Блог компании Поставка MOSFET транзисторов, поставка [Infineon] IPA60R099P7 600V CoolMOSTM P7 N-Channel Power MOSFET транзисторы

Поставка MOSFET транзисторов, поставка [Infineon]IPA60R099P7Транзисторы MOSFET мощностью 600 В CoolMOSTM P7 N-Channel

[Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.]Долгосрочные поставки [Infineon]IPA60R099P7600V CoolMOSTM P7 N-Channel Power MOSFET транзисторы, Ниже приведено подробное описание транзистора IPA60R099P7:

Номер части:IPA60R099P7

Пакет: ТО-220-3

Тип: транзисторы MOSFET CoolMOSTM P7

IPA60R099P7Оптимизированные транзисторы MOSFET с суперсоединением, объединяющие высокую энергоэффективность с простотой использования.

IPA60R099P7 600V CoolMOSTM P7 суперсоединение MOSFET транзистор является преемником 600V CoolMOSTM P6 серии.IPA60R099P7 продолжает балансировать потребность в высокой эффективности с простотой использования в процессе проектированияЛучший в своем классе RonxA и изначально низкая зарядка в шлюзе (QG) платформы 7-го поколения CoolMOSTM обеспечивают ее высокую эффективность.

IPA60R099P7Атрибуты продукта

Номер части: IPA60R099P7

Серия: CoolMOSTM P7
Тип FET: N-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (Vdss): 600 В
Ток - непрерывный отток (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Напряжение привода (максимальное включение, минимальное включение): 10 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs ((th) (Max) @ Id: 4V @ 530μA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Vgs (макс.): ±20В
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
Рассеивание мощности (макс.): 29 Вт (Тц)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки: через отверстие
Пакет устройств поставщика: PG-TO220-FP
Пакет / чехол: TO-220-3 Полная упаковка

IPA60R099P7Свод характеристик
Эффективность
- 600В P7 позволяет отличное FOM RDS ((on) xEoss и RDS ((on) xQG
Легкость использования
- прочность ESD ≥ 2 кВ (класс HBM 2)
- Интегрированный резистор RG
- Прочный диод корпуса
- Широкий портфель через отверстия и на поверхности
- Доступны как стандартные, так и промышленные детали

Преимущества IPA60R099P7
Эффективность
- Отличные FOMs RDS ((on) xQG / RDS ((on) xEoss позволяют повысить эффективность
Легкость использования
- удобство использования в производственной среде путем предотвращения сбоев ESD
- Интегрированный РГ уменьшает чувствительность колебаний MOSFET
- MOSFET подходит как для твердых, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC
- Отличная прочность при жесткой коммутации корпуса диода, наблюдаемая в LLC топологии
- Подходит для широкого спектра конечных приложений и мощностей выхода
- Доступные детали, подходящие для потребительских и промышленных применений

Потенциальные применения IPA60R099P7
Электрическое питание для телевизоров
Промышленные SMPS
Сервер
Телекоммуникации
Освещение

Применение IPA60R099P7
Коммерческая HVAC
Решения для краевых серверов
Полупроводниковые решения для домашних развлекательных приложений

Минцзяда ЭлектроникаПоставка [Infineon]IPA60R099P7Транзисторы 600В CoolMOSTM P7 N-Channel Power MOSFET.

IPA60R099P7 - это 600-вольтный N-канальный MOSFET с технологией CoolMOSTM P7 от Infineon.Эта технология оптимизирует производительность переключения и сопротивление включения для высокоэффективных приложений преобразования мощности.

Основные характеристики IPA60R099P7
Номинальное напряжение: 600 В
Сопротивление включения (RDS ((on)): 0,099Ω
Назначенный ток: 11A (непрерывный), 44A (импульсный)
Низкий заряд шлюза (Qg): 28nC
Быстрая скорость переключения: снижение потерь переключения
Низкая потеря проводимости: повышение эффективности
Пакет TO-220: легкая установка и рассеивание тепла

Электрические характеристики IPA60R099P7
Напряжение источника отвода (VDS): 600V
Напряжение источника шлюза (VGS): ±20V
Пороговое напряжение (VGS ((th)): от 3 до 5 В
Общая зарядка шлюза (Qg): 28nC
Входящая емкость (Ciss): 1300 pF
Выходная емкость (Coss): 110pF
Возвратная емкость передачи (Crss): 15pF

IPA60R099P7Преимущества
Высокая эффективность: низкие потери проводимости и переключения
Отличная тепловая производительность: эффективное рассеивание тепла
Высокая надежность: подходит для суровых условий

Пакетная фотография IPA60R099P7

IPA60R099P7 широко используется в высокоэффективных приложениях преобразования мощности для конструкций с высокой плотностью мощности из-за его низкого сопротивления, быстрого переключения и отличной тепловой производительности.

Дополнительная информацияIPA60R099P7, пожалуйста, посетите сайт Mingarda Electronics (https://www.integrated-ic.com/)).