Блог компании Mingjiada Крупная поставка кремниевых карбидных MOSFET-транзисторов Infineon IMZC120R007: 1200 В/7 мОм, корпус TO-247-4, наличие на складе в Шэньчжэне

ООО «Шэньчжэнь Минцзяда Электроникс» (Mingjiada Electronics), как профессиональный дистрибьютор электронных компонентов на складе, давно поставляет оригинальные кремниево-карбидные (SiC) MOSFET-транзисторы серии CoolSiC™ от Infineon. Среди них, IMZC120R007 (полный номер модели: IMZC120R007M2H) является одним из флагманских продуктов платформы кремниево-карбидных технологий второго поколения CoolSiC™ от Infineon. Mingjiada поддерживает постоянный запас на складе в Шэньчжэне, обеспечивая быструю доставку как мелкосерийных образцов, так и крупносерийного производства, предоставляя клиентам эффективные и надежные решения в области силовых полупроводников.

I. Обзор продукта

IMZC120R007 — это кремниево-карбидный (SiC) силовой MOSFET-транзистор на 1200 В, выпущенный компанией Infineon Technologies, относящийся к серии CoolSiC™ G2 (второго поколения). Используя передовую технологию траншейных затворов и опираясь на обширный опыт Infineon в области SiC, это устройство обеспечивает чрезвычайно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и сверхвысокую скорость переключения, а также превосходную стабильность и надежность при высоких температурах.

Эта модель использует корпус TO-247-4 (четырехвыводной Кельвин-источник), который по сравнению с традиционными трехвыводными корпусами значительно снижает индуктивность общего истока в цепи управления, заметно улучшает характеристики переключения и снижает потери при переключении, что делает его особенно подходящим для высокочастотных, высокоэффективных приложений преобразования мощности. Используя свою глобальную сеть закупок и дистрибьюторский центр в Шэньчжэне, Mingjiada Electronics обеспечивает наличие оригинальных устройств IMZC120R007 на складе для удовлетворения потребностей различных промышленных и автомобильных применений.

II. Ключевые особенности и преимущества

Сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии: Типичное значение 7 мОм (RDS(on)), максимальное 9 мОм (при 25°C), что значительно снижает потери проводимости и повышает эффективность системы

Высокое напряжение пробоя: 1200 В VDS, соответствует требованиям высоковольтных шин и подходит для электромобилей на 800 В и фотоэлектрических систем

Низкие потери при переключении: Благодаря превосходным высокочастотным характеристикам SiC материала, потери при переключении значительно ниже, чем у кремниевых IGBT с эквивалентными характеристиками, что позволяет использовать более высокие частоты переключения (до нескольких сотен кГц) и уменьшать размеры пассивных компонентов

Широкий диапазон рабочих температур: Температура перехода до 175°C, что соответствует требованиям долговременной надежности в суровых условиях

Корпус TO-247-4: Вывод Кельвин-источника устраняет индуктивность общего истока в цепи управления, обеспечивая более быстрые переходные процессы переключения и меньшие колебания, тем самым повышая надежность управления затвором

Интегрированный диод корпуса: Обладает низким зарядом обратного восстановления (Qrr), что обеспечивает безызбыточную обратную проводимость без необходимости использования внешнего диода свободной коммутации (подходит для топологий синхронного выпрямления)

Высокое сопротивление лавины: Обеспечивает высокую устойчивость к лавине, повышая надежность системы

Совместимость со стандартными напряжениями управления затвором: Поддерживает управление затвором от 0 В до 18 В (рекомендуемое напряжение включения — 15 В), обеспечивая совместимость с существующими драйверами

Соответствует автомобильному стандарту AEC-Q101 (для моделей автомобильного класса) или соответствует требованиям надежности для промышленных применений

III. Подробные спецификации

Ниже приведены ключевые технические характеристики IMZC120R007 (IMZC120R007M2H):

Тип продукта: Кремниево-карбидный MOSFET

Корпус / Оболочка: PG-TO247-4-U07

Количество каналов: 1 канал

Vds — Напряжение пробоя сток-исток: 1,2 кВ

Id — Непрерывный ток стока: 201 А

Rds On — Сопротивление сток-исток во включенном состоянии: 20 мОм

Vgs — Напряжение затвор-исток: -10 В, +25 В

Vgs th — Пороговое напряжение затвор-исток: 5,1 В

Qg — Заряд затвора: 176 нКл

Минимальная рабочая температура: -55 °C

Максимальная рабочая температура: +175 °C

Pd — Рассеиваемая мощность: 711 Вт

Торговая марка: CoolSiC

Конфигурация: Enhancement

Время спада: 33,6 нс

Прямая крутизна — Минимум: 60 С

Время нарастания: 21,5 нс

Серия: CoolSiC G2

Полярность транзистора: N-канал

Тип транзистора: 1 N-канал

Тип: SiC MOSFET

Типичная задержка выключения: 76,3 нс

Типичная задержка включения: 32,4 нс

IV. Типичные области применения

Благодаря своей выдающейся производительности 1200 В/7 мОм, IMZC120R007 подходит для систем преобразования мощности с чрезвычайно высокими требованиями к эффективности, плотности мощности и надежности, в частности, включая:

Зарядные станции для электромобилей: PFC и DC-DC ступени в модулях быстрой зарядки постоянным током, обеспечивающие высокоэффективные конструкции с высокой плотностью мощности

Инверторы PV: MPPT и инверторные ступени в сетевых инверторах, повышающие эффективность системы и уменьшающие размер

Системы накопления энергии (ESS): Двунаправленные DC-DC преобразователи, обеспечивающие эффективное преобразование энергии

Промышленные источники питания: Высокомощные импульсные источники питания, такие как серверные источники питания, телекоммуникационные источники питания и источники питания для гальванических покрытий

Бортовые зарядные устройства (OBC) и DC-DC преобразователи (соответствующие требованиям надежности автомобильного класса)

Тяговые инверторы (вспомогательные или основные приводы, требующие соответствия AEC-Q101)

Источники бесперебойного питания (ИБП) и активные фильтры мощности (APF)

V. Поставка и услуги

Mingjiada Electronics в течение длительного времени поставляет большие объемы кремниево-карбидных MOSFET-транзисторов Infineon IMZC120R007. Наш склад в Шэньчжэне поддерживает постоянный запас этих продуктов. Мы гарантируем 100% подлинные, оригинальные продукты и предоставляем следующие услуги:

Гибкие закупки: Поддерживаются как мелкосерийные закупки образцов, так и крупносерийные производственные заказы

Быстрая доставка: В наличии на складе в Шэньчжэне; отправка в течение 24 часов после размещения заказа

Глобальная логистика: Используя наши складские сети в Гонконге и Шэньчжэне, мы поддерживаем внутренние и международные перевозки

Для получения самой актуальной информации о наличии, ценах или для запроса коммерческого предложения, пожалуйста, посетите веб-сайт Mingjiada Electronics (www.hkmjd.com) или свяжитесь с нашей командой продаж.

Контактная информация:

Мобильный: +86 13410018555

Электронная почта: sales@hkmjd.com

Адрес: Комнаты 1239-1241, Здание Гуоли, улица Чжэньчжун, район Футянь, Шэньчжэнь, провинция Гуандун

Теги: IMZC120R007M2H, IMZC120R007M2, IMZC120R007M, IMZC120R007