Блог компании Mingjiada Electronics поставляет Infineon IRF6894MTRPBF: 25В N-канальный HEXFET MOSFET, 1,3 мОм сверхнизкое сопротивление

Компания Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. обеспечивает долгосрочные и стабильные поставки IRF6894MTRPBF высокопроизводительного N-канального силового MOSFET HEXFET.

IRF6894MTRPBF Обзор продукта
IRF6894MTRPBF - это высокопроизводительный N-канальный MOSFET, представленный компанией Infineon Technologies. Это силовое устройство, модель IRF6894MTRPBF, использует передовую технологию HEXFET для обеспечения выдающихся электрических характеристик.

Являясь ключевым продуктом в портфеле Mingjiada Electronics, IRF6894MTRPBF получил широкое признание на рынке благодаря сверхнизкому сопротивлению открытого канала 1,3 мΩ. С рейтингом напряжения сток-исток 25 В, он является идеальным выбором для применений со средним и низким напряжением. IRF6894MTRPBF использует корпус DirectFET MX. Эта уникальная конструкция корпуса не только улучшает тепловые характеристики, но и уменьшает занимаемую площадь на печатной плате.

Основные технические характеристики IRF6894MTRPBF включают:
• Напряжение сток-исток (Vdss): 25 В
• Непрерывный ток стока (Id): 32A (Ta), 160A (Tc)
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 1,3 мΩ при 33A, 10 В
• Напряжение управления затвором: от 4,5 В до 10 В
• Диапазон рабочих температур: от -40°C до 150°C (TJ)
• Тип корпуса: DirectFET™ MX для поверхностного монтажа

Подробные технические характеристики
Производитель: Infineon Technologies
Номер детали: IRF6894MTRPBF
Тип устройства: N-канальный силовой MOSFET
Технологическая платформа: HEXFET®, DirectFET™
Напряжение пробоя (V_DSS): 25 В (минимальное)
Сопротивление открытого канала (R_DS(on)): 1,3 мΩ при V_GS=10 В, I_D=20A (типичное)
Непрерывный ток стока (I_D): 200A при T_C=100°C, 320A при T_C=25°C
Импульсный ток стока (I_DM): 750A при T_pulse=10μs, V_GS=10 В
Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 1,6 В ~ 2,5 В (типичное 2,0 В)
Напряжение управления затвором (V_GS): Рекомендуется +10 В, Максимум ±20 В
Общий заряд затвора (Q_g): 26 нКл при V_GS=0 В~10 В
Заряд затвор-исток (Q_gs): 12 нКл
Заряд затвор-сток (Q_gd): 6 нКл
Входная емкость (C_iss): 6800 пФ при V_DS=12,5 В
Выходная емкость (C_oss): 1800 пФ при V_DS=12,5 В
Емкость обратной передачи (C_rss): 360 пФ
Заряд обратного восстановления (Q_rr): 120 нКл (типичное)
Энергия лавины (E_AS): 600 мДж (одиночный импульс)
Ток лавины (I_AR): 200A
Рабочая температура: от -55°C до +175°C (температура перехода)
Тип корпуса: DirectFET™ Medium Can
Размеры корпуса: 7,0 мм × 6,0 мм × 0,7 мм
Количество контактов: 7+1 (7 функциональных контактов + 1 теплоотвод)
Тепловое сопротивление (R_thJC): 0,5°C/Вт (снизу) + 1,2°C/Вт (сверху)
AEC-Q101: Прошел Grade 0
Рейтинг ESD: HBM Class 1C (1000 В~2000 В)
Статус RoHS: Соответствует RoHS3, без Pb
Без галогенов: Да

IRF6894MTRPBF Особенности продукта:
Использует кремниевую технологию следующего поколения IR
Обеспечивает оптимальную эффективность для синхронных понижающих преобразователей с входным напряжением 12 В

IRF6894MTRPBF Применение:
Серверы следующего поколения, настольные компьютеры и ноутбуки

Информация о покупке
Номер детали: IRF6894MTRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Тип устройства: N-канальный HEXFET MOSFET
Технологическая платформа: DirectFET™ Medium Can
AEC-Q101: Прошел Grade 0
Статус RoHS: Соответствует RoHS3, без Pb
Минимальный объем заказа: Гибкая поддержка, доступны образцы
Наличие: В наличии, отгрузка в тот же день
Диапазон цен: Многоуровневое ценообразование в зависимости от объема покупки

Для запросов или потребностей в покупке IRF6894MTRPBF, пожалуйста, свяжитесь с нами в любое время:
Телефон: +86 13410018555
Электронная почта: sales@hkmjd.com
Домашняя страница: https://www.integrated-ic.com/