Блог компании Поставки чипов памяти DDR4 SDRAM ETT от Mingjiada для SK Hynix и SAMSUNG

Поставка чипов памяти DDR4 SDRAM ETT от SK Hynix и SAMSUNG

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — Поставляет широкий ассортимент чипов памяти DDR4 SDRAM ETT, охватывая два основных бренда: Samsung и SK Hynix.

Основные модели и спецификации чипов памяти DDR4 ETT, доступные в настоящее время от Mingjiada Electronics, следующие:
SK Hynix DDR4 SDRAM
H5AN4G8NBJR-VKC — 4-гигабитный чип памяти DDR4 SDRAM, использующий корпус FBGA на 78 шариков, с организацией 512Mx8, поддерживающий скорость передачи данных 2666 Мбит/с и рабочее напряжение 1,2 В.
H5AN4G6NBJR-UHC — Высокоплотная, маломощная синхронная динамическая оперативная память (SDRAM) DDR4. Изготовленный с использованием передовых полупроводниковых процессов, этот чип предлагает емкость 4 Гбит (512 МБ) в компактном корпусе FBGA-96.
H5AN4G6NBJR-VKC – 4-гигабитный (т.е. 512 МБ) чип памяти DDR4 SDRAM, изготовленный с использованием высокоскоростной синхронной технологии CMOS, предназначенный в первую очередь для приложений основной памяти, требующих высокой плотности хранения и высокой пропускной способности.
H5AN8G6NDJR-XNC – 8-гигабитный кристалл памяти DDR4-3200, с организацией 512M×16, поддерживающий максимальную скорость передачи данных 3200 Мбит/с, на основе низковольтной конструкции 1,2 В, в корпусе FBGA-96 (13×7,5 мм)
H5AN8G8NDJR-XNC – 8-гигабитный (1 ГБ) чип памяти DDR4 SDRAM, изготовленный с использованием высокоскоростного синхронного процесса CMOS, с внутренней организацией 1G × 8 бит (8-битная ширина) и использующий архитектуру предварительной выборки 8 бит для достижения высокоскоростной передачи данных.
H5AN8G8NCJR-XNC – 8-гигабитная память DDR4 SDRAM, в корпусе FBGA на 78 шариков, работающая при напряжении 1,2 В, поддерживающая максимальную скорость передачи данных 3200 Мбит/с (DDR4-3200), с организацией 1G × 8 бит.
H5ANAG6NCJR-XNC – 16-гигабитный модуль памяти DDR4 SDRAM емкостью 16 Гбит, организованный как 1G × 16, использующий корпус BGA-96 на 96 шариков, соответствующий требованиям RoHS. Скорость передачи данных указана как 3200 МТ/с, с максимальной тактовой частотой 1600 МГц.
H5ANAG8NCJR-XNC – 16-гигабитный (2 ГБ) чип памяти DDR4 SDRAM, работающий при стандартном напряжении DDR4 (обычно 1,2 В), изготовленный по процессу SK Hynix 1z нм (D1Z), в корпусе FBGA на 78 шариков.

SAMSUNG DDR4 SDRAM
K4A8G085WC-BCTD — 8-гигабитный чип памяти DDR4 SDRAM, работающий при напряжении 1,2 В, в корпусе 78-FBGA, с рабочим диапазоном температур от 0 до 85 °C
K4A4G165WF-BCTD — Высокопроизводительный 4-гигабитный чип памяти DDR4 SDRAM с максимальной тактовой частотой 1,066 ГГц.
K4A4G165WE-BCRC — 4-гигабитный (512 МБ) кристалл памяти DDR4 SDRAM, с архитектурой 256M × 16 бит и корпусом FBGA на 96 шариков, работающий при стандартном напряжении 1,2 В и поддерживающий максимальную скорость передачи данных DDR4-2400 (2400 Мбит/с).
K4A4G165WF-BCWE – 4-гигабитный (512 МБ) чип памяти DDR4 SDRAM, с архитектурой 256M × 16 бит и корпусом FBGA на 96 шариков, работающий при стандартном напряжении 1,2 В и поддерживающий максимальную скорость передачи данных DDR4-3200 (3200 Мбит/с).
K4A8G165WB-BCRC – 8-гигабитный чип памяти DDR4, использующий корпус FBGA на 96 шариков, с номинальной скоростью 2400 Мбит/с и рабочим напряжением 1,2 В.
K4A8G165WC-BCTD — 8-гигабитный (1 ГБ) чип памяти DDR4 SDRAM, с архитектурой 512M × 16 бит и корпусом FBGA на 96 шариков, работающий при стандартном напряжении 1,2 В. Этот чип относится к серии продуктов C-Die от Samsung и поддерживает максимальную скорость передачи данных DDR4-2666 (2666 Мбит/с).

Эти чипы памяти широко используются в серверах, центрах обработки данных, сетевых коммуникациях, промышленном управлении и автомобильной электронике. Mingjiada Electronics предлагает как образцы малых партий, так и услуги оптовых поставок. Для получения точного предложения, пожалуйста, укажите бренд чипа, емкость, битность, скорость, тип корпуса и количество приобретаемой продукции.
URL компании: https://www.integrated-ic.com/