Блог компании Приобретение оценочной платы драйверов полевых транзисторов Renesas: Драйвер полевого транзистора, Драйвер GaN FET, Драйвер синхронного понижающего преобразователя

Плата оценки драйверов FET Renesas: Драйвер FET, Драйвер GaN FET, Драйвер синхронного понижающего преобразователя FET

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. является мощным глобальным переработчиком складских запасов электронных компонентов. Компания стремится предоставлять клиентам профессиональные услуги по переработке электронных компонентов, помогая клиентам реализовать складские запасы, сократить складские расходы и снизить затраты на хранение и управление.

Область переработки имеет следующие основные преимущества:

1. Возможность охвата полной номенклатуры

Поддерживает переработку электронных компонентов различных брендов и моделей, включая интегральные схемы (ИС), чипы 5G, ИС для новой энергетики, чипы IoT, чипы Bluetooth, автомобильные чипы, ИС для искусственного интеллекта, ИС Ethernet, микросхемы памяти, датчики, модули IGBT и т. д., охватывая автомобильную электронику, промышленный контроль, связь, искусственный интеллект и другие области.

2. Профессиональная оценка и высокая цена выкупа

У нас есть опытная техническая команда для проведения тестирования подлинности и проверки производительности для обеспечения точного ценообразования.

3. Эффективный и гибкий процесс обслуживания

Предоставляем быструю котировку в течение 24 часов и поддерживаем режим "осмотр в тот же день, оплата в тот же день".

Принимаем смешанную переработку целых партий/насыпных материалов и поддерживаем услуги по доставке от двери до двери, трансграничной логистике и сбору со склада.

I. Платы оценки драйверов FET: Основа высокой надежности для промышленности

Универсальные платы оценки драйверов FET ориентированы на обеспечение стабильной и надежной способности управления затвором, подходящей для различных применений, включая приводы двигателей и преобразование энергии. Их основная ценность заключается в упрощении сложности проектирования высоковольтных, сильноточных коммутационных цепей.

1. Основные модели и анализ характеристик

Представлены платами оценки серии ISL78424EVAL3Z/ISL78444EVAL1Z, которые специально разработаны для оценки драйверов полумоста на 100 В.

Надежная способность управления: обеспечивает ток источника 3 А и ток стока 4 А, что позволяет быстро включать и выключать MOSFET для эффективного снижения потерь при переключении.

Интегрированная конструкция: включает в себя два встроенных N-канальных MOSFET для формирования завершенной силовой ступени полумоста, что позволяет напрямую подключать нагрузку (например, двигатели постоянного тока) для тестирования.

Интеллектуальное управление и защита:

Трехуровневый ШИМ-вход (ISL78424/ISL78444): управляет как верхним, так и нижним драйверами одновременно с помощью одного сигнала, упрощая взаимодействие с контроллером.

Программируемое мертвое время: регулируется с помощью одного резистора (от 35 нс до 400 нс) для предотвращения прямой проводимости между верхней и нижней сторонами, обеспечивая безопасность системы.

Широкий рабочий диапазон: напряжение питания от 8 В до 18 В, верхний драйвер выдерживает колебания напряжения до 70 В, а рабочая температура от -40°C до +140°C, что соответствует требованиям промышленности и автомобилестроения.

2. Типичные сценарии применения

Привод щеточного/бесщеточного двигателя постоянного тока (BLDC): предоставляет решения для приводов вентиляторов, насосов и роботизированных соединений.

Синхронные импульсные регуляторы: используются в конструкциях силовой ступени для источников питания постоянного тока.

Промышленные источники питания и оборудование автоматизации: подходит для систем управления автоматизацией производства благодаря своей высокой надежности.

II. Плата оценки драйвера полевых транзисторов (GaN) из нитрида галлия: расширение границ эффективности и плотности

Поскольку спрос на высокую плотность мощности и эффективность в системах искусственного интеллекта, быстрой зарядки и возобновляемой энергии растет, решения на основе широкозонного полупроводника GaN находятся на переднем крае. Плата оценки GaN от Renesas устраняет узкие места в преобразовании высокой мощности.

1. Основная модель и анализ характеристик

Плата оценки RTKA226110DE0010BU служит ярким примером, интегрируя драйвер затвора RAA226110 с GaN E-HEMT (Enhanced High Electron Mobility Transistor) на 650 В.

Перспективная интеграция GaN: встроенные устройства GaN на 650 В от GaN Systems снижают потери при переключении до 50% и увеличивают плотность мощности в три раза по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.

Отключение питания 0 В упрощает конструкцию: предлагает решение с напряжением отключения 0 В, исключая сложные схемы генерации отрицательного напряжения, что особенно подходит для применений с низкой и средней мощностью для упрощения конструкции.

Готовая к использованию топология полумоста: плата оценки включает в себя всю необходимую схему, включая изолированный источник питания и радиатор, образуя интегрированную плату драйвера питания полумоста высотой всего 35 мм и совместимую с конструкциями шасси 1U.

Исключительная производительность устройства: в сочетании с полевыми транзисторами SuperGaN® четвертого поколения Renesas (например, серии TP65H030G4P), обладающими низким сопротивлением включения 30 мОм и оптимизированным пороговым напряжением 4 В, обеспечивая помехоустойчивость при повышении эффективности.

2. Типичные сценарии применения

Источник питания центра обработки данных ИИ: используется в PFC с тотемным полюсом в архитектурах на 800 В, достигая пиковой эффективности более 99,2% и плотности мощности, достигающей 120 Вт/дюйм³, тем самым повышая энергоэффективность серверов.

Станции быстрой зарядки электромобилей: поддерживают зарядку мощностью 22 кВт+. Высокие частоты переключения (>500 кГц) в сочетании с характеристиками низких потерь значительно уменьшают размер трансформатора и затраты на терморегулирование.

Хранение PV и источники питания связи: подходят для высокоэффективных солнечных микроинверторов и двунаправленных преобразователей постоянного тока, повышая общую эффективность энергетического цикла.

III. Плата оценки драйвера синхронного понижающего преобразователя FET: точное и эффективное управление питанием

Для приложений, требующих многоканального, регулируемого и высокоэффективного понижающего преобразования, плата оценки синхронного понижающего контроллера предоставляет комплексную платформу для проверки управления питанием.

1. Основные модели и анализ характеристик

В качестве примеров взяты платы оценки ISL78264EVAL1Z и ISL81601EVAL1Z, демонстрирующие различные акценты производительности.

Их основные характеристики обобщены в таблице ниже:

Плата оценки ISL78264EVAL1Z

Основной контроллер ISL78264 Двухканальный синхронный понижающий контроллер

Диапазон входного напряжения от 3,75 В до 42,0 В

Выходная способность Канал 1: 3,3 В/5 В фиксированный или 0,8-5 В регулируемый; Канал 2: 0,8-32 В регулируемый

Частота переключения от 200 кГц до 2 МГц программируемая

Основные преимущества Два независимых выхода, исключительная гибкость, сверхнизкий ток покоя (6 мкА на канал)

Типичные применения Автомобильные ЭБУ, информационно-развлекательные системы, промышленный контроль

Плата оценки ISL81601EVAL1Z

Основной контроллер ISL81601 60 В высоковольтный синхронный понижающий контроллер

Диапазон входного напряжения от 9 В до 60 В

Выходная способность Поддерживает двунаправленную работу; выходная способность по току зависит от внешнего полевого транзистора и индуктивности

Частота переключения Программируется от 100 кГц до 600 кГц

Основные преимущества Высокое входное напряжение, двунаправленная работа, интегрированные надежные функции защиты

Типичные применения Высокоточные приложения, системы с батарейным питанием, источники питания коммуникационного оборудования

2. Преимущества конструкции

Эти платы оценки в совокупности обеспечивают исключительную гибкость и надежность:

Режимы высокой эффективности: поддерживает принудительный ШИМ и режимы энергосбережения при малой нагрузке (например, DEM, пропуск импульсов) для оптимизации эффективности во всем диапазоне нагрузки.

Комплексные функции защиты: интегрированная защита от перенапряжения (OVP), пониженного напряжения (UVP), перегрузки по току (OCP) и перегрева (OTP) обеспечивают стабильную работу системы.