Блог компании Mingjiada поставка Navitas GeneSiC серии SiC MOSFET, поставка G3F и G3R Кремниевого карбида MOSFET

Mingjiada поставка Navitas GeneSiC серии SiC MOSFET, поставка G3F и G3R Кремниевого карбида MOSFET

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.В качестве лидера в области полупроводниковой промышленности следующего поколения,Устройства Navitas® GeneSiC SiC установили новые стандарты производительности в условиях высокого напряжения, высокочастотные и высоконадежные приложения благодаря их инновационной технологии "планарных ворот с помощью траншей".

Navitas SiC MOSFETs, поставляемые Mingjiada Electronics, в основном делятся на две серии, каждая из которых оптимизирована для различных сценариев применения:
Серия MOSFET Navitas GeneSiC не использует традиционные плоские или траншеистые структуры ворот, а использует уникальную технологию плоских ворот с помощью траншей.Этот инновационный дизайн сочетает в себе прочность плоских ворот с преимуществами эксплуатации траншеи.
1Серия Gen-3 Fast (G3F): Последнее стремление к скорости и эффективности
Серия G3F специально разработана для приложений, требующих самых быстрых скоростей переключения и наибольшей эффективности.Эта серия в основном предназначена для систем, требующих высокочастотного действия и сверхвысокой плотности мощности, такие как источники питания серверов центров обработки данных ИИ, бортовые зарядные устройства для электромобилей (OBC) и быстрые станции зарядки постоянного тока.
Ключевые характеристики: сверхнизкие потери при переключении, оптимизированная производительность при жестком переключении.
Напряжение: в основном доступно в 650 В (для 400 В) и 1200 В (для 800 В).
Типы пакетов: включает стандартные пакеты отрасли, такие как D2PAK-7L (TO-263-7), TOLL (TO-Leadless) и TO-247-4.
2Серия Gen-3 Rugged (G3R): надежная защита для надежности и надежности
Серия G3R фокусируется на чрезвычайной прочности и высокой надежности, что делает ее подходящей для промышленных сценариев с чрезвычайно требовательными требованиями к долговечности.Устройства этой серии обычно имеют более высокую способность выдерживать лавины и более сильное сопротивление короткому замыканию.
Ключевые характеристики: чрезвычайно низкое сопротивление, быстрые и надежные диоды корпуса и высокое пороговое напряжение для повышения стабильности системы.
Регламентированное напряжение: модели с номинальным напряжением 1200 В и выше (например, 1700 В) для удовлетворения требований высоковольтных промышленных приложений.
Типичные применения: солнечные инверторы, бесперебойные источники питания (UPS), промышленные двигатели и тяговые системы

Mingjiada Electronics является долгосрочным поставщиком продукции SiC MOSFET от компании "Navitas", в том числе:
G3F40MT12K
G3F09MT12FB2
G3F17MT12FB2
G3F135MT12J
G3F18MT12FB4
G3F20MT12J
G3F18MT12K
G3F20MT12K
G3F25MT06J
G3F25MT06K
G3F25MT12K
G3F33MT06J
G3F33MT06K
G3F34MT12K
G3F40MT12J
G3F45MT06D
G3F45MT06J
G3F45MT06K
G3F60MT06D
G3F60MT06K
G3F65MT12J
G3F65MT12K
G3F75MT12J
G3F75MT12K
G3F09MT12G3T
G3F25MT06L
G3F33MT06L
G3F45MT06L
G3F60MT06J
G3F60MT06L

Для получения свежих сведений о наличии запасов, о ценах или технической поддержке, пожалуйста, посетите сайт Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/Для более подробной информации о поставках.