Блог компании Infineon IPM018N10: 100V OptiMOS™ 5 Линейный MOSFET, обеспечивающий максимальную удельную мощность для горячей замены и защиты аккумулятора

ООО «Шэньчжэнь Минджиада Электроникс»обеспечивает долгосрочные поставки оригинальных, имеющихся на складе компонентов Infineon/, — N-канальный MOSFET-транзистор на 100 В с технологией OptiMOS™ 5 Linear FET 2. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии до 1,7 мОм, непрерывному току стока до 285 А и широкой безопасной рабочей области (SOA) это устройство специально разработано для применений защиты, таких как горячая замена, электронные предохранители (e-Fuses) и системы управления батареями (BMS), которые требуют выдерживать высокие пиковые токи.

Обзор продукта: Эталон технологии OptiMOS™ 5 Linear FET 2

IPM018N10 относится к серии OptiMOS™ 5 Linear FET 2 от Infineon и служит эталоном производительности для класса напряжения 100 В в рамках этой платформы. Устройство выполнено в новом корпусе mTOLG размером 8×8 мм (PG-HSOG-4-1), совместимо с MOSFET-транзисторами в корпусах с крыльями размером 8×8 мм², такими как LFPAK88, и является устройством в стандартном корпусе, зарегистрированном JEDEC.

Основная концепция дизайна этого продукта заключается в сочетании сверхнизкого сопротивления в открытом состоянии с широкой безопасной рабочей областью (SOA), специально оптимизированной для схем защиты, которые должны выдерживать пусковые токи и работать в линейном режиме.

 Ключевые технические характеристики

Напряжение сток-исток (VDS): 100 В

Непрерывный ток стока (ID): 285 А (Tc)

Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): Макс. 1,7 мОм при 100 А, 15 В

Диапазон рабочих температур: от -55°C до +175°C

Тип корпуса: PG-HSOG-4-1 (8×8 мм mTOLG)

Заряд затвора (Qg): 178 нКл при 10 В

Входная емкость (Ciss): 14 000 пФ при 50 В

 Ключевые особенности и преимущества

Лидирующее в отрасли сопротивление в открытом состоянии: RDS(on) от 1,4 мОм до 1,7 мОм, что значительно снижает потери проводимости и повышает энергоэффективность системы

Широкая безопасная рабочая область (SOA): Отличная способность работы в линейном режиме, безопасное управление пусковыми токами при запуске и в аварийных условиях

Высокая плотность мощности: Достигает рассеиваемой мощности 349 Вт в компактном корпусе 8×8 мм, что значительно экономит место на печатной плате

Оптимизированные характеристики переноса: Более узкий диапазон распределения Vgs(th), улучшающий распределение тока при параллельном подключении нескольких устройств

100% тестирование на лавинный пробой: Обеспечивает надежность устройства в суровых условиях эксплуатации

Ключевые области применения

IPM018N10Система управления батареями (BMS): Используется для защиты основной цепи и цепей предварительной зарядки в аккумуляторных сборках для обеспечения безопасности и надежности системы

Горячая замена и электронные предохранители (e-Fuses): Обеспечивает плавное ограничение тока и защиту от короткого замыкания, предотвращая разрушительные скачки напряжения или тока при горячей замене

Серверные источники питания (Server PSUs): Соответствует строгим требованиям центров обработки данных к высокоэффективным блокам питания с высокой плотностью мощности

Телекоммуникационная инфраструктура: Подходит для защиты при горячей замене и преобразования мощности в источниках питания коммуникационного оборудования

Для запроса коммерческого предложения, образцов или информации о наличии свяжитесь с Mingjiada Electronics:

Контакт: г-н Чэнь

Телефон: 13410018555

Электронная почта: +86 sales@hkmjd.com

Веб-сайт:

https://www.integrated-ic.com/Теги:

IPM018N10NM5LF2, IPM018N10, IPM018N10, IPM018N10, IPM018N10, IPM018N10, IPM018N10