Блог компании Mingjiada поставка силовых каскадов TI GaN, поставка силовых полевых транзисторов на основе нитрида галлия

Mingjiada поставка силовых каскадов TI GaN, поставка силовых полевых транзисторов на основе нитрида галлия

Шэньчжэньская компания электроники Mingjiada, Ltd.— давний поставщик силовых каскадов [TI] на основе нитрида галлия (GaN), включая решения со встроенными драйверами затворов и силовыми устройствами на GaN. Mingjiada Electronics предлагает широкий выбор основных моделей и поддерживает как небольшие партии образцов, так и заказы больших объемов. Благодаря эффективной системе логистики мы обеспечиваем быструю доставку продукции.

[TI] Силовой каскад из нитрида галлия (GaN)
Обзор: Серия полевых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) компании TI оснащена встроенными драйверами затворов и силовыми устройствами на основе GaN, обеспечивая эффективные решения на основе GaN, которые обеспечивают надежность и экономическую выгоду на протяжении всего жизненного цикла продукта. GaN-транзисторы переключаются намного быстрее, чем кремниевые МОП-транзисторы, что позволяет снизить потери при переключении. Силовые каскады GaN компании TI могут использоваться в широком спектре приложений, включая телекоммуникации, серверы, драйверы двигателей и адаптеры для ноутбуков, а также бортовые зарядные устройства для электромобилей.

Преимущества технологии GaN от TI
Более высокая скорость переключения, чем у дискретных GaN-транзисторов.
- GaN-транзисторы TI со встроенными драйверами обеспечивают скорость переключения 150 В/нс. В сочетании с корпусом с низкой индуктивностью такие скорости переключения снижают потери, обеспечивают чистое переключение и минимизируют звон.
Меньшие магнитные компоненты и более высокая плотность мощности
- GaN-устройства TI с их более высокой скоростью переключения помогают достичь частоты переключения, превышающей 500 кГц, тем самым уменьшая размер магнитных компонентов до 60 процентов, повышая производительность и снижая стоимость системы.
Создан для надежности
- GaN-устройства TI используют запатентованную технологию GaN на основе кремния и прошли более 80 миллионов часов испытаний на надежность; в сочетании с функциями защиты они предназначены для обеспечения безопасности высоковольтных систем.

Mingjiada Electronics является долгосрочным поставщиком силовых устройств [TI] на основе нитрида галлия (GaN), включая, помимо прочего:
LMG2652H – полумост на GaN-транзисторе с драйвером, 650 В, 140 мОм (номер детали: LMG2652HRFBR)
LMG2610 — полумост на силовом GaN-транзисторе на 650 В со встроенным драйвером, функциями защиты и измерения тока, подходящий для ACF (номера деталей: LMG2610RRGR, LMG2610RRGT)
LMG3622 — силовой GaN-транзистор на 700 В, 106 мОм со встроенным драйвером и защитой (номер детали: LMG3622REQR)
LMG3624 — силовой GaN-транзистор на 700 В, 155 мОм со встроенным драйвером, защитой и измерением тока (доступные номера деталей: LMG3624REQR, LMG3624YREQR, LMG3624ZREQR)
LMG2640 – полумост на GaN-транзисторе, 650 В, 105 мОм, со встроенным драйвером, функциями защиты и измерения тока (номер детали: LMG2640RRGR)
LMG2650 – силовой полумост на GaN-транзисторе, 650 В, 95 мОм со встроенным драйвером, функциями защиты и измерения тока (номера деталей: LMG2650RFBR)
LMG5200 – полумостовой силовой каскад GaN 80 В (номера деталей: LMG5200MOFR, LMG5200MOFT)
LMG3422R050 — 600 В, 50 мОм GaN FET со встроенным драйвером, защитой и отчетом о температуре (номера деталей: LMG3422R050RQZR, LMG3422R050RQZT)
LMG3650R070 — GaN FET, 650 В, 70 мОм, со встроенным драйвером и защитой, в корпусе TOLL (номера деталей: LMG3650R070KLAR)

Для получения дополнительной информации о силовых каскадах TI на основе нитрида галлия (GaN) или ценах на образцы посетите веб-сайт Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) для получения дополнительной информации о поставках.