Блог компании Mingjiada поставляет полный ассортимент GaN HEMT (нитрид галлия) транзисторов Infineon — модели CoolGaN — в наличии

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.является профессиональным поставщиком транзисторов Infineon GaN HEMT, предлагая новые оригинальные транзисторы GaN HEMT серии Infineon CoolGaNTM.Наш ассортимент продукции охватывает полный диапазон напряжения от 40V до 850V, включая серию среднего напряжения G3, серию высокого напряжения G5, двунаправленные коммутаторы (BDS) и устройства автомобильного класса,предоставление единой поддержки в закупке электроприборов GaN для клиентов в области быстрой зарядки, центры обработки данных, фотоэлектрические инверторы, новые энергетические транспортные средства и промышленные источники питания.

I. Серия продуктов Core Infineon GaN HEMT, поставляемая Mingjiada

CoolGaNTM от Infineon является одним из немногих портфелей продуктов GaN HEMT в отрасли, который охватывает как среднее/низкое напряжение, так и высокое напряжение, предлагая при этом варианты автомобильного класса.Mingjiada поддерживает запасы следующих серий и поддерживает запросы на небольшие партии образцов и поставки для массового производства..

1Серия высокого напряжения CoolGaNTM G5 (650V/700V)

Основанная на технологии Gate Injection Transistor (GIT), серия G5 предназначена для высоковольтных приложений в промышленном и новом секторе энергетики.Он обеспечивает повышение эффективности на 3%% по сравнению с традиционными решениями на основе кремния и поддерживает высокочастотный коммутатор на уровне МГц.Согласно официальным данным Infineon, продукты 650V G5 имеют сопротивления включения от 25 мΩ до 140 мΩ и максимальный непрерывный ток оттока до 70 А. Варианты пакета включают TOLL,TOLT, DSO TSC, DFN 8×8 и ThinPAK 5×6.

Mingjiada имеет на складе следующие репрезентативные модели G5:

Ключевые параметры пакета моделей

IGT65R025D2 TOLL 650V / 70A / 25mΩ

IGT65R035D2 TOLL 650V / 49A / 35mΩ

IGT65R045D2 TOLL 650V / 38A / 45mΩ

IGT65R140D2 TOLL 650V / 13A / 140mΩ

IGLD65R055D2 DFN 8×8 650В / 28А / 55mΩ

2. CoolGaNTM 600V Серия промышленного класса (e-mode HEMT)

GaN HEMT 600V в электронном режиме - это высокопроизводительная линейка продуктов Mingjiada для источников питания центров обработки данных, серверов SMPS, телекоммуникационных выпрямителей и приложений беспроводной зарядки.Эта серия имеет усовершенствованную (обычно отключенную) структуру без обратного восстановления, время подъема до 9 нс, время падения до 13 нс и температурный диапазон рабочего раздела от -55 °C до +150 °C.

К представительным моделям Mingjiada в серии 600 В относятся:

IGO60R070D1: 600V / 31A / 70mΩ, пакет DSO-20, подходящий для жесткого переключения и мягкого переключения полумостовых топологий, таких как тотемный полюс PFC и высокочастотный LLC.

IGOT60R070D1: Комплекс DSO-20 с максимальным охлаждением, подходящий для конструкций теплового управления с высокой плотностью мощности.

IGLD60R070D1: пакет LSON-8, предназначенный для компактных адаптеров и быстрой зарядки.

IGT60R190D1: пакет HSOF-8, 190 mΩ, подходящий для среднемощных промышленных источников питания.

IGLR60R340D1: номиналом 340 мΩ, подходит для затратно-чувствительных вспомогательных источников питания и низкомощных приложений.

IGLR60R260D1: 600В GaN HEMT в электронном режиме, предназначенный для высокочастотного, высокоэффективного преобразования.

IGI60F1414A1L: 600V CoolGaNTM интеллектуальная силовая ступень с интегрированным драйвером шлюза, 140 мΩ, QFN-28 8 × 8 мм пакет, упрощающий конструкцию системы и схемы защиты.

3. CoolGaNTM G3 серия среднего напряжения (40V ≈ 120V)

Серия G3 предназначена для среднего и низкого напряжения, таких как автомобильные системы 48 В, быстрая зарядка USB-C, двигатели и телекоммуникационные источники питания.3 пакет совместим с макет MOSFET на основе кремнияМодели 40В двунаправленного коммутатора (BDS) могут заменить традиционные MOSFET, экономия 50% ~ 75% на площади PCB.

Представительная модель: IGO60R070D1 (также перечислена для применения двунаправленных выключателей низкого и среднего напряжения); для полной таблицы выбора конкретных моделей G3 40V/100V:Пожалуйста, свяжитесь с командой продаж Минцзяда..

4. CoolGaNTM Бидирекционный переключатель (BDS) ¢ одночиповая бидирекционная проводность/блокировка

CoolGaNTM BDS от Infineon является первым в отрасли одночиповым, интегрированным двунаправленным устройством GaN с режимом улучшения.Он заменяет традиционную архитектуру двунаправленного переключателя с параллельным использованием четырех устройств одним устройством, значительно сокращая расходы на материалы и ПХБ.

Представительные модели, предоставленные Mingjiada:

IGLT65R055B2: 650V высоковольтный BDS промышленного класса в комплекте TOLT (Top-Out-Through), с защитой от перенапряжения 850V; подходит для двухнаправленных зарядных станций, ПКС для хранения энергии,печатные устройства, и двунаправленные преобразователи DC-DC.

IGK080B041S: 40V низковольтный универсальный BDS в пакете в масштабе чипа, предназначенный для миниатюрных двухнаправленных переключателей в автомобильной и потребительской электронике.

5Серия CoolGaNTM автомобильного класса (100V/600V, AEC-Q101)

Infineon представила сертифицированные AEC-Q101 GaN HEMT для автомобильных 48V систем и бортовой зарядки.основные преобразователи постоянного тока, высокопроизводительные вспомогательные системы и аудиоусилители класса D; он также поставляет 600-вольтные GaN HEMT в электронном режиме, которые соответствуют автомобильным стандартам (например, IGOT60R070D1AU, IGO60R070D1AU и т. Д.).

II. Почему Mingjiada выбирает Infineon GaN HEMT

Все продукты Infineon CoolGaNTM в Mingjiada поставляются непосредственно от производителя или от авторизованных поставщиков, гарантируя отсутствие обновленных или свободных новых деталей..Каждый чип проходит проверку качества, чтобы гарантировать долгосрочную надежность силовых устройств.

Координированные операции на двух складах в Шэньчжэне и Гонконге поддерживают стратегический запас безопасности для популярных моделей CoolGaNTM.Внутренние поставки отправляются в течение 48 часов, поддерживая гибкое переключение между образцами НИОКР и заказами на серийное производство, что значительно сокращает время выхода на рынок клиентов.

Конкурентоспособность в цене, обусловленная объемными закупками, используя наше глубокое партнерство с Infineon и преимущества оптовых закупок,Mingjiada предлагает услуги по ценообразованию и долгосрочному ценообразованию, чтобы помочь клиентам контролировать затраты на BOM во время реализации решения GaN.

III. Типичные сценарии применения

CoolGaNTM GaN HEMT Infineon уже были приняты клиентской базой Mingjiada в следующих основных сценариях:

Быстрая зарядка и адаптеры: устройства среднего напряжения 600В и G3 используются в высокочастотных питательных источниках QR flyback, PFC с тотемным полюсом и USB-C PD, что позволяет создавать компактные конструкции с высокой плотностью питания.

Источники питания для центров обработки данных и серверов: серия 650V G5 используется в SMPS серверов с титановым разрешением и распределении высоковольтного постоянного тока,с потерями переключения значительно ниже, чем у MOSFET с суперсоединением на основе кремния.

PV-инверторы и хранилища энергии: устройства G5 650V используются в стадии DC-AC струнных инверторов и ПЦС для хранения энергии, повышая эффективность до более чем 98%.

Новые энергетические транспортные средства: GaN автомобильного класса 100V/600V используется в OBC, преобразователях постоянного тока и 48V зональных контроллерах, отвечающих требованиям надежности AEC-Q101.

Промышленные двигатели и твердотельные выключатели: двунаправленные коммутаторы BDS используются для управления двигателем вперед/назад, твердотельных реле и двунаправленного преобразования мощности,упрощение топологии с помощью архитектуры с одним чипом.

IV. Свяжитесь с Минджиадой для выбора и предложения GaN HEMT

Для проверки текущего наличия запасов для вышеуказанных моделей, получения полной таблицы выбора или запроса бесплатных образцов, пожалуйста, свяжитесь с Mingjiada Electronics:

Контакт: г-н Чэнь

Телефон / WeChat: +86 0755-83294757 / 13410018555

Электронная почта: sales@hkmjd.com

Адрес: Комнаты 1239 ′′ 1241, здание New Asia Guoli, улица Чжэнчжун, район Футиань, Шэньчжэнь, провинция Гуандун

Mingjiada также поставляет GaN-специфические драйверы ворот Infineon (например, серию GaN EiceDRIVER TM) и SiC MOSFET, поддерживающие односторонний заказ гибридных решений GaN + SiC.