Блог компании M

Серверы ИИ поддерживает второе поколение 750В CoolSiCTM MOSFET G2 Infineon; Mingjiada Electronics стремится приобрести следующие модели по премиальным ценам

Введение: С взрывом вычислительной мощности ИИ для мощных полупроводников появляются новые возможности

В результате быстрой итерации крупномасштабных моделей искусственного интеллекта и экспоненциального роста спроса на вычислительную мощность в центрах обработки данных,Потребление энергии серверов ИИ резко растетВыпуск мощности одного сервера ИИ вырос с традиционных нескольких сотен ватт до нескольких киловатт или даже выше, создавая беспрецедентные проблемы для плотности мощности,Эффективность преобразования и возможности управления тепловой энергией серверов.

Серия 750V CoolSiCTM MOSFET G2 второго поколения Infineon, использующая передовую в отрасли технологию траншей карбида кремния (SiC),предоставляет высокопроизводительные решения на основе полупроводников для серверов ИИКак специализированный дистрибьютор электронных компонентов, Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.Долгое время активно закупает оригинальный заводский запас этой серии по высоким ценам со всего мира., обеспечивая надежную поддержку цепочки поставок компонентов для цепочки промышленности серверов ИИ.

I. CoolSiCTM MOSFET G2: технология SiC второго поколения, адаптированная для серверов ИИ

Второе поколение 750V CoolSiCTM MOSFET Infineon® построено на более чем 20-летнем опыте в области карбида кремния.обеспечивает значительное улучшение по сравнению с предыдущим поколением G1 с точки зрения сопротивления при включении, переменные потери, тепловые характеристики и надежность.

Ключевые преимущества

1. Ультранизкое сопротивление включению (RDS(включено))

CoolSiCTM MOSFET 750V G2 предлагает сверхнизкое сопротивление на уровне 4 мΩ, значительно снижая потери проводимости и повышая эффективность преобразования мощности.Его ведущие в отрасли RDS ((on) × Qfr и отличные RDS ((on) × Qoss эффективно снижают потери переключения как в топологии жесткого переключения, так и в топологии мягкого переключения.

2Высокая производительность переключения

По сравнению с предыдущим поколением, CoolSiCTM MOSFET второго поколения обеспечивают увеличение скорости переключения на 25% - 30% и сокращение потерь переключения на 30% - 40%.Показатель заслуг (FOM) улучшился на 20% - 35% по сравнению с предыдущим поколением.

3Выдающаяся устойчивость к паразитарному воздействию

Эта серия сочетает в себе высокое пороговое напряжение VGS ((th) (обычно 4,5 V при 25 °C) с чрезвычайно низким соотношением QGD/QGS,повышение иммунитета к паразитическому включению (PTO) и обеспечение надежной работы в сложных условиях эксплуатации.

4. Расширенные возможности управления шлюзами

Поддержка статического напряжения врат до 7 В и транзиторного напряжения врат до 11 В обеспечивает инженерам большую возможность проектирования.

5Выдающаяся тепловая производительность

Он оснащен инновационным комплектом Q-DPAK с верхним охлаждением и обеспечивает отличную тепловую производительность и надежность с мощностью рассеивания энергии до примерно 20 Вт.Улучшенные тепловые характеристики поддерживают рабочие температуры до 200 °C.

6. Высокая надежность

100% испытания на лавины

Полностью соответствует автомобильному стандарту AEC Q101 и промышленному стандарту JEDEC

Использует технологию диффузионного связывания.XT компании Infineon

Основные технические спецификации

Напряжение отключения от источника водоотведения: 750 В

Диапазон сопротивления при включении: от 4 до 78 мΩ

Непрерывный отводный ток: от 29 до 357 А

Пороговое напряжение (типичное): 4,5 В @ 25 °С

Диапазон температуры работы: от -55 до 175 °C

II. Расширение возможностей серверов ИИ: идеальный выбор для источников питания с высокой плотностью мощности

Электрические источники питания серверов ИИ (SMPS) предъявляют чрезвычайно высокие требования к плотности и эффективности питания.Второе поколение 750V CoolSiCTM MOSFET G2 обеспечивает выдающуюся производительность в топологиях с жестким переключением, таких как тотем-полюс, активный нейтральный зажим (ANPC), Венский выпрямитель и конденсатор поперечного перемещения (FCC).значительное снижение выходной емкости (Coss) позволяет работать с переключением на более высокой частоте в топологиях мягкого переключения, таких как CLLC, двойной активный мост (DAB) и LLC.

Эта серия широко используется в:

АС-серверные энергоблоки (PSU)

Преобразование мощности переменного тока в постоянный ток для телекоммуникационной инфраструктуры

Инверторы фотоэлектрические

Инфраструктура зарядки электромобилей

Системы бесперебойного питания (UPS)

Системы хранения энергии (ESS)

III. Mingjiada Electronics стремится приобрести по премиальным ценам: полный спектр моделей CoolSiCTM MOSFET G2 750V

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., как всемирно известный авторизованный независимый дистрибьютор электронных компонентов,стремится приобрести оригинальный запас серии 750V CoolSiCTM MOSFET G2 второго поколения Infineon на долгосрочной основе по высоким ценам со всего мира..

Список моделей

Mingjiada Electronics в настоящее время стремится приобрести следующие модели CoolSiCTM MOSFET G2 750V промышленного и автомобильного класса по всему миру:

Пакет Q-DPAK автомобильного класса:

AIMDQ75R016M2H

AIMDQ75R025M2H

AIMDQ75R060M2H

Промышленные упаковки Q-DPAK:

IMDQ75R004M2H

IMDQ75R007M2H

IMDQ75R016M2H

IMDQ75R025M2H

IMDQ75R060M2H

Дальнейшие расширенные модели

Кроме того, серия Infineon CoolSiCTM MOSFET 750V G2 также предлагает продукты в 7-прикольных пакетах D2PAK с сопротивлениями включения от 7, 25, 33, 40, 50 до 60 мΩ,а также пакеты Q-DPAK, охватывающие 4, 7, 20, 33, 40 и 50 мΩ. Релевантные модели включают, но не ограничиваются:

IMBG75R025M2H (D2PAK-7, 25 mΩ, промышленный класс)

IMBG75R007M2H (D2PAK-7, 7 мΩ)

Mingjiada Electronics также стремится приобрести весь ассортимент вышеуказанных продуктов, а также другие серии продуктов Infineon CoolSiCTM, такие как силовые модули и диоды карбида кремния,на долгосрочной основе.

Заключение

Второе поколение Infineon 750V CoolSiCTM MOSFET G2, с его выдающимися характеристиками, становится основным устройством питания в таких секторах, как источники питания серверов ИИ,зарядка электромобилей и возобновляемая энергияMingjiada Electronics постоянно стремится приобрести весь спектр вышеуказанных моделей по конкурентоспособным ценам у поставщиков по всему миру;Клиенты с запасами рады связаться с нами в любое время, чтобы обсудить возможности.

Свяжитесь с нами

Телефон: +86 13410018555

Электронная почта: sales@hkmjd.com

Адрес: Комнаты 12391241, здание Гуоли, улица Чжэнчжун, район Футиань, Шэньчжэнь