Блог компании Переработка TI MOSFET: N-канальные MOSFET, P-канальные MOSFET, силовые блоки

Перерабатывать TI MOSFET:N-Channel MOSFET,P-Channel MOSFET,блоки питания

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.является ведущим поставщиком услуг по переработке электронных компонентов в Китае, специализирующимся на переработке электронных компонентов, включая: интегральные схемы, чипы 5G, интегральные схемы новой энергетики.,Интегрированные схемы Интернета вещей, интегральные микросхемы Bluetooth, интегральные микросхемы V2X, автомобильные интегральные микросхемы, коммуникационные интегральные микросхемы, интегральные микросхемы искусственного интеллекта, хранилищные интегральные микросхемы, сенсорные интегральные микросхемы, микроконтроллерные интегральные микросхемыIC-передатчиковС профессиональным пониманием рынка и обширной сетью продаж,мы предлагаем клиентам самые конкурентоспособные цены на переработку и стремимся стать их самым надежным партнером в отрасли переработки электронных компонентов.

Процесс переработки:

1- Сортируйте излишки IC/модулей, определив модель, марку, дату производства и количество.

2Отправьте список инвентаря по факсу или электронной почте в нашу оценочную команду.

3После достижения соглашения, обе стороны будут вести переговоры о конкретном способе сделки для доставки.

4Компания перерабатывает только компоненты, полученные по официальным каналам, таким как дистрибьюторы, трейдеры и заводы конечных пользователей, и не принимает компоненты из неофициальных каналов.

NexFETTM MOSFET предлагает широкий спектр N-канальных и P-канальных энергомодулей, а также дискретные решения для питания.большей плотности мощностиЭти преимущества обеспечивают гибкость для миниатюризированных конструкций и позволяют конструкторам сократить время выхода на рынок.

N-канальный MOSFET

N-канальные MOSFET являются ключевым компонентом линейки продуктов T Power Semiconductor, предлагая такие преимущества, как низкое сопротивление и быстрая скорость переключения.

TI N-канальные MOSFET в основном включают следующие типы:

Низковольтные N-канальные MOSFET (<100V): такие как CSD17313Q2, CSD18532Q5B и т.д., подходящие для управления питанием, светодиодных драйверов и других приложений потребительской электроники.

Средне- и высоковольтные N-канальные MOSFET (100V ≈ 600V): включая такие модели, как CSD19536Q5A и CSD19535KCS, обычно используемые в промышленных двигателях, переключающих источниках питания и других приложениях.

Ультравысоковольтные N-канальные MOSFET (>600V): в основном используются в высокомощных приложениях, таких как производство возобновляемой энергии и зарядные станции для электромобилей.

Эти N-канальные MOSFET используют передовые технологии процесса, такие как технология TI NexFETTM power MOSFET, с оптимизированным зарядом шлюза (Qg) и низким сопротивлением (RDS ((on)) характеристики,значительное повышение эффективности системы.

P-канальные MOSFET

P-канальные MOSFET обычно используются в проектировании схем для упрощения архитектуры управления питанием.

TI P-канальные MOSFET включают:

Стандартные P-канальные MOSFET: такие как модели CSD25404Q3 и CSD25402Q3, подходящие для переключения нагрузки, управления путями питания и других приложений.

Автомобильные P-канальные MOSFET: продукты, соответствующие сертификации AEC-Q101, такие как CSD25401Q3A, подходящие для автомобильных электронных систем.

MOSFET с малым сигналом P-каналом: используя компактные пакеты, такие как SOT-23, они предназначены для портативных устройств и ограниченных пространством приложений.

P-канальные MOSFET TI имеют низкий заряд шлюза и оптимизированные характеристики диодов корпуса, что снижает потери переключения и повышает эффективность системы в целом.

Блоки питания

Power Blocks интегрируют MOSFET, схемы драйверов и защитные функции, подходящие для приложений, требующих высокой плотности мощности и эффективности.

Ключевые модели включают:

LMG3410R050: интегрирует 600В GaN FET с схемами драйверов, поддерживающей эффективную конверсию мощности, подходящую для серверных источников питания, центров обработки данных и промышленных энергосистем.

LMG3522R030: Модуль питания GaN мощностью 650 В с защитой от перенапряжения и функциями мониторинга температуры, широко используемый в зарядных станциях электромобилей, солнечных инверторах,и другие высокомощные приложения.

Традиционные силовые модули на основе кремния: в том числе различные преобразователи постоянного тока в постоянный ток, модули POL (Point-of-Load) и т.д.

Электроблоки TI используют передовые технологии упаковки и конструкцию теплового управления для значительного повышения плотности питания и надежности системы.