Блог компании Приложения MOSFET в серверах ИИ. Поставщик Infineon OptiMOSTM, CoolMOSTM, CoolSiCTM, ROHM SiC MOSFETs и Microchip mSiCTM серии

С взрывным ростом спроса на вычислительную мощность ИИ, системы питания серверов быстро развиваются в сторону 800-вольтной архитектуры HVDC.CoolMOSTM и CoolSiCTM, а также серии SiC MOSFET ROHM и Microchip mSiCTM, предоставляющие комплексные решения для полупроводников питания для проектирования источников питания серверов ИИ.

I. Эволюция архитектуры питания серверов ИИ и требований к питанию устройств

Потребление энергии генеративных моделей обучения ИИ и кластеров выводов теперь превысило уровень мегаватт,с мощностью на шкаф, быстро растущей с традиционных 10 кВт до 100 кВт или даже вышеЭта трансформация предъявляет беспрецедентные требования к мощности MOSFET: более низкие потери на состоянии, большая способность выдерживать перенапряжение, более высокая тепловая стабильность и превосходные характеристики переключения.

Нынешние архитектуры питания серверов ИИ развиваются по трем различным технологическим путям: повышение с сокращением тока (переход от 12V/48V до 400V/800V высоковольтного постоянного тока),уменьшение количества этапов преобразования (упрощение от многоступенчатого преобразования до 800В → 48В → 12В → ядра)Эти изменения сделали карбид кремния (SiC) и MOSFET на основе кремния важными компонентами.

II. Mingjiada Electronics: специализированный поставщик MOSFET для питания

Основанная в 1996 году компания Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. является всемирно известным авторизованным независимым дистрибьютором электронных компонентов.Компания создала филиалы в Гонконге., Япония, Россия и другие места. Компания получила сертификацию системы международного менеджмента качества ISO 9001: 2014 и сертификацию системы экологического менеджмента ISO 14001: 2014,и специализируется на распространении продукции более 500 известных производителей.

В области энергетических устройств, Mingjiada Electronics установила долгосрочные, стабильные партнерские отношения с ведущими международными производителями полупроводников, такими как Infineon, ROHM и Microchip,обеспечение качества продукции и надежности поставок.

III. Подробный обзор серии Infineon Power MOSFET

1. OptiMOSTM 7 серия

Серия Infineon OptiMOSTM 7 использует философию дизайна, ориентированную на применение, адаптированную к конкретным требованиям приложения.Продукты этой серии, оптимизированные для коммутации, специально разработаны для будущих центров обработки данных., серверы и телекоммуникационное оборудование,предлагает улучшение формы производительности (FOM) до 25 процентов и значительно повышает возможности управления тепловой энергией с помощью упаковки Source Down.

OptiMOSTM 7 25V MOSFET в основном предназначены для приложений промежуточного преобразователя шины (IBC) и подходят для преобразования напряжения 48V для поддержки источников питания ядра AI.Портфель продуктов разделен на две основные технические категории: жесткие и мягкие переключатели с номинальной температурой до 175°C.

2. OptiMOSTM 6 серия

OptiMOSTM 6 80V MOSFET от Infineon, размещенные в компактном двухстороннем теплораспределяющем пакете 5x6 мм2, были интегрированы в IBC-уровне серверных платформ ИИ от ведущих производителей процессоров.Испытания применения показывают, что их эффективность составляет приблизительно 0.0,4% выше, чем предыдущие решения, что равносильно экономии около 4,3 Вт на кВт нагрузки.

Внедрение этого решения в гипермасштабном центре обработки данных с 2000 стойками может сэкономить более 1,2 МВтч энергии в час.,повышение энергоэффективности за счет сокращения потерь проводимости, в то время как двусторонний пакет рассеивания тепла помогает улучшить тепловое управление и увеличить плотность мощности.

3. CoolMOSTM 8 серия

CoolMOSTM 8 MOSFET с суперсоединением Infineon позволили Mimi Electric получить сертификацию эффективности Titanium Plus.CoolMOSTM 8 обеспечивает снижение заряда на 18%По сравнению с серией P7 этот показатель увеличивается до 33%.с улучшенной тепловой производительностью на 14-42% по сравнению с предыдущим поколением.

CoolMOSTM 8 интегрирует быстрый диод корпуса, что позволяет широко использовать его в различных приложениях, начиная от низкомощных коммутационных источников питания до высокомощных систем, таких как серверы,телекоммуникационное оборудование и твердотельные выключатели.

4. CoolSiCTM MOSFET G2 серии

Второе поколение 650V CoolSiCTM MOSFET Infineon является основным компонентом в высоковольтных источниках питания для серверов ИИ.построен вокруг CoolSiC MOSFET IMT65R033M2H, достигает эффективности преобразования, превышающей 99%.

Имеет 650 В разрывное напряжение, стабильный диод корпуса, температуру соединения 175 °C и технологию упаковки.XT,Этот продукт демонстрирует исключительную надежность в сложных условиях работы, таких как пики напряжения., высокие транзиторы dv/dt и длительный тепловой цикл.

IV. Серия ROHM SiC MOSFET

ROHM's 750V SiC MOSFET, SCT4013DLL, был принят в BBU питания серверов AI, где он сконфигурирован в блоках питания, работающих под архитектурой питания ±400В.Этот продукт обладает превосходной высокотемпературной стойкостью с максимальной температурой соединения 175 °C, что позволяет стабильно работать даже в BBU, где производство тепла увеличивается из-за повышения напряжения и плотности мощности.

В архитектурах питания 800 В постоянного тока следующего поколения, где напряжение питания к внутреннему аккумулятору BBU составляет приблизительно 560 В, также можно использовать 750 В SiC MOSFET ROHM.ROHM опубликовал белую книгу "Решения архитектуры 800 В постоянного тока для серверов ИИ", предоставляя комплексное решение для проектирования питания серверов ИИ.

V. Микрочипы серии mSiCTM

Модуль питания HV-D3 mSiC с 3,3 кВ микрочипа специально разработан для твердотельных трансформаторов (SST) в центрах обработки данных искусственного интеллекта.3 кВ карбид кремния MOSFET и диод Schottky в стандартной отраслевой упаковке 62 мм, что позволяет обеспечить высокоэффективную подачу электроэнергии непосредственно из сети среднего напряжения на серверную стойку.

Технология mSiC MOSFET микрочипа поддерживает высококонкурентную стабильность RDS ((on) в широком диапазоне температур.Количество необходимых серийных компонентов значительно сокращается примерно вдвое при подключении к 13Модуль поддерживает приложения от 100 до 300 А и подходит для твердотельных трансформаторов, средневольтных двигателей и промышленных энергосистем.

VI. Типичные сценарии применения для источников питания серверов ИИ

IBC Intermediate Bus Conversion: OptiMOSTM 7/6 Высокоэффективное преобразование постоянного тока в постоянный ток, повышенная плотность мощности

Первичная сторона PFC/LLC: CoolMOSTM 8 Эффективность на уровне титана, быстрая переключение

BBU высокого напряжения: CoolSiCTM G2 99%+ эффективность, высокая надежность

800В ВЧП: ROHM SiC MOSFETs Высокотемпературное сопротивление, низкие потери

Трансформаторы твердого состояния: Microchip mSiCTM Среднее напряжение прямого преобразования, сокращенное количество этапов преобразования

Заключение

С быстрым расширением вычислительной инфраструктуры ИИ, источники питания серверов сталкиваются с чрезвычайно строгими требованиями с точки зрения плотности питания, эффективности конверсии и надежности при высоких температурах.Infineon OptiMOSTM, CoolMOSTM и CoolSiCTM, а также серии ROHM SiC MOSFET и Microchip mSiCTM, поставляемые Mingjiada Electronics,стали ключевым выбором для создания высокоэнергоэффективных источников питания серверов ИИ, благодаря своим ведущим техническим характеристикам и стабильным возможностям поставок.

Для получения дополнительной информации о продукте или запроса на предложение, пожалуйста, посетите сайт Mingjiada Electronics (www.hkmjd.com) или свяжитесь с нашей командой продаж.

Свяжитесь с нами

Мобильный: +86 13410018555

Электронная почта: sales@hkmjd.com

Адрес: Комнаты 12391241, здание Гуоли, улица Чжэнчжун, район Футиань, Шэньчжэнь