Блог компании Перерабатывайте на GaNEXUSTM Продукт: GaNEXUS FET низкого/среднего/высокого напряжения, GaNEXUS Smart

Перерабатывайте на GaNEXUSTM Продукт: GaNEXUS FET низкого/среднего/высокого напряжения, GaNEXUS Smart

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.является давно зарекомендовавшимся мировым переработчиком электронных компонентов, который закупает широкий спектр электронных продуктов по конкурентоспособным ценам, включая: микросхемы 5G, микросхемы новой энергетики, микросхемы IoT, микросхемы Bluetooth,IC V2X, автомобильные IC, коммуникационные IC, AI IC, память IC, датчик IC, микроконтроллер IC, приемопередатчик IC, Ethernet IC, Wi-Fi чипы, беспроводные коммуникационные модули и разъемы.Мы предоставляем профессиональные услуги по переработке, чтобы помочь клиентам очистить избыточный запас, сэкономить складское пространство и снизить затраты на хранение и управление.

[Ключевые преимущества переработки]

Высококонкурентные цены: лидирующие в отрасли оценки

Используя наши глобальные каналы распространения компонентов и сравнение с ценами оригинальных производителей на спотовом рынке, мы предлагаем цены покупки, которые превышают стандартные котировки на рынке.Мы устанавливаем отдельные цены на оптовые запасы и отдельные образцыДля крупных партий мы можем предоставить услуги по проверке на месте и ценообразованию.

Гибкий расчет: многократные способы оплаты

наличные при доставке, корпоративные банковские переводы и расчет в тот же день; оплата за небольшие партии производится при подтверждении доставки курьером; для больших объемов заказовИнспекция на месте и немедленное урегулирование возможны, сокращая цикл получения денежных средств компании.

Глобальная переработка: многорегиональные пункты сбора

С нашей штаб-квартирой в Шэньчжэне, которая служит основным центром, мы установили партнерские отношения с хранилищами переработки в Гонконге, Японии, Южной Корее, Европе и Соединенных Штатах.Как внутренний, так и международный запас можно вернуть по почте.Мы поддерживаем соблюдение таможенного оформления для импортируемых избыточных материалов и принимаем только подлинные компоненты OEM, полученные из законных каналов (дистрибьюторов,конечные производители или уполномоченные дистрибьюторы)Соответствующие сделки могут быть формально установлены посредством контракта на переработку.

[Процесс переработки]

Поставщики составляют перечень запасов: номер модели, количество, состояние упаковки, дата производства и состояние материала (новое/разборка/образец);

Отправить материальные данные и фотографии предметов нашим специалистам по оценке;

Профессиональная оферта предоставляется в течение одного часа; как только цена подтверждается, организуется отправка или сбор;

Оплата производится сразу после успешной проверки, и сделка завершена.

I. Транзисторы с полевым эффектом GaNEXUSTM низкого/среднего напряжения (40V~200V)

Низковольтные и средневольтные GaNEXUS FET - это боковые GaN HEMT с режимом усиления, предназначенные для низковольтных приложений преобразования мощности, таких как 48-вольтные архитектуры автобусов, точечные источники питания,робототехнические сервоприводы и системы управления батареями.

Ключевые особенности

сверхнизкое сопротивление, чрезвычайно низкое зарядное и выходное зарядное состояние шлюза и нулевое обратное восстановление заряда, поддерживающее переключение высокой частоты на уровне МГц;

Оптимизированная временная реакция, обеспечивающая в 1,5−2 раза более высокую плотность мощности и 0,5%−2% более высокую эффективность системы по сравнению с кремниевыми решениями MOS;

Широкий спектр вариантов упаковки: пакеты с двойным охлаждением 3,3 × 3,3 мм, 5 × 6 мм, пакеты TOLL (отверстительное охлаждение) и TOLT (отверстительное охлаждение), подходящие для макетов ПК с высокой плотностью;

Поддерживает двунаправленную проводимость, подходящую для синхронной ректификации и двунаправленной топологии постоянного тока.

Типичные применения

Сервер AI 48V преобразователи промежуточных шинок (IBC), источники питания GPU в точке загрузки (POL), сервомоторные приводы гуманоидных роботов, системы управления аккумуляторами для хранения энергии (BMS),промышленные низковольтные преобразователи постоянного тока в постоянный ток, и встроенные источники питания для телекоммуникаций.

II. Транзисторы с эффектом поля высокого напряжения GaNEXUSTM (серия 650 В, расширенная до 1200 В)

Высоковольтные GaNEXUS FET специально разработаны для изолированных источников питания со стороны сети, высокомощных преобразователей переменного тока и постоянного тока и резонансных преобразователей LLC,и служат в качестве основных коммутационных устройств в источниках питания центра обработки данных, зарядные пункты и промышленные источники питания.

Ключевые особенности

650 В номинальное напряжение, охватывающее основные требования конверсии входной мощности переменного тока при одновременном сбалансировании потерь проводимости и потерь переключения;

Отличная высокочастотная производительность мягкого переключения с частотой работы от 500 кГц до 2 МГц,уменьшение объема магнитных компонентов, таких как трансформаторы и индукторы, до 60 процентов;

Устойчивая толерантность напряжения, упрощение конструкции подавления EMI и сокращение количества требуемых пассивных компонентов;

Пакеты высокого тока с тепловым управлением, такие как PDSO-F9 и PDSO-G16, поддерживающие непрерывную высокую мощность.

Типичные применения

Источники питания серверов центров обработки данных ИИ, встроенные зарядные устройства (OBC), станции быстрой зарядки постоянного тока, фотоэлектрические микроинверторы, высокопроизводительные промышленные коммутационные источники питания и изолированные резонансные преобразователи LLC.

III. Устройства GaNEXUSTM Smart с нитридом галлия (GaNEXUS Smart, 650 В)

GaNEXUS Smart является флагманским интегрированным продуктом платформы GaNEXUS.Он отрывается от сложной архитектуры традиционных дискретных GaN решений √ переключатель + внешний драйвер + внешняя защита √ путем интеграции переключателя GaN мощности, зажимание ворот, зажимание Миллера и защитные схемы на чипе в один чип, отмечая переход нитрида галлия от дискретных устройств к интеллектуальным, интегрированным выключателям питания.

Встроенные интегрированные функции

Защита от зажима напряжения ворот (зажиматель ворот)

Интегрированное зажимание Миллера для подавления высокочастотных колебаний переключения

Защита от чрезмерной температуры (OTP)

Защита от короткого замыкания

Запрет на низкое напряжение (UVLO)

Пример модели устройства: NCP58933ABL (650V, 42mΩ)

Основные преимущества

Значительно упрощает периферийные схемы: уменьшает потребность во внешних управляющих ИС, периферийных резисторах и конденсаторах и схемах мониторинга, одновременно минимизируя влияние ПКБ;

Уменьшает паразитарные параметры: сокращает путь цепи привода, подавляет высокочастотные колебания и упрощает отладку EMC;

Быстрая реакция на сбои на аппаратном уровне: скорость реакции защиты на чипе значительно превышает скорость обнаружения программного обеспечения MCU, повышая безопасность энергосистемы;

Нативная совместимость с платформой питания Treo от ON Semiconductor, позволяющей определять температуру и отчитываться о состоянии системы для создания цифровых интеллектуальных источников питания.

Типичные применения

Промышленные источники питания с высокой плотностью, высокопроизводительная быстрая зарядка, преобразователи для хранения энергии, высоконадежные источники питания для вычислительного искусственного интеллекта,и высококачественное электрооборудование с строгими требованиями безопасности от ошибок.

IV. Общие основные преимущества платформы GaNEXUSTM

Полный охват напряжением: 40V низковольтная шина → 200V среднее напряжение преобразование → 650V высоковольтная сеть стороны; единая продуктовая платформа охватывает всю цепочку питания источника питания;

Экосистемная синергия: беспрепятственно интегрируется с управляющими ИС, драйверами и сенсорными решениями Treo от ON Semiconductor, обеспечивая единую ссылочную конструкцию “контроллер + драйвер + переключатель питания GaN”;

Система превосходного теплового проектирования: двусторонняя матрица упаковки для рассеивания тепла с верхним и нижним охлаждением, подходящая для сценариев высокой плотности и высокого непрерывного потребления энергии;

Единая архитектура процессов: высокая согласованность динамических параметров устройства облегчает совместимость конструкции с несколькими моделями и сокращает циклы разработки продукции;

балансирование энергоэффективности и затрат: значительно снижает потери на уровне системы по сравнению с традиционными кремниевыми решениями;Предлагает два технических маршрута: дискретные и интеллектуальные интегрированные версии по сравнению с конкурирующими решениями GaN, что позволяет клиентам выбирать подходящий вариант на основе их потребностей.

V. Обзор целевого рынка

Электроснабжение центров обработки данных ИИ и вычислительной мощности облачных вычислений

Сервоприводы для промышленной автоматизации и гуманоидных роботов

Бортовые источники питания для новых энергетических транспортных средств и станций зарядки постоянного тока

Системы хранения энергии и фотоэнергетическая инфраструктура

Электрические источники электричества для телекоммуникаций и высокопроизводительная быстрая зарядка