Блог компании Переработка силовых каскадов TI: GaN силовые каскады, Si силовые каскады

Переработка силовых каскадов TI: силовые каскады GaN, силовые каскады Si

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. специализируется в области переработки электронных компонентов уже много лет и является ведущим поставщиком решений по управлению запасами в Китае. Мы предлагаем долгосрочные, высокоценные услуги по переработке электронных компонентов и чипов по всему миру за наличные, предоставляя эффективные, безопасные и прозрачные услуги по очистке запасов и управлению неиспользуемыми запасами для клиентов на всех этапах цепочки поставок.

Ключевые преимущества нашей услуги выкупа

1. Высокие цены покупки и высококонкурентные предложения

Используя нашу глобальную базу данных рынка и профессиональную команду оценщиков, мы предоставляем котировки в реальном времени, отражающие текущие рыночные условия для чипов. Без наценки посредников и с немедленной выплатой наличными мы максимизируем стоимость ваших активов. Мы приветствуем партнерство с производителями оригинального оборудования (OEM), агентами, конечными заводами и дистрибьюторами.

2. Комплексный выкуп без ограничений по спецификациям

Полные катушки: Мы отдаем приоритет выкупу высокоценных чипов в оригинальной упаковке, включая полные катушки и полные коробки;

Россыпные детали и устаревшие запасы: Мы принимаем образцы, снятые с производства запасы, продукты с истекшим сроком службы и излишки материалов по проектам;

Любое состояние: Мы принимаем совершенно новые, нераспечатанные продукты; оригинальные россыпные детали; полностью функциональные компоненты из разобранного оборудования; и все виды устаревших запасов.

3. Эффективный процесс, безопасный и соответствующий требованиям

Согласование требований: Клиенты предоставляют список номеров деталей, количества, номеров партий и состояний;

Быстрое предложение: Точные предложения выдаются в течение 1-2 часов;

Инспекция и приемка: Осмотр на месте или тестирование образцов с подтверждением на месте;

Немедленный расчет: Оплата наличными или банковским переводом производится немедленно после успешной приемки;

4. Глобальный сервис, гибкие решения

Штаб-квартира нашей компании находится в Шэньчжэне, наш бизнес охватывает как внутренний, так и зарубежный рынки. Мы поддерживаем сбор на месте, бесплатную доставку курьером и трансграничные транзакции. Мы обеспечиваем абсолютную конфиденциальность на протяжении всего процесса, защищая конфиденциальность цепочек поставок наших клиентов и устраняя любые риски, связанные с отраслью.

Продукты силовых каскадов TI делятся на две основные продуктовые линейки: интегрированные силовые каскады GaN и интегрированные силовые каскады Si (кремниевые MOSFET). Оба используют решение для интеграции нескольких чипов, объединяя силовые ключи, драйверы затвора, схемы измерения тока и защиты в одном устройстве, напрямую предоставляя полный коммутирующий блок. Это значительно сокращает количество внешних компонентов, упрощает компоновку печатной платы и подходит для различных сценариев преобразования мощности, таких как блоки питания серверов, промышленные блоки питания, автомобильные системы питания, блоки питания гуманоидных роботов и телекоммуникационные блоки питания.

I. Силовые каскады TI GaN (интегрированные силовые каскады на нитриде галлия)

Силовые каскады TI GaN разработаны с использованием кремниевого процесса GaN (GaN-on-Si) с улучшенным режимом работы GaN FET и классифицируются как широкозонные силовые интегрированные устройства. Типичные модели включают LMG3410R050, LMG5200, LMG708B0 и DRV7308, охватывающие номинальные напряжения от 80 В до 650 В, с выбором архитектур полумоста, полного моста и трехфазного IPM.

Ключевые особенности

1. Нулевой заряд обратного восстановления: GaN FET не проявляют эффекта обратного восстановления, присутствующего в диоде корпуса кремниевых MOSFET. Потери при переключении могут быть снижены до 80% по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET, что позволяет осуществлять высокочастотное переключение на уровне МГц, уменьшать размеры индукторов и конденсаторов и значительно повышать плотность мощности.

2. Высокоинтегрированный драйвер на кристалле: Интегрирует силовой GaN-устройство, драйвер затвора, защиту от перегрузки по току, перегрева и пониженного напряжения, а также измерение тока в одном корпусе. Это устраняет проблемы звона и электромагнитных помех, вызванные паразитной индуктивностью контура затвора в дискретных решениях, и снижает сложность ввода в эксплуатацию.

3. Низкая паразитная емкость: Минимальная входная и выходная емкость снижает звон узла переключения и затраты на фильтрацию электромагнитных помех, что делает его подходящим для топологий, таких как тотемный PFC, высокочастотный LLC и высокочастотные инверторы двигателей.

4. Тщательно проверенная надежность: Устройство прошло более 40 миллионов часов ускоренных испытаний на надежность; версия высокого напряжения оснащена комплексными механизмами защиты, соответствующими требованиям высокой надежности, таким как промышленные и автомобильные приложения AEC-Q100 Grade 1.

Типичные применения

Блоки питания для серверов ИИ-вычислений, блоки питания для дата-центров 1U, бортовые зарядные устройства (OBC) для автомобилей, промышленные высокочастотные блоки питания, инверторы питания для дронов, сервоприводы для гуманоидных роботов, блоки питания для базовых станций связи и высококлассные адаптеры.

II. Силовые каскады TI Si (интегрированные силовые каскады на кремниевых MOSFET)

Силовые каскады TI Si основаны на зрелых кремниевых MOSFET-процессах, интегрируя высокоуровневые и низкоуровневые кремниевые MOSFET, драйверы затвора и схемы измерения тока. Они представляют собой классическое интегрированное решение силовых каскадов для приложений понижающих DC-DC преобразователей, ориентированных на средне- и низковольтные сценарии с высоким током. Они предлагают широкий спектр моделей, контролируемые затраты и зрелую инженерную экосистему.

Ключевые особенности

1. Зрелый кремниевый процесс: Использует кремниевые MOSFET с оптимизированным сопротивлением во включенном состоянии (Rds(on)), обеспечивая отличные характеристики потерь проводимости в средне- и низковольтных приложениях с средне- и низкочастотным переключением, со стабильным предложением и широким выбором устройств.

2. Интегрированный коммутирующий блок полумоста: Оснащен встроенным драйвером, высокоуровневыми и низкоуровневыми кремниевыми MOSFET и измерением тока, предназначенными для понижающих преобразователей. Это устраняет необходимость во внешних драйверных микросхемах и упрощает проектирование блоков питания POL (Point-of-Load) с высоким током.

3. Комплексные функции защиты: Интегрированная защита от перегрузки по току, тепловое отключение и блокировка при пониженном напряжении обеспечивают надежную защиту от аномальных условий эксплуатации, таких как короткие замыкания и перегрузки.

4. Ограничения по частоте: Из-за обратного восстановления диода корпуса кремниевых MOSFET частота переключения обычно ограничена несколькими сотнями кГц; по мере увеличения частоты потери при переключении быстро растут, оставляя ограниченные возможности для повышения плотности мощности.

Типичные применения

Блоки питания POL (Point-of-Load) для материнских плат серверов; блоки питания для FPGA и процессоров; блоки питания для промышленных плат управления; блоки питания для систем безопасности; понижающие DC-DC преобразователи для потребительской электроники; вспомогательные блоки питания для оборудования автоматизации.

III. Сравнение силовых каскадов TI GaN и силовых каскадов Si

1. Частота переключения

Силовые каскады GaN: Могут достигать диапазона МГц, поддерживая высокочастотные топологии;

Силовые каскады Si: В основном работают на десятках кГц до нескольких сотен кГц; потери значительно увеличиваются на высоких частотах.

2. Плотность мощности

Силовые каскады GaN: Объем пассивных компонентов значительно уменьшается, что приводит к уменьшению размеров решений при той же выходной мощности;

Силовые каскады Si: Пассивные компоненты относительно велики, что приводит к более низкой плотности мощности решения;

3. Характеристики потерь

Силовые каскады GaN: Чрезвычайно низкие потери при переключении и нулевое обратное восстановление, подходят для высокочастотных, высоковольтных приложений;

Силовые каскады Si: Обеспечивают преимущества в потерях во включенном состоянии на низких частотах и средне-низких напряжениях, но страдают от значительных потерь при обратном восстановлении на высоких частотах.

4. Стоимость системы

Силовые каскады GaN: Хотя цена за единицу компонентов выше, потребность в радиаторах, фильтрах электромагнитных помех, индукторах и конденсаторах снижается, что дает высокочастотным, высоковольтным комплексным системным решениям преимущество в стоимости;

Силовые каскады Si: Сами компоненты недороги, что делает общую BOM более экономичной для низкочастотных, средне-низковольтных приложений.

5. Подходящие топологии

Силовые каскады GaN: Тотемный мостовой PFC без моста, высокочастотный LLC, трехфазные инверторы двигателей, высокочастотный полумост / полный мост;

Силовые каскады Si: Понижающие преобразователи, традиционные повышающие преобразователи, низкочастотные полные мосты.