Блог компании Транзисторы MOSFETs приемов, микроконтроллер IC, память IC, датчик IC

Транзисторы MOSFETs приемов, микроконтроллер IC, память IC, датчик IC

Специфика повторно использует процесс:
1. Вы можете просто расклассифицировать ваши запасы IC/module и определить модель, бренд, дату продукции, количество, etc.
2. Пожалуйста отправьте ваш список инвентаря в нашу команду оценки по факсу или электронную почту.
3. Когда вы получаете предложение приобретения от одного из наших профессионалов, мы можем обсудить специфические метод и доставку сделки и согласовать.
4. Мы только повторно используем от регулярных каналов, как агенты, торговцы, и фабрики, и не признаваем незаконные источники.

N-канал 1200V 68A 352W TO-247-4L транзисторов NTH4L022N120M3S MOSFETs приемов

Характер продукции
MOSFETs кремниевого карбида NTH4L022N120M3S (SiC) семья MOSFETs 1200V M3S плоскостных SiC. NTH4L022N120M3S оптимизировано для применений быстро-переключения. Плоскостная технология работает надежно с отрицательными приводами напряжения тока ворот и поворачивает шипы на воротах. Эти MOSFETs отличают оптимальным представлением управлянный с приводом но также работой ворот 18V хорошо с приводом ворот 15V.

Особенности
Тип. RDS (дальше) = 22 m @ VGS = 18 v
Низкие переключая потери (тип. ЭРА 490 j на 40 a, 800 v)
Лавина 100% испытала
Этот прибор галоидные свободные и RoHS уступчивый с освобождением 7a,
Pb−Free 2LI (на втором ровном соединении)

Типичные применения
Солнечные инверторы
Зарядные станции электротранспорта
UPS (бесперебойные электропитания)
Системы накопления энергии
SMPS (электропитания режима переключателя)