Оставьте сообщение
Мы скоро тебе перезвоним!
Ваше сообщение должно содержать от 20 до 3000 символов!
Пожалуйста, проверьте свою электронную почту!
Больше информации способствует лучшему общению.
Отправлено успешно!
Мы скоро тебе перезвоним!
Оставьте сообщение
Мы скоро тебе перезвоним!
Ваше сообщение должно содержать от 20 до 3000 символов!
Пожалуйста, проверьте свою электронную почту!
—— Нишикава из Японии
—— Луис из Соединенных Штатов
—— Ричард из Германии
—— Тим из Малайзии
—— Винсент из России
—— Нишикава из Японии
—— Сэм из Соединенных Штатов
—— Лина из Германии
Поставка Infineon AIKBE50N65RF5 Автомобильный гибридный дискретный IGBT транзистор
Описание
AIKBE50N65RF5 has developed a hybrid of 650V TRENCHSTOP™ 5 AUTO fast-switching IGBT and CoolSiC™ Schottky Diode to enable a cost-efficient performance boost for fast switching automotive applications such as On-Board Charger, PFC, DC-DC.
Особенности
650 В разрывное напряжение
IC = 50 A
Лучшая в своем классе эффективность
TrenchstopTM 5 с быстрым переключением IGBT
Диод CoolSiCTM Schottky G5
Низкая нагрузка QG
Максимальная температура соединения Tvjmax = 175°C
Соединение излучателя Кельвина
Преимущества
Наибольшая надежность в условиях окружающей среды
Повышение эффективности системы
Наилучшее соотношение производительности и затрат для топологий жесткого переключения
Поддержка двухнаправленных конструкций бортовых зарядных устройств
Заявления
Встроенное зарядное устройство
Конвертер постоянного тока/ постоянного тока

