7-12
Тип монтажа:	Поверхностный монтаж	Технология:	НИЦ
Выделить:	МОП-транзистор 650 В , 6A N-канальный одиночный полевой транзистор из карбида кремния , Поверхностный обломок интегральной схемаы держателя

IMBG65R260M1H Комплексные микросхемы N-канальный Кремниевый карбид Single FETs MOSFETs Транзисторы TO-263-8

Обзор продукции IMBG65R

N-Channel IMBG65R Силиконовый карбид Single FETs MOSFETs Транзисторы TO-263-8 позволяют упростить и экономически эффективно развернуть максимальную эффективность системы.

Описание продукта IMBG65R

IMBG65R - это 650-вольный N-Channel MOSFETs транзистор, предназначенный для высокоэффективных системных приложений.

Спецификации IMBG65R

Параметр	Стоимость
Номер части	IMBG65R260M1H
Полярность транзистора	N-канал
Количество каналов	1 канал
Vds - напряжение отключения от источника отвода	650 В
Id - непрерывный отводный ток	6 А
Rds On - сопротивление источника оттока	346 мОмм
Vgs - напряжение порта-источника	-5 В, +23 В
Vgs th - пороговое напряжение источника шлюза	5.7 В
Qg - Входной заряд	22 н.э.
Минимальная рабочая температура	-55°С
Максимальная рабочая температура	+175°C
Pd - рассеивание энергии	65 Вт

Применение IMBG65R

SMPS для телекоммуникаций и серверов
UPS (непрерывные источники питания)
Инверторы солнечных фотоэлектрических батарей

Теги продуктов

IMBG65R260M1H, IMBG65R260M1, IMBG65R260M, IMBG65R260, IMBG65R26, IMBG65R2, IMBG65R

Другие доступные продукты

Номер части	Пакет
BGSA12UGL8E6327XTSA1	TSLP-8
BGA8U1BN6E6327XTSA1	TSNP-6
TDA5235XUMA1	ТССОП-28
BGA7H1N6E6327XTSA1	TSNP-6
OZ8027VGN	SOP-8
LYT0006D	8-SOIC
TPS61500PWPR	HTSSOP14
OPA2333AIDRBR	SON-8
88Q1111-B0-NYA2A000	QFN
88E1780-A0-LKJ2C000	КФП
BGB707L7ESDE6327XTSA1	TSLP-7
BGS18MA12E6327XTSA1	ATSLP-12
CY8C4248LQI-BL543	QFN-56
BGSX24MU16E6327XUSA1	PG-ULGA-16
BGSA14GN10E6327XTSA1	TSNP-10
BGS14PN10E6327XTSA1	TSNP10
BGS12PN10E6327XTSA1	TSNP10
CY8C4127LQI-BL453	QFN-56
CY8C4248FNI-BL593	WLCSP-76
CY8C4248FNI-BL583	WLCSP-76
CY8C4128LQI-BL593	QFN-56
CYW20734UA2KFFB3G	FBGA-90
CYW88373CUBG	BGA
CYW20703UA1KFFB1G	FCBGA-49
BGA6L1BN6E6327XTSA1	TSNP-6
CYW4343W1KUBG	WLBGA-74
CYW55570MIUBG	BGA
CYW89570CWBG	FCFBGA-289
BGS12WN6E6329XTSA1	PG-TSNP-6
IQDH88N06LM5CGATMA1	PG-TTFN-9

Часто задаваемые вопросы

Ваши изделия оригинальные?

Да, все продукты оригинальные, новые оригинальные импорт - это наша цель.

Какие у вас сертификаты?

Мы сертифицированная компания ISO 9001:2015 и член ERAI.

Вы можете поддержать небольшое количество заказов или образцы? Образец бесплатный?

Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.

Как отправить мой заказ?

Мы используем экспресс для доставки, такие как DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор.Продукты будут в хорошей упаковке и обеспечить безопасность и мы несем ответственность за повреждение продукта на ваш заказ.

А как насчет времени?

Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если нет запаса, мы подтвердим время доставки для вас на основе количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Регулятор прекращения тарифа данным по обломоков IC NCP51200MNTXG Ic регулятора напряжения тока NCP51200

номер части: NCP51200MNTXG

Количество выходов: 1

Напряжение - Выход: 0,5 В ~ 1,8 В

Напряжение - Вход: 2,375 В ~ 3,5 В

IMBG65R260M1H 650V 6A N-Channel Silicon Carbide Single FET MOSFET Integrated Circuit Chip Surface Mount TO-263-8 (включенный микросхема с интегральной схемой)

IMBG65R260M1H 650V 6A N-Channel Silicon Carbide Single FET MOSFET Integrated Circuit Chip Surface Mount TO-263-8 (включенный микросхема с интегральной схемой)

IMBG65R260M1H 650V 6A N-Channel Silicon Carbide Single FET MOSFET Integrated Circuit Chip Surface Mount TO-263-8 (включенный микросхема с интегральной схемой)

МОП-транзистор 650 В

6A N-канальный одиночный полевой транзистор из карбида кремния

Поверхностный обломок интегральной схемаы держателя

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,