Блог компании Mingjiada Recycle Memory IC Chips, Recycle NAND Flash, NOR Flash, SRAM Memory, DRAM Memory (Восстановление памяти с помощью микросхем, NAND Flash, NOR Flash, SRAM Memory, DRAM Memory)

Mingjiada Recycle Memory IC Chips, Recycle NAND Flash, NOR Flash, SRAM Memory, DRAM Memory (Восстановление памяти с помощью микросхем, NAND Flash, NOR Flash, SRAM Memory, DRAM Memory)

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.¢Долгосрочная переработка Infineon (Infineon), Micron (Micron), SAMSUNG (Samsung) и других марок полного спектра памяти, включая: NAND Flash (Flash) память, NOR Flash (Flash) память, SRAM память,DRAM (Dynamic Random Access Memory), ферроэлектрическая память (F-RAM) и другие продукты.

Классификация и типичные модели памяти (Infineon, Micron, SAMSUNG), которые Минцзяда фокусирует на переработке:

I. NAND Flash

1Сэмсунг:

eMMC: KLMAG2JETD-B041, KLMCG8JETD-B041, KLMAG1JETD-B041

UFS: KLUDG4U1EA-B0C1, KLUEG8UHDB-C2D1, KLUFG8RHDA-B2D1 NAND: KY7C10612DV33-10ZSXI (совместимая с асинхронной SRAM), CY62167EV30LL-45ZXI B2D1

NAND: K9F1G08U0D (SLC), K9F4G08U0D (MLC), K9GBGD8U0A (TLC)

2Микрон:

eMMC: MTFC64GAPALBH-IT, MTFDDAK064MAM-1K12

UFS: MT128GAKAECN-IT, MT256GAKAEECN-IT

NAND: MT29F1G08ABAEAWP (SLC), MT29F256G08C08C08EWP (SLC), K9F4G08U0D (MLC), K9GBGD8U0A (TLC), MT29F256G08CUCAB (MLC), MT29F1T08EMHAF (TLC)

3Инфинион:

SLC NAND: S34ML01G100TFI000, S34ML02G100TFI000, S34ML04G100TFI000 (промышленный класс/высокая надежность)

II. НО Вспышка

Инфинион:

Серийный (SPI) NOR: S25FL128SAGNFI000, S25FL256SAGNFI000, S25FL512SAGBHIFI0

Параллельный NOR: S29GL01GP10TFI010, S29GL512P11TFI010, S29GL512P11TFI010 (промышленный класс/высокая надежность).

Автомобильная серия S25FL-A (например, S25FL256LAGNFI000), серия S26KS (HyperFlash)

III. SRAM и другие специальные памяти

Инфинион:

Асинхронная SRAM: CY62167EV30LL-45ZXI, CY62148ELL-45ZSXI

Синхронная SRAM (QDR II+/IV, DDR II/III): CY7C15632KV18-550BZI (QDR IV), CY7C1515KV18-550BZC (DDR III) Неплавная SRAM (nvSRAM): CY14B101PA-SFXI,CY14E101LA-SFXI (DDR III) CY7C1515KV18-550BZC (DDR III)

Нелетающая SRAM (nvSRAM): CY14B101PA-SFXI, CY14E101LA-SFXI

Ферроэлектрическая память (FRAM): FM25V20A-G, FM28V020-SG

IV. DRAM (динамическая память случайного доступа)

1Сэмсунг:

DDR4: K4A8G165WC-BCTD, K4AAG165WA-BCTD, K4A4G165WF-BCTD, M393A4K40BB M393A4K40BB1-CRC

DDR3: K4B4G1646E-BCMA, K4B2G1646Q-BCK0

LPDDR4/LPDDR4X: K4U6E3S4AA-MGCL, K3LKBKB0BM-MGCP, K3UH7H7HMMDGLPD

GDDR6: K4ZAF325BM -HC14 (память)

2Микрон:

DDR4: MT40A1G8SA-062E:R, MT40A2G8VA-062E:R, MT40A512M16LY-062E:R

DDR3: MT41K512M8DA-107:AUT, MT41J256M16HA-125:E

В случае, если вы не можете получить разрешение на использование данного оборудования, вы можете отказаться от его использования в случае, если вы не можете получить разрешение на его использование.

3Инфинион:

DRAM: CY7C10612DV33-10ZSXI (совместимая с асинхронной SRAM), CY62167EV30LL-45ZXI

Формальные источники: Mingjiada Electronics перерабатывает только формальные источники, такие как агенты, трейдеры, фабрики терминалов и т. Д. Мы не принимаем неформальные источники.

Особенности обслуживания: Mingjiada Electronics предоставляет различные услуги, такие как продажи, отгрузка, очистка и т. Д. У нас богатый опыт в области переработки, сильная сила, обильные средства,и разумные цены на переработку.

Если у вас есть запас памяти или других электронных компонентов, пожалуйста, посетите официальный сайт Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) для деталей по переработке.