Блог компании Mingjiada Supply Onsemi NVBG080N120SC1 1200V Кремниевый карбид (SiC) MOSFET

Минджиада Снабжение ОнсемиНВБГ080Н120СК1МОП-транзистор из карбида кремния (SiC) 1200 В

Шэньчжэньская компания электроники Mingjiada, Ltd.— Долгосрочный поставщик ON Semiconductor (onsemi)НВБГ080Н120СК1: МОП-транзистор автомобильного класса из карбида кремния (SiC) 1200 В, 80 мОм в корпусе D2PAK-7L. Это устройство специально разработано для удовлетворения строгих требований к высокой эффективности и высокой удельной мощности в электромобилях (EV/HEV) и промышленных высокочастотных источниках питания.

I. Обзор продукта и основное позиционирование (НВБГ080Н120СК1)
NVBG080N120SC1 принадлежит к серии EliteSiC M1 компании ON Semiconductor и представляет собой N-канальный мощный МОП-транзистор расширенного режима. По сравнению с традиционными устройствами на основе кремния, материал SiC обеспечивает более низкое сопротивление включения и сверхвысокую скорость переключения, что делает его ключевым компонентом для повышения эффективности системы.
Основные характеристики: напряжение пробоя 1200 В, непрерывный ток стока 30 А (при 25°C) и типичное сопротивление в открытом состоянии всего 80 мОм.
Особенности корпуса: Корпус D2PAK-7L (TO-263-7L) обеспечивает превосходные тепловые характеристики и низкое тепловое сопротивление переход-корпус (RθJC), а 7-контактная конструкция оптимизирует коммутационные шумы и схемы управления затвором.
Области применения: В первую очередь предназначены для высокочастотных преобразователей энергии, таких как бортовые зарядные устройства (OBC) для транспортных средств на новых источниках энергии, высоковольтные преобразователи постоянного тока в постоянный, драйверы двигателей и фотоэлектрические инверторы.

II.НВБГ080Н120СК1Технические характеристики:
Тип полевого транзистора: N-канальный
Технология: SiC FET (карбид кремния).
Напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
Ток при 25°C – непрерывный ток стока (Id): 30 А (Tc)
Напряжение привода (максимум Rds включен, минимум Rds включен): 20 В
Сопротивление включения (максимум) при различных Id и Vgs: 110 мОм при 20 А, 20 В.
Vgs(th) (максимум) при различных идентификаторах: 4,3 В при 5 мА
Заряд затвора (Qg) при различных напряжениях Vgs (макс.): 56 нК при 20 В.
Vgs (макс.): +25 В, -15 В
Входная емкость (Цисс.) при различных напряжениях (макс.): 1154 пФ при 800 В.
Рассеиваемая мощность (макс.): 179 Вт (Tc)
Рабочая температура: от -55°C до 175°C (ТДж)
Тип монтажа: Поверхностный монтаж.
Комплект поставки поставщика: Д2ПАК-7
Корпус/корпус: ТО-263-8, Д2ПАК (7 выводов + контактная площадка), ТО-263СА

III. Ключевые особенности: пять основных преимуществНВБГ080Н120СК1
1. Сверхнизкое сопротивление включения (RDS(on) = 80 мОм).
NVBG080N120SC1 имеет типичное сопротивление в открытом состоянии всего 80 мОм, что напрямую снижает потери мощности во включенном состоянии, позволяя устройству работать с более высокой эффективностью и одновременно минимизируя нагрузку на управление температурным режимом. По сравнению с традиционными кремниевыми МОП-транзисторами или IGBT, свойства материала SiC с широкой запрещенной зоной позволяют устройствам с тем же номинальным напряжением достигать более низкого сопротивления открытого состояния на единицу площади, что делает их особенно подходящими для высокоэффективных приложений преобразования энергии на высоковольтных платформах 1200 В.
2. Сверхнизкий заряд затвора (QG(tot) = 56 нКл)
NVBG080N120SC1 имеет заряд затвора всего 56 нКл, что означает, что энергия возбуждения, необходимая в процессе переключения, значительно снижается. Это не только снижает сложность конструкции и энергопотребление схемы управления, но также обеспечивает чрезвычайно высокую скорость переключения. Более высокие частоты переключения позволяют системе уменьшить размер пассивных компонентов (таких как трансформаторы, катушки индуктивности и конденсаторы), значительно повышая удельную мощность и снижая общую стоимость системы.
3. Низкая эффективная выходная емкость (Coss = 79 пФ).
NVBG080N120SC1 имеет типичную выходную емкость всего 79 пФ, что помогает снизить потери энергии в процессе переключения и еще больше повысить эффективность переключения. Эта характеристика низкой емкости в сочетании с высокочастотной коммутационной способностью материала SiC эффективно снижает емкостную составляющую потерь при переключении, что делает его особенно подходящим для таких топологий, как высокочастотное преобразование постоянного тока в постоянный ток и резонансные схемы LLC.
4. Высокая надежность в суровых условиях
NVBG080N120SC1 прошел 100% лавинное тестирование и обладает превосходной устойчивостью к перенапряжениям и надежностью, обеспечивая стабильную работу в суровых условиях. Благодаря широкому диапазону рабочих температур перехода от -55°C до +175°C он может стабильно работать в течение длительного времени в условиях экстремальных температур.
5. Выдающиеся преимущества на системном уровне
Основываясь на вышеупомянутых электрических характеристиках, NVBG080N120SC1 обеспечивает значительное улучшение производительности на уровне системы:
Максимальная эффективность: комплексная оптимизация низких потерь на проводимость и переключение позволяет системе достигать пиковой эффективности, превышающей 98%;
Более высокая плотность мощности: более высокие частоты переключения позволяют использовать магнитные компоненты и конденсаторы фильтров меньшего размера, что значительно уменьшает размер системы;
Снижение электромагнитных помех: оптимизированные характеристики переключения и усовершенствованные процессы упаковки эффективно подавляют электромагнитные помехи;
Уменьшенный размер системы. Повышение общей эффективности и удельной мощности приводит к уменьшению общей занимаемой площади системы и упрощению тепловой конструкции.

IV. Типичные сценарии примененияНВБГ080Н120СК1
Бортовые зарядные устройства для электромобилей (OBC). Благодаря высокому номинальному напряжению и высокой эффективности оно используется на этапе повышения PFC и этапе изоляции постоянного тока для повышения эффективности зарядки.
Высоковольтные преобразователи постоянного тока в постоянный (EV/HEV): выступая в качестве основного коммутационного устройства, он преобразует напряжение высоковольтной батареи (400 В/800 В) в низковольтное (12 В/48 В) напряжение системы.
Фотоэлектрические инверторы и системы хранения энергии: используются в повышающих цепях внутри струнных инверторов, используя высокие частоты переключения для уменьшения размера индуктора.
Промышленные источники питания и ИБП: подходят для серверных источников питания с высокой плотностью мощности и систем бесперебойного питания (ИБП).

V. Mingjiada Electronics – универсальный поставщикНВБГ080Н120СК1
Mingjiada имеет долгосрочный запас карбидокремниевых МОП-транзисторов ON Semiconductor NVBG080N120SC1 1200 В. Мы поставляем оригинальную продукцию с достаточным запасом, обслуживая как небольшие партии образцов, так и заказы большого объема. Опираясь на эффективную систему логистики, мы обеспечиваем быструю доставку продукции.
Mingjiada Electronics управляет несколькими складами в Шэньчжэне и Гонконге, а портфель акций превышает 2 миллиона наименований товаров, охватывающих интегральные схемы, дискретные устройства, пассивные компоненты и многое другое. Мы поддерживаем заказы на образцы, оптовые заказы и закупки смешанными партиями, предлагая стандартизированную упаковку, оптовую переупаковку и услуги быстрой отправки в соответствии с различными сценариями закупок, включая испытания НИОКР, мелкосерийное производство и крупномасштабное массовое производство.

Чтобы узнать последние цены, наличие на складе или запросить образцыНВБГ080Н120СК1, пожалуйста, посетите веб-сайт Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/), чтобы получить индивидуальное предложение и техническое описание.