Mingjiada Electronics поставляетIRF1310NPBF, высокопроизводительный N-канальный MOSFET мощностью 100 В, представленный Infineon,который обеспечивает выдающиеся характеристики в эффективных приложениях управления энергопотреблением и является незаменимым ключевым компонентом многих электронных устройств.
Обзор продуктаIRF1310NPBF
IRF1310NPBF представляет собой высокопроизводительный N-канальный питательный MOSFET с передовой технологией HEXFET®, предлагающий чрезвычайно низкое сопротивление и отличную производительность переключения.IRF1310NPBF упакован в пакет TO-220AB и идеально подходит для высокого токаС его высокой надежностью и эффективностью,Это предпочтительный выбор для инженеров в проектировании источников питания..
Особенности и параметрыIRF1310NPBF
Основные электрические параметры: IRF1310NPBF имеет максимальное напряжение источника отвода 100 В, непрерывный ток отвода до 42 А и максимальное рассеивание мощности 160 Вт.Он имеет чрезвычайно низкое сопротивлениеЕго заряд в шлюзе составляет 110 нС @ 10 В, емкость ввода составляет 1,9 нФ @ 25 В, а емкость обратной передачи составляет 230 нФ @ 25 В.
Диапазон температуры работы: IRF1310NPBF может стабильно работать в широком диапазоне температур от -55°C до +175°C,адаптация к различным суровым условиям эксплуатации и обеспечение надежной работы оборудования при различных температурных условиях.
Характеристики упаковки: IRF1310NPBF помещается в упаковку TO-220AB с размерами 10,54 мм в длину, 4,4 мм в ширину и 8,77 мм в высоту,обладает превосходными характеристиками теплорассеивания и электрической изоляцииМатериал упаковки обеспечивает высоковольтную изоляцию до 2,5 кВРМС и расстояние ползания до 4,8 мм, что эффективно предотвращает такие проблемы, как утечки и короткие замыкания.
Динамические параметры производительности: IRF1310NPBF имеет быструю скорость переключения, что позволяет эффективно конвертировать мощность.превосходные результаты в высокочастотных приложениях переключенияКроме того, IRF1310NPBF обладает способностью поглощать энергию лавин, способной выдерживать определенные уровни перегрузки и временные перепады напряжения, повышая надежность и безопасность системы.
Подробные параметрыIRF1310NPBF
Тип FET: N-канальный MOSFET
Напряжение источника отвода: 100 В
Постоянный отводный ток: 42A (при 25°C)
Сопротивление при включении: 36mΩ (при 10В, 22А)
Заряд шлюза: 110nC (при 10В)
Входная емкость: 1900 пФ (при 25 В)
Напряжение порта: ±20В
Пороговое напряжение: от 2 до 4 В
Тип упаковки: TO-220AB (установка через отверстие)
Диапазон температуры работы: от -55°C до +175°C
Расход энергии: 160 Вт (при 25 °С)
Типичные применения
ВIRF1310NPBFшироко используется в следующих областях:
Переменные источники питания (SMPS): используются в преобразовании AC-DC и модулях DC-DC для повышения энергоэффективности.
Двигатели: Подходят для управления промышленными двигателями, электроинструментами и автоматизированным оборудованием.
Модули управления питанием: используются в системах UPS, инверторах и системах управления батареями.
Автомобильная электроника: отвечает высоким требованиям надежности для внутримобильных источников питания и светодиодных драйверов.
Потребительская электроника: такие как аудиоусилители и высокомощные зарядные устройства.
Поставки и поддержка
Mingjiada Electronics, как известный дистрибьютор электронных компонентов, предлагает подлинныеIRF1310NPBFДля получения технической поддержки или оптовой закупки IRF1310NPBF, пожалуйста, свяжитесь с Mingjiada Electronics для получения лучшей цены.
Контактная информация
Телефон: +86 13410018555
Электронная почта: sales@hkmjd.com
Сайт:www.integrated-ic.com
Контактное лицо: Mr. Sales Manager
Телефон: 86-13410018555
Факс: 86-0755-83957753