logo
Отправить запрос |
Главная страница Новости

Блог компании SAMSUNG DRAM Memory K3KL3L30DM-BGCU 128Gb низкомощная динамическая память с случайным доступом

Все продукты

Обломок интегральной схемаы

(20932)

BT IC

(554)

Автомобильные модули IGBT

(2192)

Микроконтроллер MCU

(14816)

GaN IC

(166)

Чип процессора ИИ

(1226)

Вентильная матрица поля Programmable

(7003)

ИС Ethernet

(1061)

Коннекторы

(3492)

Микросхема памяти

(2537)

Датчик IC

(2471)

IoT-чип

(244)

5G-модуль

(155)

Обломок WIFI

(153)

Обломок Iphone IC

(54)

Беспроводной модуль связи

(3701)

Термостат регулятора температуры

(9)

Врезанные решения

(2444)
Сертификация
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Просмотрения клиента
Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение
компания Блог
SAMSUNG DRAM Memory K3KL3L30DM-BGCU 128Gb низкомощная динамическая память с случайным доступом
последние новости компании о SAMSUNG DRAM Memory K3KL3L30DM-BGCU 128Gb низкомощная динамическая память с случайным доступом

SAMSUNG DRAM Memory K3KL3L30DM-BGCU 128Gb низкомощная динамическая память с случайным доступом

 

последние новости компании о SAMSUNG DRAM Memory K3KL3L30DM-BGCU 128Gb низкомощная динамическая память с случайным доступом 0

 

Описание

K3KL3L30DM-BGCU представляет собой 128 ГБ динамическую память с низким энергопотреблением для мобильных и бортовых устройств.

 

С скоростью в 1,3 раза быстрее, чем предыдущее поколение и на 20% лучшей энергоэффективностью,Премиум низкопроизводительная DRAM LPDDR5X выходит за рамки мобильных устройств - лидирует на рынке низкопроизводительной DRAM более чем когда-либо для повышения производительности ПК, серверов, и транспортных средств во всех новых отношениях.

 

Спецификация
Плотность: 128 Гб
Организация: x64
Скорость: 8533 Мбит / с
напряжение:10,8 / 1,05 / 0,9 / 0,5 В
Температура:-25 ~ 85 °C
Пакет:496-FBGA

Время Pub : 2024-06-20 10:53:11 >> список новостей
Контактная информация
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Контактное лицо: Mr. Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

около

Обломок интегральной схемаы

VN7008AJTR интегральная схема Чип высокий драйвер 96A высокие переключатели PowerSSO-16

ADG1433YCPZ интегральный микросхема чип iCMOSTM переключатель 4.7 Ом Промышленные CMOS аналоговые переключатели

LT6700CS6-1 Комплексная схема микроэлектрический низковольтный двойной сравнитель с 400mV ссылкой

ИС Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-линейный 6-портовый PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-линейный 16-портовый PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Аляска Ультра Гигабитные Ethernet PHY передатчики

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество Обломок интегральной схемаы поставщик. © 2022 - 2025 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.. All Rights Reserved.