Блог компании Поставка КАРБИДОВОГО КРИСЛИОНОВОГО модуля, ИГБТ-модуля, МОСФЕТ-модуля, интеллектуального силового модуля, гибридного модуля Si SiC

Поставка КАРБИДОВОГО КРИСЛИОНОВОГО модуля, ИГБТ-модуля, МОСФЕТ-модуля, интеллектуального силового модуля, гибридного модуля Si SiC

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.¢Долгосрочное поставление энергомодулей [Onsemi], включая модули карбида кремния (SiC), модули IGBT, модули MOSFET, интеллектуальные энергомодули (IPM), гибридные модули Si/SiC и другие продукты,для обеспечения высокоэффективных электронных систем питания.

Минцзяда Электроникапоставляет энергомодули [ON] в течение длительного времени, а подробная информация о продукте приведена ниже:
I. Модули из карбида кремния (SiC)
Серия M1 (например, M1S1200XM12E): 1200V/200A полностью SiC модули для бортовых зарядных устройств (OBC) и сверхбыстрых зарядных колод.
NVHL020N120SC1: 1200V/20A SiC MOSFET модуль для солнечных инверторов и высококачественных источников питания.

II. Модули IGBT
FGD3040G2_F085: 600V/30A, компактный пакет для бытовой техники и легкой промышленности.
NVG75A120L3: 1200V/75A, конструкция с низкой потерей проводимости, подходящая для электропривода новых энергетических транспортных средств.
NXH100T120L3Q2: 1200V/100A, с технологией Trench Field Stop, подходящей для промышленных частотных преобразователей и фотоэлектрических инверторов.

III. Модули MOSFET
NVMFS5C670NL: 60V/170A, сверхнизкий Rds ((on), для серверных источников питания и преобразователей постоянного тока.
NTBG040N090SC1: Модуль 900V/40A SiC MOSFET для энергоэффективных зарядных батарей и систем хранения энергии.

IV. Интеллектуальный энергомодуль (IPM)
Все полуIPM интегрируют схемы привода и защитные функции для упрощения конструкции и повышения стабильности системы.
Репрезентативные модели:
Серия STK551U: 600V/10A, встроенная защита от перенапряжения/перегрева, подходящая для привода компрессора кондиционера.
NFAL5065L3B: 500V/65A, оптимизированный для электромагнитной совместимости (ЭМК), для управления промышленным сервомотором.

V. Гибридные модули Si/SiC
NXH40T120L3Q2SG: 1200V/40A, интегрированный Si IGBT и SiC диод, подходящий для преобразователя ветровой энергии.
NXH80S120L3Q2: 1200V/80A, гибридная топология для системы тяги железнодорожного транспорта.

Для получения более подробных характеристик продукции или запросов по ценам, пожалуйста, посетите официальный сайт Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/)).