Блог компании Переработка силовых модулей микросхем: MOSFET-модуль, диодный модуль, IGBT-модуль

Модуль питания микрочипа: Модуль MOSFET, Модуль диоды, Модуль IGBT

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.является ведущим поставщиком услуг по переработке электронных компонентов в Китае, специализирующимся на высокоценной переработке различных электронных компонентов.прозрачный, и безопасные услуги по переработке запасов, чтобы помочь клиентам оптимизировать свои денежные потоки, снизить затраты на хранение и оживить свои активы.

Виды переработанных продуктов:IC-чипы, датчики, Ethernet, IGBT-модули, искусственный интеллект ИИ, микроконтроллеры, IoT и все другие электронные компоненты.

Специфический процесс переработки:

1- Сортируйте избыточный запас ИС/модулей по категориям, определяя номера моделей, бренды, даты производства, количества и т.д.

2Отправьте список инвентаря нашей команде по факсу или электронной почте.

3Подождите предложения от наших специалистов, как только будет достигнуто соглашение, обе стороны обсудят конкретные детали сделки для доставки.

4Компания перерабатывает только компоненты, полученные из официальных каналов, таких как дистрибьюторы, торговцы и заводы конечных пользователей.

1Модули питания кремниевых MOSFET

Силиконовые модули питания MOSFET Microchip используют передовые технологии транзистора с полевым эффектом оксида металла-полупроводника (MOSFET), с высокой скоростью переключения, низкой мощностью привода,и отличные высокочастотные характеристики.

Модули MOSFET высокого напряжения: диапазон напряжения от 30 до 1000 В, подходящий для промышленных энергосистем

Модули MOSFET малой мощности: специально разработанные для портативных устройств и высокоэффективных приложений конверсии

Модули MOSFET автомобильного класса: соответствуют сертификации AEC-Q101, используются в бортовых зарядных устройствах (OBC) и системах управления батареями (BMS)

Эти модули широко используются в коммутаторных источниках питания, приводах двигателей и инверторах.

2Силиконовые диодные силовые модули

Кремниевые диодные модули микрочипа являются критическими компонентами в системах преобразования энергии и управления энергией.

Стандартные модули диодов-прямопроводников: используются в базовых приложениях преобразования переменного тока в постоянный ток

Модули быстрого восстановления диодов (FRD): с чрезвычайно коротким временем обратного восстановления, подходящие для высокочастотных коммутационных схем

Модули сверхбыстрых рекуперационных диодов (UFRD): дальнейшее повышение скорости переключения и снижение потерь мощности

Диодные модули высокого напряжения и высокого тока: такие как 1200V/100A или более высокие спецификации, широко используемые в промышленных источниках питания и новых энергетических приложениях

Эти устройства имеют значительное применение в области связи, радаров и приборов.

3. Модули питания IGBT

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) являются основными компонентами в силовой электронике, известными своей высокой надежностью и эффективностью.

Модули IGBT промышленного класса: подходят для приводов с переменной частотой, бесперебойных систем питания и бесперебойных систем питания

Модули IGBT автомобильного класса: используются в системах привода электромобилей и инфраструктуре зарядки

Интеллектуальные силовые модули (IPM): интегрировать схемы привода и защиты для упрощения проектирования системы

Эти модули широко применяются в производстве электроэнергии с новой энергией, электромобилях и промышленных приложениях с переменной частотой.