Блог компании Поставки Infineon CoolGaN™, CoolSiC™ и MOSFET-транзисторов n-типа для питания дата-центров ИИ, электромобилей и бортовых зарядных устройств (БЗУ)

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., всемирно известный авторизованный дистрибьютор электронных компонентов с почти трех десятилетий опыта,специализируется на поставке полного спектра N-канальных MOSFET InfineonМы стремимся обеспечить энергоэффективные, высокоэффективные, высокоэффективные, высокоэффективные, высокоэффективные, высокоэффективные, высокоэффективные, высокоэффективные, высокоэффективные, высокоэффективные, высокоэффективные, высокоэффективные, высокоэффективные, высокоэффективные, высокоэффективные, высокоэффективные, высокоэффективные, высокоэффективные,решения систем с высокой плотностью мощности для питания серверов ИИ, электроприводные системы новых энергетических транспортных средств и бортовые зарядные устройства (OBC), фотоэлектрическое хранение энергии и промышленные источники питания, поддерживающие быструю доставку образцов НИОКР в серийное производство.

Основные серии продуктов и сценарии применения

1. Транзисторы CoolGaNTM: Центры обработки данных ИИ и источники питания для быстрой зарядки

Основанная на технологии галлиевого нитрида (GaN), серия Infineon CoolGaNTM имеет нулевое обратное восстановление заряда и сверхвысокие частоты переключения,значительное повышение эффективности преобразования мощности и сокращение размера системы.

Серверы ИИ и источники питания для центров обработки данных: устройства CoolGaNTM поддерживают высокоэффективную подачу энергии по всей цепочке от сети до чипа (PSU, преобразование 48V-бусы),удовлетворение требований высокой плотности мощности вычислительной инфраструктуры ИИ.

Быстрая зарядка для потребителей и связи: подходит для адаптеров USB-C, зарядных устройств с высокой плотностью питания и управления питанием в умных устройствах, помогая клиентам достичь компактных конструкций.

CoolGaNTM BDS 650V G5: инновационный двунаправленный коммутатор (BDS) может заменить два традиционных коммутатора, уменьшив количество компонентов и снизив затраты на систему;он подходит для стыковочных ящиков батареи и преобразователей постоянного тока в постоянный ток.

2. CoolSiCTM MOSFET из карбида кремния: новые энергетические транспортные средства и промышленные приводы

CoolSiCTM MOSFET Infineon используют технологию карбида кремния (SiC), поддерживают напряжение до 1200V/1700V,и имеют рабочую способность при температуре соединения 175°C вместе с ультранизким сопротивлением (снижающим сопротивление более чем на 50%), что позволяет повысить эффективность системы на 3−5%.

Инверторы основного привода для электромобилей (EV): оптимизированы для высоковольтных платформ 800 В, они значительно улучшают дальность движения и эффективность зарядки;Модули HybridPACKTM Drive интегрируют датчики температуры NTC и могут выдерживать температуру в салоне, превышающую 150°C.

Бортовые зарядные устройства (OBC) и преобразователи DC-DC:CoolSiCTM MOSFET обеспечивают выдающуюся производительность в топологиях жесткого переключения (таких как тотем-полюсные PFC и Венские выпрямители) и служат основными компонентами для бортовых источников питания следующего поколения.

Промышленные двигатели и возобновляемые источники энергии: подходят для фотоэлектрических инверторов, систем хранения энергии (ESS) и промышленных двигателей с переменной частотой,сокращение потерь и упрощение тепловой конструкции.

3. CoolSiCTM G5 Силиконокарбидные диоды Schottky: коррекция высоконадежного фактора питания

Диоды CoolSiCTM G5 отличаются нулевым обратным восстановлением тока и температурно-независимым поведением переключения, что делает их идеальным выбором для высокочастотных PFC-схем.

Трехфазные инверторы серии и зарядные станции для электромобилей:Такие модели, как IDYH10G200C5, используют пакет PG-TO247-4-PLUS и технологию взаимосвязи XT Infineon, чтобы обеспечить передовые в отрасли тепловые характеристики.

Серверные и телекоммуникационные источники питания: уменьшают потери переключения, повышают эффективность преобразования тока AC-DC и удовлетворяют строгим требованиям промышленной надежности.

4N-Channel MOSFETs (OptiMOSTM & CoolMOSTM): промышленная и автомобильная базовая преобразование мощности

Mingjiada также поставляет серии OptiMOSTM и CoolMOSTM Infineon на основе кремния N-канальных MOSFET, охватывающих применения от низкого напряжения до высокого напряжения.

Промышленное управление и бытовые приборы: предоставление экономически эффективных высокочастотных коммутационных решений для приводов двигателей, коммутационных источников питания (SMPS) и драйверов освещения.

Автомобильная электроника: в сочетании с драйверами шлюзов EiceDRIVER TM они образуют полную цепочку преобразования мощности, обеспечивая функциональную безопасность и соответствие EMC.

О Mingjiada Electronics. Официальный поставщик

Основанная в 1996 году и сертифицированная по стандартам ISO 9001 и ISO 14001, Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. является всемирно известным авторизованным независимым дистрибьютором электронных компонентов.Компания управляет крупными дистрибьюторскими центрами в Шэньчжэне, Гонконга и других мест, поддерживая запас более 1 миллиона SKU и предлагая клиентам быструю доставку в течение 24 ≈ 48 часов.

Преимущества поставки:

100% оригинальные продукты: все продукты поставляются непосредственно от оригинальных производителей или авторизованных каналов

Конкурентоспособные цены: используя преимущества оптовых закупок, цены на некоторые модели на 10%15% ниже среднего по рынку

Гибкое снабжение: мы поддерживаем заказы от одного изделия до заказов на производственную линию в миллионах, удовлетворяя все потребности от R & D прототипирования до массового производства

Получи цитату сейчас

Если вам нужно приобрести диоды Infineon CoolGaNTM, CoolSiCTM, N-канальные MOSFET или CoolSiCTM G5 Schottky, пожалуйста, немедленно свяжитесь с Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.Мы предоставляем поставки на складе и быструю поддержку доставки для клиентов в центрах обработки данных ИИ, новые энергетические транспортные средства, промышленные источники энергии и возобновляемая энергия.