Блог компании Поставка памяти: Флэш-память, SRAM-память, EEPROM-память

Память ON: Flash Memory, SRAM Memory, EEPROM Memory

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,известный дистрибьютор электронных компонентов, неизменно посвящает себя поставкам оригинальных заводских электронных компонентов с заводской упаковкой для мировых производителей электроники.

Компания поддерживает тесные партнерские отношения с всемирно известными производителями электронных компонентов, гарантируя, что все поставляемые компоненты поступают из законных каналов и имеют надежное качество. Продукция включает в себя чипы 5G, микросхемы для новой энергетики, микросхемы IoT, микросхемы Bluetooth, телематические микросхемы, микросхемы автомобильного класса, микросхемы связи и микросхемы AI. Кроме того, мы поставляем микросхемы памяти, микросхемы датчиков, микроконтроллерные микросхемы, приемопередающие микросхемы, Ethernet-микросхемы, WiFi-чипы, модули беспроводной связи, разъемы и другие электронные компоненты.

【ON Flash Memory: Удовлетворение различных требований к хранению данных】

Линейка флэш-памяти ON известна своей высокой надежностью, высокой скоростью чтения и широким диапазоном рабочих напряжений, что делает ее подходящей для различных приложений, требующих хранения кода, регистрации данных и обновления прошивки.

Серия последовательной NOR Flash идеально подходит для хранения кода небольшого объема и приложений загрузки. CAT25M01 предлагает емкость 1 Мбит (128K x 8) и поддерживает высокоскоростные тактовые частоты до 85 МГц.

Серия N25QxxxA (например, N25Q032A, N25Q064A, N25Q128A) предлагает емкость от 32 Мбит до 128 Мбит, оснащена высокопроизводительным интерфейсом SPI, поддерживающим частоты до 108 МГц и обеспечивающим Quad I/O.

Parallel NOR Flash предназначен для высокопроизводительного выполнения кода (XIP). Серия JS28Fxxx, такая как JS28F128P33BF70A (128 Мбит), использует параллельный интерфейс, поддерживающий асинхронные/синхронные режимы чтения в диапазоне напряжений 2,7 В-3,6 В.

Для требований к хранению данных большого объема серия NAND Flash — такая как MT29F4G08ABADAWP (4 Гбит SLC NAND) и MT29F8G08ABACAWP (8 Гбит SLC NAND) — использует технологию SLC для обеспечения исключительной долговечности и надежности, поддерживая асинхронные/ONFI интерфейсы.

【ON SRAM Memory: Идеальный выбор для высокоскоростной обработки данных】

Память ON SRAM, обладающая сверхвысокой скоростью, низким энергопотреблением и не требующая обновления, является идеальным выбором для кэширования, высокоскоростной буферизации данных и критически важных данных с резервным питанием.

Линейка SRAM включает в себя несколько моделей, в том числе N01S830 (1 Мбит последовательной SRAM, рабочее напряжение от 2,5 до 5,5 В), N25S818HA (256-кбит последовательной SRAM, рабочее напряжение 1,8 В) и N25S830HA (256-кбит последовательной SRAM, рабочее напряжение 3,0 В).

Эти устройства SRAM разработаны для сценариев высокоскоростной обработки данных, удовлетворяя растущие потребности в скорости памяти современных электронных систем.

【ON EEPROM Memory: Эталон для безопасного хранения данных】

Известная исключительным сохранением данных, высокой выносливостью, компактной упаковкой и низким энергопотреблением, память ON EEPROM устанавливает стандарт для хранения параметров конфигурации, данных калибровки и небольших объемов пользовательских настроек.

Серия последовательной EEPROM предлагает несколько вариантов интерфейса. Серия CAT24Cxxx на основе I²C варьируется от CAT24C02 (2 Кбит) до CAT24C256 (256 Кбит), в то время как CAT24M01 обеспечивает большую емкость 1 Мбит для приложений, требующих большего последовательного пространства для хранения.

Серия CAT25xxx с интерфейсом SPI (например, CAT25040, CAT25128, CAT25256) обеспечивает высокоскоростные интерфейсы SPI до 20 МГц, поддерживая стандартные, Dual и Quad SPI режимы с производительностью, превосходящей I²C.

Для требовательных сред, таких как автомобильная электроника, ON также предоставляет автомобильные EEPROM класса AEC-Q100, включая такие модели, как NCV24C16 (16 Кбит), NCV24C32 (32 Кбит) и NCV24C64 (64 Кбит), отвечающие строгим требованиям автомобильной промышленности к надежности.

【Сценарии применения и решения】

Линейка памяти ON охватывает обширные области применения. В автомобильной электронике высоконадежная память необходима для таких компонентов, как ЭБУ (блоки управления двигателем), T-BOX (телематические модули) и BMS (системы управления батареями).

Приложения промышленного управления, такие как ПЛК (программируемые логические контроллеры), HMI (интерфейсы человек-машина) и хранение данных датчиков, также полагаются на стабильную работу этих продуктов памяти.

В потребительской электронике память ON Semiconductor находит свое место в умных домашних приборах, носимых устройствах и хранении конфигурации терминалов IoT.