Блог компании Mingjiada поставляет GaN FET от Onsemi, поставляет GaNEXUS™ Gallium Nitride FET

Mingjiada поставляет полу GaN FETs, поставляет GaNEXUSTM Gallium Nitride FETs

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.¢ Долгосрочный поставщик Onsemi GaNEXUSTM галлиевого нитрида (GaN) FET, охватывающий такие продукты, как низко/средневольтные GaN FET и высоковольтные GaN FET.Mingjiada Electronics имеет ряд основных моделей и поддерживает как небольшие партии образцов, так и большие объемы заказовПоддерживаемая эффективной логистической системой, мы обеспечиваем быструю доставку продукции.

ФЭТ на полугаллиевом нитриде (GaN)
Детали: Транзисторы с полевым эффектом галлиевого нитрида GaNEXUSTM (GaN) являются дискретными GaN HEMT с режимом усиления. Используя свойства материалов с широким диапазоном, они позволяют быстро переключаться,низкая зарядка шлюза и вывода, и исключительная эффективность по сравнению с кремниевыми силовыми транзисторами.приложения для преобразования высоковольтной и сверхвысоковольтной мощности для достижения более высоких частот работы, меньшие размеры магнитных компонентов и более высокая плотность мощности.

Низкое/среднее напряжение GaN FET
GaNEXUSTM расширенный режим дискретные боковые галлиевого нитрида высокоэлектронной мобильности транзисторы (HEMT), с рабочим напряжением в диапазоне от 40 В до 200 В, оптимизированы для высокой эффективности,конструкции средневольтных преобразователей мощности и компактных систем.
Модели, поставленные Mingjiada Electronics:
NTLCC3D5N10GN1
NTLCC5D0N10GN1
NTLEF0D7N04GN1
NTLEF1D0N10GN1
NTLEF1D5N10GN1
NTLEF2D2N15GN1
NTLEF2D5N10GN1
NTLEF3D6N20GN1
NTLEF5D0N10GN1

Высоковольтные GaN FET
GaNEXUSTM расширенный режим дискретных боковых галлиевых нитридов высокоэлектронной мобильности транзисторов (HEMT), с диапазоном напряжения 650 V ∼ 1200 V, оптимизированы для высокой эффективности,конструкции высоковольтных преобразователей мощности и компактных систем.
Модели, поставленные Mingjiada Electronics:
NTBL023N65GN1
NTBL035N65GN1
NTBL050N65GN1
NTBT023N65GN1
NTBT035N65GN1
NTBT050N65GN1
NTD100N70GN1TXG
NT1N1N1N1N1
NTMT100N70GN1TXG
NTMT130N70GN1TXG
NTMT170N70GN1TXG

Для получения дополнительной информации о FET из галлиевого нитрида (GaN) Onsemi или для получения информации о ценах на выборку, пожалуйста, посетите веб-сайт Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/Для более подробной информации о поставках.