Блог компании Infineon запускает N-Channel OptiMOSTM Power MOSFET IPB038N12N3G

Сегодня компания Infineon представляет N-канальный оптимальный MOSFET-IPB038N12N3G, который является ведущим MOSFET, предлагающим высокую плотность мощности и энергоэффективные решения.Сверхнизкие выходной и выходной заряды и наименьшее сопротивление в небольшом пакете делают их идеальными для удовлетворения требований решений регулятора напряжения в сервереУльтрабыстрые FET с коммутационным управлением и FET с низким EMI обеспечивают простые в разработке решения.N-канальные OptiMOSTM MOSFET от Infineon обеспечивают отличное зарядное питание и оптимизированы для преобразования постоянного тока в постоянный.

Введение

Семейство 120В OptiMOSTM предлагает наименьшее сопротивление и самые быстрые переключатели в отрасли для широкого спектра приложений, обеспечивая отличную производительность.Технология 120В OptiMOSTM открывает новые возможности для достижения оптимизированных решений.

Описание характеристик

Высокая производительность переключения

Самый низкий в мире

Очень низкий Qg и Qgd

Невыполненные платежи по платежным платежам x R DS ((on) products (FOM)

Соответствует требованиям RoHS - без галогена

Рейтинг MSL1 2

Спецификация

Производитель: Infineon

Категория продукции: MOSFET

Технология: Си

Стиль установки: SMD/SMT

Пакет / чехол: D2PAK-3 (TO-263-3)

Полярность транзистора: N-канал

Количество каналов: 1 канал

Напряжение отключения источника Vds-Drain: 120 V

Id - непрерывный отводный ток: 120 A

Rds Сопротивление на оттоке: 3,2 мОмм

Vgs - напряжение порта: - 20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение источника шлюза: 2 V

Заряд Qg-gate: 211 нC

Минимальная рабочая температура: - 55 C

Максимальная рабочая температура: + 175 C

Расход мощности Pd: 300 Вт

Режим канала: Усиление

Торговая марка: OptiMOS

Серия: OptiMOS 3

Конфигурация: одиночная

Время падения: 21 нс

Транспроводность вперед - min: 83 S

Высота: 4,4 мм

Длина: 10 мм

Тип продукции: MOSFET

Время подъема: 52 нс

Производственный пакет Количество: 1000

Подкатегория: MOSFET

Тип транзистора: 1 N-канал

Типичное время отключения: 70 нс.

Типичное время задержки включения: 35 нс

Ширина: 9,25 мм

О компании Infineon Technologies

Infineon - ведущая глобальная компания по полупроводниковым технологиям, стремящаяся создать более удобный, безопасный и экологически чистый мир.Мы предлагаем полный спектр полупроводниковых решений, которые позволяют эффективно управлять энергией, интеллектуальная мобильность и безопасная, беспроблемная связь, которая соединяет реальный и цифровой миры.