Блог компании Mingjiada Supply Модуль питания Infineon CoolSiC™ MOSFET, поставка модуля CIPOS™ Prime CoolSiC™ MOSFET

Mingjiada Supply Модуль питания Infineon CoolSiC™ MOSFET, поставка модуля CIPOS™ Prime CoolSiC™ MOSFET

В области транспортных средств на новой энергии, фотоэлектрических накопителей энергии и промышленных источников питания технология карбида кремния (SiC) стала ключевым фактором модернизации силовых электронных систем благодаря своим основным преимуществам, таким как низкие потери, высокочастотная работа и устойчивость к высоким температурам.Шэньчжэньская компания электроники Mingjiada, Ltd.уже давно является поставщиком полного спектра модулей Infineon CIPOS™ Prime CoolSiC™ MOSFET. Имея на складе все основные модели, мы поддерживаем как небольшие партии образцов, так и заказы больших объемов, а также полагаемся на эффективную систему логистики, обеспечивающую быструю доставку продукции.

Infineon – модули CIPOS™ Prime CoolSiC™ MOSFET
Серия Infineon CIPOS™ Prime включает силовые модули из карбида кремния, специально разработанные для высоковольтных и высокоэффективных приложений в автомобильной и промышленной сфере. Объединяя последнее поколение микросхем CoolSiC™ MOSFET с оптимизированной технологией упаковки, эти модули сочетают в себе высокую производительность, высокую степень интеграции и высокую надежность, что делает их предпочтительным выбором для бортовых зарядных устройств (OBC) мощностью 6,6–44 кВт, высоковольтных преобразователей постоянного тока в постоянный, промышленных приводов двигателей и новых зарядных станций.

Ключевые особенности:
Сертификация высокой надежности автомобильного уровня: двойная сертификация по AEC-Q101 и AQG324, соответствует строгим требованиям к температурному циклированию, вибрации и долгосрочной стабильности в суровых условиях эксплуатации автомобиля. Диапазон температур рабочего перехода составляет от -40°C до 175°C, что делает его пригодным для экстремальных условий эксплуатации.
Компактная интегрированная упаковка: используется полностью изолированный двухрядный корпус (DIP) размером 44 × 28 мм со встроенной подложкой DCB из нитрида алюминия (AlN), обеспечивающей превосходную теплопроводность; Доступны в полномостовой топологии 4-в-1 и трехфазной мостовой топологии 6-в-1, объединяющие несколько SiC MOSFET в один модуль, что значительно упрощает проектирование системы и уменьшает количество внешних компонентов.
Высокочастотные характеристики с низкими потерями: Оснащен чипами CoolSiC™ MOSFET на 1200 В с сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) всего 20 мОм. Потери на переключение снижены более чем на 50% по сравнению с кремниевыми IGBT. Поддерживает высокочастотную работу на уровне МГц, помогая повысить эффективность системы на 3–5 %, одновременно уменьшая размер катушек индуктивности и конденсаторов для хранения энергии и снижая стоимость спецификации.

Mingjiada Electronics является долгосрочным поставщиком модулей MOSFET [Infineon] CIPOS™ Prime CoolSiC™, включая, помимо прочего:
АМФ12С18ЛБ2З
АМФ12С25ЛБ2З
АМФ12С36ЛБ2З
АМФ12С54ЛБ2З
АМФ12С62ЛБ2З
АММ12С18ЛБ1З
АММ12С25ЛБ1З
АММ12С36ЛБ1З
АММ12С36ЛБ1З2
АММ12С54ЛБ1З
АММ12С54ЛБ2З
АММ12С62ЛБ1З
АММ12С62ЛБ2З

Кроме того, Mingjiada Electronics предлагает долгосрочные поставки различных электронных компонентов, включая интегральные схемы (ИС), чипы 5G, новые энергетические микросхемы, чипы IoT, чипы Bluetooth и автомобильные чипы, предоставляя клиентам комплексный опыт закупок. Mingjiada Electronics поддерживает обширные складские запасы, насчитывающие более 2 миллионов номеров деталей электронных компонентов, что позволяет клиентам быстро получить необходимую им продукцию. Компания поддерживает как закупки небольших партий образцов, так и заказы больших объемов, удовлетворяя потребности клиентов любого размера.

Для получения дополнительной информации о модуле [Infineon] CIPOS™ Prime CoolSiC™ MOSFET или для получения информации о ценах на образцы посетите веб-сайт Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) для получения полной информации о поставках.