Блог компании INFINEON IMT65R057M1H 650 В 57 мОм MOSFET-транзисторы из карбида кремния CoolSiC™

INFINEONIMT65R057M1H 650 В 57 мΩ Транзисторы CoolSiC™ из карбида кремния (SiC)

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., как всемирно известный дистрибьютор электронных компонентов, предлагает IMT65R057M1H MOSFET-транзистор CoolSiC™ со склада. Благодаря исключительной производительности переключения, выдающейся надежности и широкой адаптивности к применению, он открывает новые возможности для проектирования современных систем силовой электроники.

【IMT65R057M1H Обзор продукта】

IMT65R057M1H представляет собой флагманское предложение в серии MOSFET CoolSiC™ от Infineon. Изготовленный с использованием передовой траншейной полупроводниковой технологии, он оптимизирован для обеспечения минимальных потерь при применении и максимальной эксплуатационной надежности.

Этот IMT65R057M1H N-канальный MOSFET из карбида кремния имеет напряжение сток-исток (Vds) 650 В и непрерывный ток стока (Id) 44 А с сопротивлением включения всего 0,057 Ом. Его низкое сопротивление включения и высокая токовая способность позволяют повысить эффективность системы на 3-5%, что значительно увеличивает дальность хода электромобилей.

Размещенный в корпусе HSOF-8, IMT65R057M1H поддерживает рабочие температуры до 175°C, упрощая системы терморегулирования и снижая затраты, при этом отвечая высоким требованиям надежности в экстремальных условиях.

【Преимущества и инновации технологии карбида кремния】

По сравнению с традиционными кремниевыми устройствами, материал из карбида кремния обладает широкой шириной запрещенной зоны, ширина которой примерно в три раза больше, чем у кремния, а критическая напряженность электрического поля примерно в десять раз больше.

Это позволяет SiC MOSFET использовать более тонкие, более сильно легированные области дрейфа, что значительно снижает сопротивление включения. В отличие от биполярных IGBT-устройств, SiC MOSFET являются униполярными, устраняя токи хвоста при выключении и достигая до 80% меньших потерь при переключении по сравнению с кремниевыми IGBT.

В MOSFET CoolSiC от Infineon используется асимметричная структура траншейного затвора, использующая анизотропные свойства кристаллов SiC. Кристаллическая плоскость, используемая для канала, ориентирована под определенным углом к вертикальной оси, минимизируя плотность состояний на границе раздела и ловушки в слое оксида для обеспечения максимальной подвижности носителей в канале.

【IMT65R057M1H Конструкция надежности и характеристики производительности】

В IMT65R057M1H используется усовершенствованная технология чипов M1H CoolSiC от Infineon, что значительно улучшает сопротивление сток-исток во включенном состоянии, расширяет диапазон напряжения затвор-исток и повышает гибкость управления.

Технология M1H дополнительно расширяет диапазон выдерживаемого напряжения затвора, со значениями выдерживаемого напряжения в установившемся режиме от -7 В до 20 В и значениями выдерживаемого переходного напряжения от -10 В до 23 В. Рекомендуемое напряжение включения составляет 15-18 В, а напряжение выключения - от -5 В до 0 В.

MOSFET IMT65R057M1H имеет высокое пороговое напряжение (приблизительно 4,5 В), превосходящее многих конкурентов, в сочетании с исключительно низкой емкостью Миллера. Это повышенное пороговое напряжение эффективно подавляет явления паразитной проводимости, повышая стабильность системы.

【IMT65R057M1H Корпус и тепловые характеристики】

В IMT65R057M1H используется корпус HSOF-8 (также известный как PG-HSOF-8), корпус для поверхностного монтажа, подходящий для применений с высокой плотностью мощности.

IMT65R057M1H разработан с выдающимися тепловыми характеристиками, поддерживая максимальную температуру перехода 175°C, тем самым дополнительно повышая плотность мощности. Его надежные тепловые характеристики обеспечивают стабильную работу в условиях высоких температур и суровых рабочих условиях.

【Области применения IMT65R057M1H】

MOSFET из карбида кремния IMT65R057M1H находит широкое применение в нескольких областях с высокой производительностью, служа ключевым компонентом для повышения эффективности системы.

В секторе транспортных средств на новой энергии IMT65R057M1H подходит для основных приводных инверторов, бортовых зарядных устройств (OBC) и DC-DC преобразователей. Его высокая частота переключения и низкие потери улучшают эффективность системы, снижают рассеивание энергии и увеличивают дальность хода.

В секторе возобновляемой энергетики этот MOSFET IMT65R057M1H находит применение в фотоэлектрических инверторах и системах накопления энергии. Высокая частота переключения и низкие потери MOSFET CoolSiC™ повышают эффективность преобразования солнечной энергии, обеспечивая эффективность системы более 99%.

Кроме того, IMT65R057M1H подходит для таких применений, как промышленные источники питания, источники питания серверов, телекоммуникационное оборудование и источники бесперебойного питания (ИБП). В этих областях он снижает требования к тепловым характеристикам системы, одновременно увеличивая плотность мощности.