Блог компании IXYS IXTP160N10T Транзисторы MOSFET с режимом увеличения мощности на N-канале

IXYSIXTP160N10TN-Channel Enhancement Mode 100V 160A Мощные транзисторы MOSFET

Описание продуктаIXTP160N10T
IXTP160N10Tэто N-Channel Enhancement Mode 100V 160A Мощные MOSFET транзисторы.

СпецификацияIXTP160N10T
Напряжение отхода к источнику (Vdss):100 V
Ток - непрерывный отток (Id) @ 25°C:160A (Tc)
Напряжение привода (максимальное включение, минимальное включение):10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7mOhm @ 25A, 10V
Vgs ((th) (Max) @ Id:4.5V @ 250μA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:132 nC @ 10 V
Vgs (макс.):±30В
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:6600 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (макс.): 430 Вт (Тц)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)

ОсобенностиIXTP160N10T
Ультранизкий уровень сопротивления
Ланча
Низкая индуктивность упаковки
Легко управлять и защищать
Операционная температура 175°C
Быстрый внутренний диод

ПреимуществаIXTP160N10T
Легко устанавливается
Экономия пространства
Высокая плотность мощности

ПрименениеIXTP160N10T
Автомобильная промышленность
Двигатели
42В силовой автобус
Системы ABS
Конвертеры постоянного тока/ постоянного тока и офлайн-УПС
Первичный переключатель для систем 24 и 48 В
Архитектуры распределенной энергетики и VRM
Системы электрического клапана
Приложения для переключения высокого тока
Высоковольтный синхронный приемник