Блог компании Поставка продукции Infineon GaN: Двунаправленный GaN-переключатель, GaN-контроллер, GaN Smart, GaN-транзистор

Поставка продукции Infineon GaN: двунаправленный GaN-переключатель, GaN-контроллер, GaN Smart, GaN-транзистор

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., как ведущий поставщик электронных компонентов в Китае, использует свою надежную сеть поставок и профессиональные отраслевые сервисные возможности, чтобы предоставлять клиентам стабильную и надежную оригинальную продукцию.

Основные продукты включают: 5G чипы, микросхемы для новой энергетики, микросхемы IoT, микросхемы Bluetooth, микросхемы для автомобильных сетей, микросхемы автомобильного класса, микросхемы связи, микросхемы искусственного интеллекта, микросхемы памяти, микросхемы датчиков, микроконтроллеры, микросхемы приемопередатчиков, микросхемы Ethernet, чипы WiFi, модули беспроводной связи, разъемы и другие электронные компоненты.

Компания имеет следующие основные преимущества в поставках:

Прямые поставки от оригинальных производителей и гарантия качества: вся продукция закупается через авторизованные каналы для обеспечения 100% подлинности оригинальной продукции с предоставлением полных номеров партий от оригинального производителя.

Масштабируемые закупки и оптимизация затрат: благодаря глубокому сотрудничеству с несколькими известными брендами и преимуществу крупномасштабных закупок, компания может значительно снизить общую стоимость электронных компонентов, предлагая клиентам конкурентоспособные цены.

Гибкие и быстрые возможности доставки: центральный склад в Шэньчжэне и склад в Гонконге работают в тандеме, поддерживая экспресс-доставку в течение 48 часов, а срочные заказы могут быть отправлены по стране в течение 24 часов.

Нитрид галлия (GaN)

CoolGaN™ – дискретные устройства и интегрированные решения, обеспечивающие высочайшую эффективность и плотность мощности для потребительской электроники, промышленности и автомобилестроения.

Двунаправленные переключатели Infineon GaN: продукты и применение

Двунаправленные переключатели (BDS) в серии CoolGaN™ от Infineon представляют собой значительное направление инноваций для технологии GaN в приложениях преобразования энергии. Двунаправленные переключатели Infineon на 40 В производятся с использованием передовой технологии GaN-on-Si, интегрируя два высокопроизводительных GaN HEMT (транзисторы с высокой подвижностью электронов) для обеспечения двунаправленного управления током в одном корпусе, что значительно упрощает конструкцию схемы и повышает надежность системы. Эти устройства отличаются чрезвычайно низким сопротивлением включения (типичные значения от 1,1 мОм до 2,3 мОм) и сверхвысокой скоростью переключения, поддерживая рабочие частоты до 2 МГц — в 5–10 раз превышающие производительность традиционных кремниевых MOSFET — что делает их особенно подходящими для приложений, требующих высокочастотной и высокоэффективной работы.

Основное технологическое преимущество двунаправленных переключателей GaN заключается в отсутствии характеристик обратного восстановления диода. В отличие от кремниевых устройств, устройства GaN не генерируют обратный восстановительный ток во время обратной проводимости, что принципиально устраняет потери при переключении и проблемы с электромагнитными помехами, вызванные обратным восстановлением диода в традиционных MOSFET. Двунаправленные переключатели CoolGaN™ от Infineon также используют инновационную технологию управления затвором для обеспечения стабильности и надежности устройства в условиях высокочастотного переключения, упрощая при этом конструкцию схемы управления. Эти функции позволяют двунаправленным переключателям GaN исключительно хорошо работать в приложениях, требующих двунаправленного потока энергии, таких как синхронное выпрямление, H-мосты привода двигателя и беспроводная зарядка.

Контроллеры Infineon GaN и решения для интеллектуальных устройств

Линейка контроллеров GaN от Infineon включает в себя автономные драйверы затворов и высокоинтегрированные интеллектуальные силовые модули (IPM), которые оптимизированы для уникальных характеристик силовых устройств GaN, чтобы в полной мере использовать преимущества высокочастотной и высокой эффективности технологии GaN. В частности, интеллектуальные силовые микросхемы, такие как NV6133A, которые объединяют GaN-переключатели и драйверы, используют технологию GaNSense™ для обеспечения безынерционного измерения тока и комплексных функций защиты, значительно упрощая конструкцию системы и повышая надежность.

Силовая микросхема GaNFast™ является флагманской серией в линейке контроллеров GaN от Infineon. Чип NV6133A объединяет высокопроизводительные GaN-переключатели и драйверы, поддерживает широкий диапазон VCC от 10 до 30 В, предлагает программируемый dV/dt включения и обеспечивает устойчивость к dV/dt 200 В/нс. Устройство имеет номинальное напряжение переходного процесса 800 В и номинальное непрерывное напряжение 700 В, с сопротивлением включения всего 330 мОм и поддержкой рабочих частот до 2 МГц. Его интегрированная технология GaNSense™ предоставляет интеллектуальные функции, такие как защита от короткого замыкания, защита от перегрева и автономный режим ожидания с низким током, устраняя потери мощности от резисторов выборки в традиционных конструкциях и дополнительно повышая эффективность и надежность системы.

Серия транзисторов Infineon GaN

Линейка транзисторов GaN от Infineon охватывает широкий спектр требований к применению от среднего до высокого напряжения, включая полную серию GaN-транзисторов, таких как CoolGaN™ G3 (среднее напряжение), CoolGaN™ G5 (высокое напряжение) и промышленную серию IGT. Эти устройства производятся с использованием передовых 8-дюймовых пластин, что значительно повышает плотность мощности, частоту переключения и характеристики терморегулирования, что делает их подходящими для передовых приложений от потребительской электроники до промышленных источников питания.

Серия CoolGaN™ G3 оптимизирована для приложений среднего напряжения с диапазоном напряжений от 40 В до 120 В. Она использует стандартизированные корпуса RQFN 5x6 и 3,3x3,3, которые совместимы с традиционными контактами MOSFET на основе кремния, что облегчает миграцию конструкции для клиентов. Эти устройства отличаются чрезвычайно низким сопротивлением включения (от 1,1 мОм до 2,3 мОм) и отличной стабильностью термического цикла, что делает их особенно подходящими для высокочастотных коммутационных приложений. В конструкциях быстрой зарядки USB-C транзисторы GaN серии G3 достигают эффективности более 95%, уменьшая при этом размер источника питания более чем на 50%; в приводах двигателей и телекоммуникационных источниках питания их высокочастотные характеристики помогают уменьшить размер компонентов фильтра и повысить пропускную способность управления.

Серия CoolGaN™ G5 является флагманским продуктом Infineon для высоковольтных приложений, работающих при напряжениях до 650 В. В ней используется инновационная технология GIT (Gate Injection Transistor), обеспечивающая повышение эффективности на 3–5% по сравнению с предыдущими поколениями. Транзисторы GaN серии G5 отличаются чрезвычайно низкими потерями при переключении, поддерживая рабочие частоты от сотен кГц до МГц, предлагая при этом отличную устойчивость к dv/dt и способность выдерживать короткое замыкание. В приложениях фотоэлектрических инверторов устройства G5 достигают эффективности преобразования, превышающей 99%, что значительно увеличивает выход энергии систем генерации электроэнергии. В источниках питания серверов и бортовых зарядных устройствах (OBC) для электромобилей их высокая плотность мощности позволяет создавать более компактные конструкции систем.