logo
Главная страница Новости

Блог компании Высокоскоростные IGBT транзисторы Infineon IKW25N120H3 1200В 25А с антипараллельным диодом

Сертификация
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Просмотрения клиента
Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение
компания Блог
Высокоскоростные IGBT транзисторы Infineon IKW25N120H3 1200В 25А с антипараллельным диодом
последние новости компании о Высокоскоростные IGBT транзисторы Infineon IKW25N120H3 1200В 25А с антипараллельным диодом

ИнфинионIKW25N120H3Высокоскоростные транзисторы IGBT 1200V 25A с антипараллельным диодом

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. (далее - Шэньчжэнь Минджиада)известный независимый дистрибьютор электронных компонентов в отрасли, предлагает высокоскоростной транзистор IGBT 1200V 25A Infineon IKW25N120H3 на складе.Он использует передовую технологию TRENCHSTOPTM и интегрирует обратный параллельный диод.

 

Это...IKW25N120H3Устройство достигает превосходного баланса между потерями переключения и потерями проводимости, что делает его особенно подходящим для высокочастотных твердых переключений.Он является идеальным выбором для таких приложений, как промышленные приводы двигателей, бесперебойные источники питания (UPS), сварочное оборудование и солнечные инверторы.

 

IKW25N120H3Обзор продукта

IKW25N120H3 представляет собой представительный продукт высокоскоростной технологии IGBT TRENCHSTOPTM четвертого поколения Infineon. Он упакован в пакет TO-247-3, интегрирующий 1200В,25A IGBT и высокоскоростной антипараллельный диод.

 

Такая конструкция уменьшает потребность во внешних компонентах, повышая интеграцию системы и надежность.

 

Наиболее заметная техническая особенностьIKW25N120H3Устройство обладает оптимизированными характеристиками переключения.который не только достигает низкого падения напряжения насыщения (Vce ((sat))), но и значительно снижает потери переключения, позволяющий эффективную работу на частотах до 70 кГц.

 

IKW25N120H3Анализ ключевых параметров производительности

IKW25N120H3 может похвастаться рядом впечатляющих электрических характеристик, которые напрямую определяют его производительность в приложениях:

Спецификации напряжения и тока: напряжение коллектор-излучатель (Vces) до 1200V, непрерывный ток коллектора (Ic) до 50A при 25°C и 25A при 100°C, с возможностью импульсного тока до 100A.

Характеристики проводимости: Насыщенное напряжение коллектора-эмиттера (Vce(sat)) имеет типичное значение 2,05V (испытанное при напряжении входа 15V и токе коллектора 25A).Это низкое падение напряжения проводимости помогает уменьшить потерю мощности в состоянии проводимости.

Характеристики переключения: время задержки включения (td ((on)) составляет всего 26 нс, а время задержки выключения (td ((off)) - 277 нс. Такие высокие скорости переключения делают его подходящим для высокочастотных приложений,но перенапряжение напряжения и электромагнитные помехи должны учитываться в конструкции схемы драйвера.

Потери переключения: энергия включения (Eon) составляет 1,8 mJ, а энергия выключения (Eoff) - 0,85 mJ (при жестких условиях переключения).Более низкие потери при переключении напрямую приводят к более высокой эффективности системы и снижению требований к управлению теплом.

Характеристики интегрированного диода: время обратного восстановления (trr) встроенного антипараллельного диода составляет 290 нс, а напряжение вперед (VF) составляет 2,4 В.Это обеспечивает способность обрабатывать индуктивные нагрузки.

Тепловая производительность: максимальная рассеиваемость мощности устройства (Ptot) составляет 326 Вт, при температурном диапазоне рабочего соединения от -40 °C до +175 °C.Широкий температурный диапазон позволяет ему выдерживать суровые условия эксплуатации.

 

последние новости компании о Высокоскоростные IGBT транзисторы Infineon IKW25N120H3 1200В 25А с антипараллельным диодом  0

 

IKW25N120H3Структура и характеристики упаковки

IKW25N120H3 использует стандартный пакет с отверстием TO-247-3 (также известный как PG-TO247-3), который предлагает отличную механическую прочность и тепловую производительность.

 

Размеры упаковки IKW25N120H3 составляют: длина 16,13 мм, ширина 5,21 мм, высота 21,1 мм. Этот широко используемый формат упаковки облегчает установку и рассеивание тепла,и совместим с большинством стандартных теплоотводов.

 

Устройство IKW25N120H3 весит примерно 5,42 грамма.Внутренняя часть упаковки имеет медную подложку и оптимизированную конструкцию внутреннего соединительного провода, обеспечивая отличную способность обработки тока и эффективность теплопроводности.

 

IKW25N120H3Технические характеристики и преимущества

Транзистор IKW25N120H3 IGBT сочетает в себе множество технических преимуществ:

Способность к высокому напряжению: 1200V напряжение отключения коллектора, подходящее для применения в условиях высокого напряжения

Управление высоким током: максимальный непрерывный ток коллектора до 50A, импульсный ток до 100A

Производительность с низкими потерями: сочетает в себе низкие потери переключения и низкие потери проводимости для повышения эффективности системы

Отличная тепловая производительность: диапазон температуры рабочего соединения от -40°C до 175°C с максимальной номинальной мощностью 326W

Характеристики быстрого переключения: подходит для топологий высокочастотного переключения свыше 20 кГц

 

Эти особенности делают IKW25N120H3 идеальным выбором для широкого спектра применений в силовой электронике.

 

IKW25N120H3Области применения

IKW25N120H3 подходит для широкого спектра применений в силовой электронике, особенно для тех, которые требуют высоких частот переключения и высокой эффективности:

 

Промышленные приводы двигателей: используются в качестве компонентов переключения мощности в приводах с переменной частотой и сервоприводах, его высокая частота переключения поддерживает высокоточное управление двигателем.

Бесперебойное питание (UPS): Особенно подходит для секций инвертора и выпрямителя онлайн-систем UPS, повышая эффективность преобразования энергии.

Сварное оборудование: используется в секции преобразования мощности инверторных сварочных машин, где высокие частоты позволяют использовать меньшие трансформаторы.

Солнечные инверторы: подходят для стадии преобразования постоянного тока в постоянный ток в фотоэлектрических инверторах типа струн, с высокой напряженностью для удовлетворения требований к напряжению фотоэлектрических струн.

Электрические источники питания в режиме переключения (SMPS): особенно подходят для высокочастотных этапов преобразования мощности в высокомощных коммуникационных источниках питания и серверных источниках питания.

Время Pub : 2025-08-23 12:53:25 >> список новостей
Контактная информация
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Контактное лицо: Mr. Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)