Mingjiada поставляет GaN IC от Navitas, поставляет силовые чипы на основе нитрида галлия GaNFast
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — специализируясь на поставках полупроводниковой продукции, мы давно предоставляем услуги по поставке силовых чипов на основе нитрида галлия (GaN) серии GaNFast от Navitas. Используя наши преимущества в виде подлинных чипов, полного ассортимента моделей и стабильного наличия на складе, мы предлагаем комплексные решения по поставкам для клиентов по всему миру, помогая им добиться значительного улучшения энергоэффективности и плотности мощности своей продукции.
Обзор:
Силовые чипы на основе нитрида галлия (GaN) объединяют несколько силовых электронных компонентов в одном GaN-чипе, эффективно повышая скорость зарядки, эффективность, надежность и экономичность продукции. Во многих случаях силовые чипы GaN позволяют передовым топологиям преобразования мощности перейти от академических концепций и теорий к отраслевым стандартам, выступая катализатором для реализации массовых производственных решений.
Чипы GaN являются ключом к повышению общей производительности системы, служа компонентами схемы, приближающимися к «идеальному ключу» — то есть компоненту схемы, способному преобразовывать цифровой сигнал с минимальной энергией в передачу мощности без потерь.
Категории силовых чипов на основе нитрида галлия Navitas GaNFast
(1) Серия быстрой зарядки для потребительской электроники – Высокая эффективность и миниатюризация, подходит для портативных зарядных устройств
Эта серия представляет собой основную категорию применения чипов GaNFast, ориентированную на диапазон низких и средних мощностей (30 Вт – 300 Вт). Она обеспечивает быструю зарядку, значительно уменьшая размер зарядных устройств, тем самым улучшая портативность для пользователя.
Обзор ключевых моделей и спецификаций:
- Серия NV6113: номинальное напряжение 650 В, корпус 8-QFN (5x6 мм), соответствует RoHS 3, одноканальный интегрированный чип GaNFast.
- Серия NV6115: номинальное напряжение 650 В, корпус 8-QFN (6x8 мм), интегрированные драйверы и схемы защиты, поддерживает высокочастотное переключение, подходит для устройств быстрой зарядки мощностью 65 Вт – 100 Вт.
- Серия NV6117: номинальное напряжение 650 В, корпус 8-QFN, обладает более высокой пропускной способностью по току, подходит для устройств быстрой зарядки мощностью 100 Вт – 150 Вт.
- Серия NV6123: номинальное напряжение 650 В, корпус 30-QFN, высокоинтегрированный одноканальный чип GaNFast, подходит для устройств быстрой зарядки мощностью 150 Вт – 200 Вт.
- Серия NV6125: номинальное напряжение 650 В, корпус 30-QFN; имеет оптимизированную тепловую конструкцию на основе серии NV6123, подходит для высокомощной быстрой зарядки мощностью 200 Вт – 300 Вт.
(2) Серия интеллектуальных датчиков (GaNSense) – Точное управление и контроль, подходит для двигателей и промышленного оборудования
Эта серия включает интеллектуальные интегрированные чипы GaNFast, выпущенные Navitas Semiconductor. Ее ключевой особенностью является интеграция запатентованной технологии GaNSense™, обеспечивающей двустороннее бесконтактное измерение тока, измерение напряжения и функции защиты от температуры. По сравнению со стандартными чипами GaNFast, это дополнительно повышает стабильность производительности и точность управления, в основном ориентируясь на диапазон средних и высоких мощностей (150 Вт – 1000 Вт).
Обзор ключевых моделей и спецификаций:
- Серия NV6134A: номинальное напряжение 650 В, интегрированная интеллектуальная функция датчика GaNSense™, корпус QFN, подходит для промышленных источников питания мощностью 200 Вт – 500 Вт и приводов малых двигателей.
- Серия NV6152: номинальное напряжение 650 В, интегрированная технология GaNSense™ и комплексные схемы защиты, корпус QFN, подходит для высокомощного промышленного оборудования мощностью 500 Вт – 1000 Вт.
(3) Серия автомобильного класса (GaNSafe) — Высокая надежность и термостойкость, подходит для новых энергетических транспортных средств
Эта серия включает силовые чипы GaNFast автомобильного класса, разработанные Navitas специально для сектора новых энергетических транспортных средств. Ее основные преимущества включают высокую надежность, высокую термостойкость и высокое сопротивление напряжению, что делает ее пригодной для приложений с высокой мощностью (1000 Вт – 5000 Вт).
Обзор ключевых моделей и спецификаций продукции:
- Серия NV6252: номинальное напряжение 650 В, корпус автомобильного класса, сертификация AEC-Q100, подходит для бортовых зарядных устройств мощностью 1000 Вт – 2000 Вт, отличается высокой термостойкостью и вибростойкостью.
- Двунаправленный силовой чип GaNFast на 650 В: первый в мире двунаправленный чип автомобильного класса для массового производства, в сочетании с высокоскоростным изолированным драйвером затвора IsoFast™, позволяющий перейти от традиционных двухступенчатых к одноступенчатым архитектурам. Подходит для бортовых зарядных устройств мощностью 2000 Вт – 5000 Вт, зарядных станций и систем хранения энергии.
(4) Серия ультратонких интегрированных чипов (GaNSlim) — Максимальная миниатюризация, подходит для портативных устройств
Эта серия представляет собой новое поколение высокоинтегрированных чипов GaNFast, выпущенных Navitas Semiconductor. Ее ключевыми особенностями являются экстремальная миниатюризация и высокая тепловая производительность. Благодаря ультратонкому корпусу объем еще больше уменьшается по сравнению со стандартными чипами GaNFast, и он в основном подходит для диапазона низких мощностей (15 Вт – 65 Вт).
Обзор ключевых моделей и спецификаций продукции:
- Серия NV6128: номинальное напряжение 650 В, сопротивление во включенном состоянии 70 мОм, использует ультратонкий корпус QFN, подходит для зарядных устройств мобильных устройств мощностью 15 Вт – 45 Вт.
- Серия NV6127: номинальное напряжение 650 В, корпус 30-QFN, ультратонкий дизайн, подходит для зарядных устройств для ноутбуков мощностью 45 Вт – 65 Вт.
Для получения дополнительной информации о силовых чипах на основе нитрида галлия Navitas GaNFast или для запроса образцов посетите веб-сайт Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) для получения более подробной информации о поставках.
Контактное лицо: Mr. Sales Manager
Телефон: 86-13410018555
Факс: 86-0755-83957753