Блог компании Infineon представляет транзистор CoolGaNTM GS-065-018-2-L-MR: чрезвычайно высокая эффективность и надежность

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd [Поставка] Транзисторы Infineon GS-065-018-2-L-MR CoolGaNTM 650 V ≤ G3 с очень высокой эффективностью и надежностью.

Обзор:

GS-065-018-2-L-MR представляет собой усовершенствованный GaN на кремниевом энерготранзисторе.Транзистор с нижним охлаждением в пакете 8x8 мм PDFN обеспечивает идеальное потребление энергии, необходимое для современных адаптеров USB-C и зарядных устройств или серверных и дата-центровых приложений.

Модель: GS-065-018-2-L-MR

Год: 24+

Пакет: PDFN 8x8

Описание: Поверхностная установка N-канал 650 V 18A (Tc) 8-PDFN (8x8)

Особенности

• Улучшенная HEMT - обычно закрыта
• Сверхбыстрое переключение
• Отсутствие обратного взыскания
• Способность обратной проводности
• Низкая нагрузка на шлюз, низкая нагрузка на выход
• Отличная сила коммутации
• Соответствует требованиям JEDEC (JESD47, JESD22)
• Нижнее охлаждение
• Нул обратных потерь по возврату
• Площадки для обнаружения источника для оптимального привода ворот
• Быстрое, контролируемое время падения и подъема
• Соответствует требованиям RoHS 3 ((6+4)

Области применения

• Переменный ток
• USB - USB PD адаптеры и зарядные устройства
• Силовые источники
• Промышленный

Если у вас есть какие-либо запросы, пожалуйста, свяжитесь с мистером Ченом по телефону:

Телефон: +86 13410018555

Электронная почта: sales@hkmjd.com

Дом:www.hkmjd.com