Блог компании Mingjiada поставки ROHM галлиевого нитрида силовых устройств, поставки GaN HEMT и GaN HEMT силовой стадии IC

Mingjiada поставляет силовые устройства ROHM на основе нитрида галлия, поставляет ИС силового каскада GaN HEMT и GaN HEMT

Шэньчжэньская компания электроники Mingjiada, Ltd.— Долгосрочный поставщик силовых устройств [ROHM] GaN, в том числе: GaN HEMT, ИС силового каскада GaN HEMT, драйверы затворов GaN и другие продукты. Mingjiada Electronics предлагает широкий ассортимент основных моделей и поддерживает как небольшие партии образцов, так и заказы больших объемов. Благодаря эффективной системе логистики мы обеспечиваем быструю доставку продукции.

I. GaN HEMT
1. 150 В GaN HEMT
Компания ROHM успешно увеличила максимальное номинальное напряжение затвор-исток до 8 В, что делает эти продукты идеальными для широкого спектра промышленного оборудования, включая базовые станции и центры обработки данных.
2. GaN HEMT, 650 В.
Будучи GaN-устройством с номиналом 650 В, он имеет лучший в отрасли показатель качества (FOM), помогая повысить эффективность источника питания, одновременно значительно снижая потери на переключение, тем самым обеспечивая дальнейшее повышение эффективности в различных системах электропитания.
Модели, рекомендованные Mingjiada Electronics:
GNP3120TJ-Z
GNP3070TEC-Z
GNP3050TEC-Z
GNP3040TEC-Z
GNP3018TF-Z

II. ИС силового каскада GaN HEMT
ИС GaN HEMT Power Stage от ROHM представляет собой идеальное решение для различных систем силовой электроники, требующих высокой плотности мощности и эффективности. Эти продукты объединяют силовые устройства GaN HEMT нового поколения с драйверами затворов, оптимизированными для максимизации производительности GaN HEMT. Они поддерживают широкий диапазон входного напряжения от 2,5 В до 30 В и могут использоваться в сочетании с различными микросхемами контроллера. Эти особенности и преимущества позволяют им заменить традиционные дискретные силовые ключи, такие как МОП-транзисторы с суперпереходом.
Рекомендуемые модели Mingjiada Electronics:
БМ3Г115МУВ-ЛБ
БМ3Г107МУВ-ЛБ
БМ3Г005МУВ-ЛБ

III. Драйверы затворов для GaN
Благодаря возможности высокоскоростного переключения устройства GaN идеально подходят для приложений энергосбережения и миниатюризации.
GaN-драйверы затворов ROHM предназначены для максимизации высокоскоростных характеристик переключения этих устройств и упрощения конструкции за счет достижения коротких задержек распространения и малой ширины импульса.
Модели, рекомендованные Mingjiada Electronics:
BM6GD11BFJ-LB — напряжение изоляции 2500 В (среднеквадратичное значение), 1-канальный драйвер затвора, обеспечивающий токовую изоляцию для GaN HEMT.

Для получения дополнительной информации о силовых устройствах [ROHM] GaN или ценах на образцы посетите веб-сайт Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) для получения более подробной информации о поставке.