Блог компании Шэньчжэнь Миньцзяда Электроника.

Полный ассортимент продуктов Mingjiada для серверов ИИ

С взрывным ростом вычислительной мощности ИИ, мощные MOSFET стали "компонентами узкого горла" в цепочках электроснабжения.

Поскольку широкомасштабное развертывание кластеров для обучения и вывода больших моделей становится нормой,Потребление энергии на шкаф в серверах ИИ выросло с традиционного диапазона 10 кВт до диапазона 100 кВт на платформе GB200Архитектуры питания быстро переходят от традиционных 12В автобусных систем к 48V/800V высоковольтным архитектурам постоянного тока.По мере увеличения числа этапов преобразования мощности и удвоения скоростного тока, спрос на мощность MOSFET и требования к производительности, предъявляемые к ним, значительно растут.Промышленные оценки показывают, что один сервер ИИ использует от трех до пяти раз больше полупроводников, чем традиционный сервер, а стоимость силовых полупроводников в одном шкафу сервера ИИ, по прогнозам, вырастет примерно с 15 000 до 115 000 долларов США к 2030 году.

На этом фоне, Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., авторизованный независимый дистрибьютор с почти трех десятилетий опыта в цепочке поставок электронных компонентов, leverages its dual warehousing centres in Shenzhen and Hong Kong and a supply capacity of 2 million stock-keeping units (SKUs) to provide a full range of power MOSFETs from leading international brands—including Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics, Vishay, ROHM и Renesas для проектирования источников питания серверов ИИ.

Серия продуктов Core Power MOSFET для серверов ИИ, поставляемых Mingjiada

I. Infineon: полный охват цепочки от PFC до IBC

Infineon может похвастаться самым полным портфелем продуктов в цепочке электроснабжения серверов ИИ. Mingjiada поставляет следующие основные серии из запасов:

Серия OptiMOSTM 5/6/7 (среднее-низкое напряжение, 25V ≈ 250V): охватывает основные требования многофазных буковых преобразователей и преобразователей промежуточных шинок (IBC).с двусторонним теплораспределяющим пакетом размером 5×6 мм2, была интегрирована в IBC-уровне серверных платформ ИИ ведущими производителями процессоров.с RDS ((on) уменьшенным на 25% для варианта 40 В и на 40% для вариантов 80 В/100 В по сравнению с предыдущим поколением. Mingjiada поддерживает запас популярных моделей серверов ИИ IBC, таких как BSC050N10NS5 (100V / 5mΩ).

Серия CoolMOSTM C7/C8 (высокое напряжение, 600V950V): Подходит для этапов PFC и LLC серверов ИИ. CoolMOSTM 8 использует.Технология взаимосвязи XT предлагает лучшие в отрасли тепловые характеристикиТипичная модель SPW20N60C3 (650V/20.7A) широко используется в промышленных источниках питания и серверных схемах PFC.

Серия CoolSiCTM 400V (для стадий переменного тока и постоянного тока): 400V SiC MOSFET от Infineon, основанные на технологии CoolSiCTM второго поколения, специально разработаны для стадий переменного тока и постоянного тока серверов ИИ.обеспечивающие плотность мощности более 100 Вт/ин3 и эффективность стадии PFC 990,5%.

StrongIRFETTM серия: позиционируется как экономически эффективное решение для среднего и низкого напряжения приложений, с VBRDSS до 100V, RDS ((on) до 1,2mΩ и максимальный ID 282A,Он подходит для таких приложений, как вспомогательные источники питания и переключатели нагрузки в серверах ИИ..

II. О полупроводнике: PowerTrench® T10 + EliteSiCTM комбинированное решение

Решения для серверов с искусственным интеллектом от ON Semiconductor характеризуются двулинейной конфигурацией на основе кремния + карбида кремния.Серия T10 PowerTrench® последнего поколения использует конструкцию траншеи с защищенными воротами, оптимизированный специально для применения высокого тока на стадиях преобразования мощности постоянного тока в постоянный ток, обеспечивающий более высокую плотность мощности и исключительные тепловые характеристики в компактном комплекте.При использовании в сочетании с серией T10, EliteSiCTM 650V M3S MOSFET уменьшает заряд шлюза на 50% и выходной емкостной энергии на 44% по сравнению с предыдущим поколением,тем самым сокращение потерь мощности центра обработки данных примерно на 1%.Кроме того, компания ON Semiconductor запустила модуль мощности облачных вычислений на 12 кВт с использованием M3S MOSFET и SiC JFET, достигнув максимальной эффективности до 98% для всего блока..

Mingjiada акции на Серию EliteSiC MOSFET от Semiconductor (покрывающую полный диапазон напряжения от 650V до 1700V),а также PowerTrench серии одноканальных N-канальных MOSFET, таких как NVMFS5C404NL и NVMFS5C456NL, и поддерживает как небольшие партии образцов, так и большие объемы заказов.

III. Vishay: TrenchFET® Gen V Low-on-resistance Solution (Решение с низким уровнем сопротивления)

Vishay SiRS5700DP представляет собой 150-вольтный TrenchFET® Gen V N-канальный питательный MOSFET, размещенный в пакете PowerPAK® SO-8S (QFN 6×5), с RDS ((on) до 5.6 mΩ и коэффициент качества (RDS ((on) × Qg) всего 336 mΩ·nC, RthJC до 0,45°C/W, и непрерывный отводный ток до 144 A.Это устройство специально разработано для удовлетворения требований к эффективности систем питания серверов AI мощностью 6 kW и подходит для синхронной ректификацииТипичные приложения включают серверы ИИ, краевые вычисления и суперкомпьютеры.Mingjiada предлагает немедленную доступность SiRS5700DP и полный спектр Vishay TrenchFET мощности MOSFET.

IV. ROHM: MOSFET, специально разработанные для 48-вольтных горячих обменных приложений на серверах ИИ

ROHM запустила 100В мощности MOSFETs RY7P250BM и RS7P200BM для 48V питания горячих обменных схем в серверах ИИ.RY7P250BM достигает толерантности SOA до 16 A при VDS = 48 V и ширине импульса 10 ms, и до 50 А при 1 мс, с сопротивлением включения до 1,86 мΩ. Он достигает ведущего в отрасли баланса между более широким диапазоном SOA и более низким сопротивлением включения,и был сертифицирован и рекомендован всемирно известными облачными платформамиRS7P200BM обеспечивает широкий диапазон SOA в компактном пакете 5,0 × 6,0 мм, отвечающем требованиям конструкций высокой плотности питания.Mingjiada уже давно поставляет ROHM N-канальные мощные MOSFET и SiC MOSFET продукты, включая такие модели, как RCX450N20 (200 V/45 A).

V. STMicroelectronics (ST): MDmeshTM и STripFETTM серии

Мосфеты мощности ST ≈ охватывают широкий диапазон разрывного напряжения от ≈100 V до 1700 V,достижение низкого заряда шлюза и низкого сопротивления через высоковольтную серию MDmeshTM и низковольтную серию STripFETTMТипичная модель, STW48N60M6 (600 V/48 A, 0.060 Ω), подходит для стадии PFC серверов ИИ и высоковольтного преобразования постоянного тока / постоянного тока.Продукты ST ′ с расширенным диапазоном напряжения 650V ′ 2200V имеют ультравысокую температуру (TJ до 200°C) и чрезвычайно низкие потери переключения, обеспечивающий альтернативу карбиду кремния для высокоэффективных ступеней переменного тока/ постоянного тока в серверах ИИ.

Мингцзяда гарантирует поставки

Оригинальные продукты и обширный запас: Mingjiada распространяет продукцию от более чем 500 производителей полупроводников по всему миру; все мощные MOSFET являются оригинальными, заводскими продуктами,с предоставляемыми услугами отслеживания партииНаши двойные складские центры в Шэньчжэне и Гонконге поддерживают запас из 2 миллионов различных номеров деталей, поддерживая быстрый "заказ сегодня, отправка завтра" ответ.

Гибкие закупки и глобальная доставка: мы поддерживаем как закупки небольших партий образцов (начиная с одной единицы), так и заказы на производственные линии в миллионах,удовлетворение требований полного цикла от прототипирования питания серверов ИИ до массового производстваЧерез наши филиалы в Гонконге, Японии, России и других странах, мы поддерживаем международные перевозки DHL/UPS для обеспечения быстрой глобальной доставки.

Контакт с Минцзяда: Официальный сайтwww.integrated-ic.com∙ ∙ Служба горячей линии +86 13410018555 (г-н Чэнь) ∙ ∙ Email sales@hkmjd.com