logo
Главная страница Новости

Блог компании N-канальный силовой MOSFET Infineon IPB117N20NFD OptiMOS™ FD, 200 В

Сертификация
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Просмотрения клиента
Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение
компания Блог
N-канальный силовой MOSFET Infineon IPB117N20NFD OptiMOS™ FD, 200 В
последние новости компании о N-канальный силовой MOSFET Infineon IPB117N20NFD OptiMOS™ FD, 200 В

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.является специализированным поставщиком электронных компонентов, предлагающим долгосрочную доступность на складе высокопроизводительного N-канального силового MOSFET от Infineon – , поставляемый Mingjiada Electronics, представляет собой высокопроизводительный, универсальный 200V N-канальный MOSFET. Его низкое сопротивление включения, высокая скорость переключения и низкое напряжение включения обеспечивают надежное решение для различных мощных приложений. Будь то телекоммуникации, промышленные источники питания или аудиооборудование, IPB117N20NFD отвечает требованиям пользователей к высокопроизводительным силовым MOSFET.. Этот продукт относится к серии OptiMOS™ FD, известной своей исключительной производительностью и высокой надежностью, что делает его широко применимым в различных мощных приложениях.

 

, поставляемый Mingjiada Electronics, представляет собой высокопроизводительный, универсальный 200V N-канальный MOSFET. Его низкое сопротивление включения, высокая скорость переключения и низкое напряжение включения обеспечивают надежное решение для различных мощных приложений. Будь то телекоммуникации, промышленные источники питания или аудиооборудование, IPB117N20NFD отвечает требованиям пользователей к высокопроизводительным силовым MOSFET. Обзор продукта
IPB117N20NFD - это N-канальный силовой MOSFET транзистор от Infineon Technologies, использующий передовую технологию OptiMOS™ FD (Fast Diode).

 

Этот 200V IPB117N20NFD относится к серии OptiMOS™ FD, специально оптимизированной для жесткой коммутации диода корпуса.

 

IPB117N20NFD использует корпус TO-263-3 (также известный как D2PAK), подходящий для технологии поверхностного монтажа, что облегчает эффективную пайку и сборку на автоматизированных производственных линиях.

 

, поставляемый Mingjiada Electronics, представляет собой высокопроизводительный, универсальный 200V N-канальный MOSFET. Его низкое сопротивление включения, высокая скорость переключения и низкое напряжение включения обеспечивают надежное решение для различных мощных приложений. Будь то телекоммуникации, промышленные источники питания или аудиооборудование, IPB117N20NFD отвечает требованиям пользователей к высокопроизводительным силовым MOSFET.  Основные параметры производительности
Напряжение сток-исток (VDS): 200 В
Максимальное сопротивление включения (FOS(uv)): 11,7 мΩ
Непрерывный ток стока (ID): 84A (при Tc=25°C)
Импульсный ток стока: 336A (при Tc=25°C, I0=67A, R0B=25Ω)
Пиковое dv/dt обратного диода: 60 кВ/μс (при ln=160A, V0B=100V, dir/t=1500A/μс, Tjmax=175°C)
Напряжение затвор-исток (VGS): от -20 В до 20 В
Рассеиваемая мощность (Pd): 300 Вт (при Tc=25°C)
Диапазон рабочих температур: от -55°C до 175°C

 

Особенности продукта
IPB117N20NFD
, поставляемый Mingjiada Electronics, представляет собой высокопроизводительный, универсальный 200V N-канальный MOSFET. Его низкое сопротивление включения, высокая скорость переключения и низкое напряжение включения обеспечивают надежное решение для различных мощных приложений. Будь то телекоммуникации, промышленные источники питания или аудиооборудование, IPB117N20NFD отвечает требованиям пользователей к высокопроизводительным силовым MOSFET. интегрирует несколько передовых технологий, предлагая следующие ключевые характеристики:
Повышенная надежность: Оптимизирован для выносливости при жесткой коммутации диода корпуса, повышая надежность системы в суровых условиях коммутации.
Технология Fast Diode: Включает в себя технологию быстрого диода (FD) с низким Qrr, значительно уменьшая заряд и время обратного восстановления для превосходной производительности в таких приложениях, как импульсные источники питания.
Энергоэффективность и плотность мощности: Благодаря лучшим в отрасли параметрам Rds(on) и Qg, IPB117N20NFD обеспечивает более высокую эффективность системы и плотность мощности, позволяя разработчикам уменьшить занимаемую площадь продукта.
Соответствие экологическим требованиям и безопасность: Соответствующий требованиям RoHS и не содержащий галогенов, IPB117N20NFD соответствует строгим экологическим требованиям для современной электроники, обеспечивая при этом отличные температурные характеристики и долгосрочную стабильность.

 

Сценарии применения
IPB117N20NFD
, поставляемый Mingjiada Electronics, представляет собой высокопроизводительный, универсальный 200V N-канальный MOSFET. Его низкое сопротивление включения, высокая скорость переключения и низкое напряжение включения обеспечивают надежное решение для различных мощных приложений. Будь то телекоммуникации, промышленные источники питания или аудиооборудование, IPB117N20NFD отвечает требованиям пользователей к высокопроизводительным силовым MOSFET. Телекоммуникационное оборудование: Обеспечение высокоэффективного управления питанием.
Промышленные источники питания: Обеспечение стабильной подачи питания.
Аудиоусилители класса D: Повышение производительности в аудиоустройствах.
Управление двигателями: Точное регулирование работы двигателя.
DC-AC инверторы: Обеспечение эффективного преобразования энергии.
Тип корпуса

 


IPB117N20NFD
, поставляемый Mingjiada Electronics, представляет собой высокопроизводительный, универсальный 200V N-канальный MOSFET. Его низкое сопротивление включения, высокая скорость переключения и низкое напряжение включения обеспечивают надежное решение для различных мощных приложений. Будь то телекоммуникации, промышленные источники питания или аудиооборудование, IPB117N20NFD отвечает требованиям пользователей к высокопроизводительным силовым MOSFET.Краткое содержание

 

Силовой MOSFET Infineon
IPB117N20NFD
, поставляемый Mingjiada Electronics, представляет собой высокопроизводительный, универсальный 200V N-канальный MOSFET. Его низкое сопротивление включения, высокая скорость переключения и низкое напряжение включения обеспечивают надежное решение для различных мощных приложений. Будь то телекоммуникации, промышленные источники питания или аудиооборудование, IPB117N20NFD отвечает требованиям пользователей к высокопроизводительным силовым MOSFET.Свяжитесь с нами:

 

Контакт: г-н Чен
Телефон: +86 13410018555
Электронная почта: sales@hkmjd.com
Веб-сайт:
www.integrated-ic.com

Время Pub : 2025-11-01 10:19:52 >> список новостей
Контактная информация
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Контактное лицо: Mr. Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)