С взрывным ростом энергопотребления, обусловленным большими моделями ИИ и высокопроизводительными серверами, серверные энергоблоки (ЭББ) развиваются в направлении сверхвысокой эффективности,высокая частота переключения и высокая плотность мощностиБлагодаря его превосходным характеристикам переключения и стабильности при высоких температурах,Второе поколение 750V CoolSiCTM MOSFET G2 серии Infineon® (IMBG75R) стало основным устройством питания для следующего поколения систем питания серверов ИИ.
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.поддерживает долгосрочные запасы оригинальных MOSFET карбида кремния Infineon IMBG75R для всего ассортимента продукции.Компания также предлагает премиальные цены для выкупа излишков и устаревших запасов из этой серии во всех отраслях., предоставляя высококачественные услуги по поставке компонентов и оптимизации запасов для клиентов в секторе серверов ИИ, центров обработки данных, промышленного энергоснабжения и новых энергетических отраслей.
I. Полный перечень моделей серии IMBG75R (предложение и обратный выкуп)
Серия IMBG75R использует пакет PG-TO263-7 (D2PAK-7) для установки на поверхности с интегрированным независимым пином источника (источник Кельвина),охватывающий диапазон сопротивления включения (RDS ((on)) от 7 мΩ до 60 мΩ для конструкций источников питания различных номиналов мощностиПолный список моделей включает:
IMBG75R033M2H
II. Основные технические характеристики
Эта серия основана на технологиях второго поколения CoolSiCTM из карбида кремния.который обеспечивает улучшение ключевых показателей показателя заслуг (FOM) на 20% - 35% по сравнению с предыдущим поколением, предлагающие следующие существенные преимущества:
Ультранизкие потери переключения: ведущие в отрасли RDS ((on) × Qfr, RDS ((on) × Qoss и RDS ((on) × QG параметры значительно снижают потери мощности как в топологии жесткого переключения, так и в топологии мягкого переключения,Помощь системам электроснабжения в достижении эффективности, превышающей 97%.
Высокая прочность и надежность: 100% соответствие испытанию лавины, способность выдерживать высоковольтное напряжение в условиях резистора более 500 В и эффективное сопротивление паразитическим эффектам проводимости.
Отличная тепловая производительность: используя патентованный процесс диффузионного связывания.XT Infineon, он обеспечивает отличное рассеивание тепла.с максимальной рабочей температурой соединения 175 °C (до 200 °C для некоторых моделей) и чрезвычайно низким тепловым сопротивлением.
Упрощенная конструкция драйвера: низкое соотношение Crss/Ciss в сочетании с высоким пороговым напряжением шлюза VGS ((th) поддерживает однополярное управление шлюзами (0 V отключения), уменьшая сложность схемы драйвера;независимые пины источника привода улучшают совместное использование тока в параллельных конфигурациях с высокой мощностью для нескольких устройств.
III. Типичные приложения: серверы ИИ и центры обработки данных
Серия IMBG75R специально разработана для высокочастотных, высоковольтных и высокомощных приложений питания, основным направлением применения которых являются серверы ИИ:
источники питания серверов ИИ (PSU): тотемно-полярные схемы усиления PFC и LLC/CLLC резонансные преобразователи DC-DC,удовлетворяющие требованиям к мгновенному питанию высоким током высокопроизводительных графических процессоров (например, NVIDIA H100 и B200).
Архитектура питания центра обработки данных: трехфазные высоковольтные серверные источники питания и преобразование высокого/низкого напряжения в постоянный ток, что помогает снизить показатель энергопотребления PUE в центрах обработки данных.
Хранение энергии и резервная мощность: преобразователи для хранения энергии в центрах обработки данных (PCS) и системы хранения энергии в аккумуляторах (BESS).
Другие промышленные применения: фотоэлектрические инверторы, коммерческое и промышленное хранение энергии, модули питания станций зарядки постоянного тока, высокопроизводительные системы UPS, твердотельные выключатели (SSCB) и т.д.
IV. Обязательства Минцзяда в обслуживании
Немедленная доступность: охватывает всю серию IMBG75R; подлинные, оригинальные продукты; поддерживает как образцы, так и оптовые поставки.
Долгосрочный обратный выкуп: мы предлагаем выкуп избыточного запаса для этой серии и аналогичных Infineon CoolSiCTM MOSFET от производителей, поставщиков решений и контрактных производителей.предоставление профессиональной оценки и гибких условий расчетов.
Пожалуйста, свяжитесь с Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. для получения свежих списков запасов, котировок или запросов относительно соглашений о выкупе.
Если вы заинтересованы, пожалуйста, свяжитесь с господином Ченом по телефону:
Мобильный: +86 13410018555
Электронная почта: sales@hkmjd.com
Сайт:https://www.integrated-ic.com/
Адрес: Комнаты 12391241, здание Гуоли, улица Чжэнчжун, район Футиань, Шэньчжэнь
Контактное лицо: Mr. Sales Manager
Телефон: 86-13410018555
Факс: 86-0755-83957753