Блог компании Долгосрочное предложение и обратный выкуп Infineon IQE046N08LM5: высокоэффективный MOSFET, разработанный специально для телекоммуникаций и серверов преобразователей постоянного тока в постоянный ток

Компания Mingjiada Electronics давно занимается поставками и закупкой бывших в употреблении устройств Infineon IQE046N08LM5. Это устройство специально оптимизировано для применения в преобразователях постоянного тока с высокой плотностью мощности в телекоммуникационном оборудовании и серверах центров обработки данных. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения дополнительной информации.

IQE046N08LM5 Обзор продукта

Устройство IQE046N08LM5 представляет собой N-канальный MOSFET-транзистор с логическим уровнем напряжения от Infineon из серии OptiMOS™ 5, оснащенный инновационным корпусом PQFN 3,3×3,3 Source-Down. Обеспечивая ведущее в отрасли сверхнизкое сопротивление во включенном состоянии (RDS(on)) при 25°C и исключительные тепловые характеристики, это устройство является идеальным выбором для импульсных источников питания (SMPS) с высокой плотностью мощности, особенно для применений в преобразователях постоянного тока в телекоммуникационном оборудовании и серверах центров обработки данных.

IQE046N08LM5 Ключевые технические преимущества

Революционная технология Source-Down

OptiMOS™ Source-Down использует внутреннюю технологию flip-chip на кремниевой основе, предлагая значительные преимущества по сравнению с традиционными корпусами: улучшенные тепловые характеристики, более высокую плотность мощности и большую гибкость при проектировании печатных плат. Такая конструкция сокращает путь отвода тепла от кристалла и снижает тепловое сопротивление, эффективно повышая надежность системы.

Сверхнизкое сопротивление во включенном состоянии

IQE046N08LM5 имеет максимальное сопротивление во включенном состоянии (RDS(on)) всего 4,6 мΩ при VGS = 10 В, что примерно на 30% меньше по сравнению с продуктами, использующими аналогичные технологии. Низкое сопротивление во включенном состоянии означает меньшие потери проводимости и снижение тепловыделения, что напрямую повышает эффективность преобразования мощности.

Логический уровень управления

Это устройство поддерживает управление на логическом уровне, позволяя использовать более низкие напряжения управления затвором (совместимо с управлением 4,5 В), что снижает заряды затвора Qrr и QOSS, а также упрощает выбор и проектирование драйвера затвора.

Оптимизированная параллельная конфигурация

Благодаря конструкции корпуса Center-Gate, это устройство специально оптимизировано для параллельной работы нескольких MOSFET-транзисторов, что упрощает параллельные конфигурации и улучшает распределение тока.

IQE046N08LM5 Ключевые параметры

Напряжение сток-исток (VDS): 80 В

Непрерывный ток стока (ID @25°C): 99 А

Пиковый ток стока (IDpuls): 396 А

Сопротивление во включенном состоянии RDS(on) (@10V, макс.): 4,6 мΩ

Сопротивление во включенном состоянии RDS(on) (@4,5V, макс.): 5,9 мΩ

Заряд затвора Qg (типичный @10V): 38 нКл

Заряд затвора Qg (@4,5V): 19 нКл

Рассеиваемая мощность (Ptot): 100 Вт

Диапазон рабочих температур: от -55°C до +175°C

Тип корпуса: PQFN 3,3×3,3 Source-Down

IQE046N08LM5 Ключевые области применения

Преобразователи постоянного тока для телекоммуникаций и серверов

IQE046N08LM5 специально разработан для высокопроизводительных продуктов SMPS и служит основным силовым устройством в модулях преобразователей постоянного тока для телекоммуникационного оборудования и серверов центров обработки данных. В связи с постоянным ростом энергопотребления для серверов с искусственным интеллектом и центров обработки данных (совокупный годовой темп роста источников питания для серверов с искусственным интеллектом достигает 18,8%) потребность в высокоэффективных MOSFET-транзисторах с высокой плотностью мощности становится все более острой.

Синхронное выпрямление

Это устройство оптимизировано для применений синхронного выпрямления в высокопроизводительных SMPS. Его низкое сопротивление во включенном состоянии и низкий заряд затвора позволяют эффективно снижать потери на выпрямление и повышать общую эффективность источника питания.

Почему стоит выбрать Mingjiada?

Компания Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. давно специализируется на поставках и переработке силовых полупроводниковых приборов. Для IQE046N08LM5 мы предлагаем:

Новые, оригинальные запасы: Обеспечение качества продукции и прослеживаемости

Долгосрочные, стабильные поставки: Удовлетворение потребностей в оптовых закупках и срочном пополнении запасов

Профессиональные услуги по переработке: Мы предлагаем долгосрочную переработку IQE046N08LM5 и аналогичных силовых устройств для заводов, научно-исследовательских институтов и конечных потребителей, предоставляя гибкие решения по управлению запасами.

Заключение

Благодаря технологии OptiMOS™ 5 и инновационному корпусу Source-Down, Infineon IQE046N08LM5 установил новый стандарт производительности в сегменте 80-вольтовых MOSFET-транзисторов. Независимо от того, используется ли он в преобразователях постоянного тока для телекоммуникаций или в силовых модулях серверов, он помогает инженерам достигать более высокой плотности мощности, снижать системные потери и оптимизировать тепловой дизайн.

Mingjiada Electronics поддерживает клиентов в быстром получении этого высокопроизводительного силового устройства благодаря своим высококачественным услугам цепочки поставок. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам по телефону или электронной почте для запросов, касающихся поставок и переработки.