Блог компании Mingjiada поставляет ферроэлектрическую память Infineon F-RAM, последовательную память F-RAM, параллельную память F-RAM

Поставка Mingjiada фეროэлектрической ОЗУ Infineon (F-RAM), поставка последовательной памяти F-RAM, параллельной памяти F-RAM

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — давний поставщик полного ассортимента запоминающих устройств Infineon, включая последовательную ферроэлектрическую ОЗУ (F-RAM) и параллельную ферроэлектрическую ОЗУ (F-RAM). Эти устройства сочетают в себе высокоскоростные возможности чтения/записи ОЗУ с энергонезависимостью ПЗУ; их основные преимущества заключаются в высокой скорости записи, сверхнизком энергопотреблении и практически неограниченном ресурсе циклов чтения/записи. Mingjiada Electronics поддерживает наличие на складе основных моделей и предлагает как образцы малых партий, так и крупнообъемные заказы; благодаря эффективной логистической системе мы обеспечиваем быструю доставку продукции.

F-RAM (ферроэлектрическая оперативная память или FeRAM) — это автономная энергонезависимая память, которая мгновенно фиксирует и сохраняет критически важные данные в случае сбоя питания. Она идеально подходит для критически важных приложений ведения журналов данных, таких как высокопроизводительные программируемые логические контроллеры (ПЛК), требующие высокой надежности, управляемости и пропускной способности, или устройства мониторинга пациентов, разработанные для улучшения качества жизни.

Mingjiada Electronics поставляет следующие последовательные ферроэлектрические запоминающие устройства Infineon F-RAM:
FM25V02A-G: 256-Кбит (32K × 8) последовательная ферроэлектрическая ОЗУ (F-RAM) с интерфейсом SPI, работающая на частоте до 40 МГц.

FM25V05-G: 512-Кбит (64K × 8) последовательная F-RAM с высоконадежной энергонезависимой памятью, работающая при напряжении от 2,0 В до 3,6 В, в диапазоне температур от –40°C до +85°C, со скоростью шины SPI до 40 МГц и поддержкой режимов 0 и 3.

FM25V10-G: 1-Мбит (128K × 8) последовательная память F-RAM с интерфейсом SPI, работающая при напряжении от 2,0 В до 3,6 В, поддерживающая тактовую частоту SPI до 40 МГц, с функцией записи NoDelay™ для мгновенного хранения данных.

FM25V20A-DG: 2-Мбит (256K × 8) последовательная память F-RAM, использующая передовую ферроэлектрическую технологию, с рабочим напряжением от 2,0 В до 3,6 В и диапазоном температур от –40°C до +85°C. Поддерживает интерфейс SPI с максимальной скоростью 40 МГц и запись со скоростью шины NoDelay™.

FM25V20A-DGQ: 2-Мбит (256K × 8) последовательная память F-RAM с расширенными температурными возможностями, работающая при напряжении от 2,0 В до 3,6 В, с функцией высокоскоростной записи NoDelay™ и скоростью SPI до 33 МГц (режимы 0/3), подходящая для частых, высокоскоростных приложений энергонезависимого хранения данных в промышленных и медицинских секторах.

FM25V20A-G: 2-Мбит (256 K × 8) последовательная память F-RAM, работающая при напряжении от 2,0 В до 3,6 В, с диапазоном температур от –40 °C до +85 °C; оснащена интерфейсом SPI с максимальной частотой 40 МГц для быстрой, без задержек записи, подходящая для приложений, требующих частой или быстрой записи, таких как промышленное управление и сбор данных.

FM1808B-SG: 256 Кбит (32 K × 8) параллельная ферроэлектрическая ОЗУ (F-RAM) в корпусе SOIC с 28 выводами, совместимая с SRAM и EEPROM. Рабочее напряжение: 4,5 В - 5,5 В; диапазон температур: –40°C - +85°C.

FM18W08-SG: 256 Кбит (32 K × 8) байтовая ферроэлектрическая оперативная память (F-RAM), работающая при напряжении от 2,7 В до 5,5 В и в диапазоне температур от –40°C до +85°C, подходящая для приложений с высокой частотой записи и высокой надежностью, таких как промышленное оборудование, измерительные приборы и регистраторы данных.

Решения Infineon для памяти F-RAM предлагают ряд функций, включая:
Запись NoDelay™ записывает данные в ячейки памяти со скоростью шины без какого-либо времени установки.
Ферроэлектрические запоминающие устройства чрезвычайно долговечны, с более чем 100 триллионами циклов записи, что делает их более долговечными, чем память с плавающим затвором.
Сверхнизкое энергопотребление, потребляя в 200 раз меньше энергии, чем EEPROM, и в 3000 раз меньше, чем NOR flash.
Радиационно-стойкие, не подвержены сбоям, вызванным излучением, которые приводят к изменению битов.

Для получения дополнительной информации о ферроэлектрических запоминающих устройствах Infineon F-RAM или для запроса цен на образцы посетите веб-сайт Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) для получения дополнительной информации о поставках.