Блог компании [Поставка] FF4000UXTR33T2M1 (Infineon) Кремниевый карбид Мосфетные модули: 3,3 кВ XHPTM 2 CoolSiCTM Мосфетные полумостовые модули

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. [поставка]FF4000UXTR33T2M1(Infineon) Кремниекарбидные модули MOSFET: 3,3 кВ XHPTM 2 CoolSiCTM MOSFET полумостовые модули

FF4000UXTR33T2M1: XHP 2 CoolSiCTM MOSFET полумостовые модули предназначены для высокой производительности и надежности.и повторяющегося пикового тока 1000A, с рабочей температурой соединения до +175°C.

FF4000UXTR33T2M1: модули обеспечивают низкие потери переключения и высокую плотность тока, благодаря низкой индуктивной конструкции.модули обеспечивают высокую плотность мощности в пакете с сравнительным индексом отслеживания (CTI) более 600Основная пластина AlSiC повышает возможности теплового цикла, что делает эти модули идеальными для требовательных приложений.

СпецификацияFF4000UXTR33T2M1

ОсобенностиFF4000UXTR33T2M1
• Электрические характеристики
- VDSS = 3300 В
- IDN = 500 А / IDRM = 1000 А
- Tvj,op = 175°C
- Низкие потери при переключении
- Высокая плотность тока
- Низкий индуктивный дизайн
• Механические характеристики
- Высокая плотность мощности
- Пакет с CTI > 600
- Высокие расстояния ползания и пропускания
- AlSiC основной пластинки для повышения способности теплового цикла
- AlN-субстрат с низкой теплостойкостью

Потенциальное применениеFF4000UXTR33T2M1
• Двигатели тяги
• Мощные преобразователи
• Использование высокочастотного переключения

ДиаграммыFF4000UXTR33T2M1

FF4000UXTR33T2M1: XHPTM 2 CoolSiCTM MOSFET halfbridge module 3.3kV, 4.0mΩ с технологией взаимосвязи.XT для декарбонизации транспорта.

Атрибуты продуктаFF4000UXTR33T2M1

Серия: XHPTM2
Технология: Карбид кремния (SiC)
Конфигурация: 2 N-канала (половина моста)
Напряжение отхода к источнику (Vdss): 3300V (3,3kV)
Ток - непрерывный отток (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4,8mOhm @ 500A, 15В
Vgs ((th) (Max) @ Id: 5,55V @ 450mA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs: 2500nC @ 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: 101000pF @ 1800V
Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки: установка на шасси
Пакет / корпус: модуль

FF4000UXTR33T2M1- Резюме характеристик

CoolSiCTM MOSFET 3,3 кВ
Интегрированный диод корпуса
корпус XHPTM 2
Технология взаимосвязи.XT

ПреимуществаFF4000UXTR33T2M1

Энергоэффективность
Высокая плотность мощности
Улучшенный срок службы

ПрименениеFF4000UXTR33T2M1
Системы хранения энергии
Водородный электролиз
Фотоэлектрическая
Сцепление

URL компании: https://www.integrated-ic.com/

Частые вопросы
Вопрос: Ваши изделия оригинальные?
О: Да, все продукты оригинальные, новый оригинальный импорт - наша цель.
Вопрос: Какие у вас сертификаты?
О: Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и являемся членом ERAI.
Q:Вы можете поддерживать небольшое количество заказа или образцы?
A: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.
Вопрос: Как отправить мой заказ?
A: Мы используем экспресс для отправки, например, DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор.Продукция будет в хорошей упаковке и обеспечить безопасность и мы несем ответственность за повреждение продукта на ваш заказ.
Вопрос: Как насчет сроков?
A: Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если нет запаса, мы подтвердим время доставки для вас на основе количества вашего заказа.