Блог компании Поставка Renesas AT45DB081E-SHN-T DataFlash 8Mbit SPI Serial NOR Flash Memory IC

Поставка РенесаAT45DB081E-SHN-TDataFlash 8Mbit SPI серийный или флэш-память IC

[Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.]Долгосрочные поставки (Renesas)AT45DB081E-SHN-T8Mbit DataFlash ¥1.7V до 3.6V диапазон, SPI Serial NOR Flash Memory IC. Ниже приведена информация о продукте для AT45DB081E-SHN-T DataFlash:

Номер части:AT45DB081E-SHN-T

Пакет: SOIC-8

Тип: DataFlash SPI Serial или IC для флэш-памяти

AT45DB081E-SHN-T DataFlash is a member of our System Enhancing class of code and data storage solutions designed with an advanced dual SRAM buffer architecture that makes it the most efficient memory for data logging.

AT45DB081E-SHN-T также включает в себя набор передовых функций, которые экономят энергию системы, уменьшают расходы на процессор, упрощают разработку программного обеспечения,и предоставлять всеобъемлющие варианты безопасности и целостности данных.

Атрибуты продуктаAT45DB081E-SHN-T

Тип памяти: нелетающий
Формат памяти: FLASH
Технология: ФЛАСШ
Размер памяти: 8 Мбит
Организация памяти: 264 байта х 4096 страниц
Интерфейс памяти: SPI
Частота часов: 85 МГц
Время цикла записи - слово, страница: 8μs, 4ms
Напряжение - питание: 1,7V ~ 3,6V
Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
Тип установки: поверхностная установка
Пакет / корпус: 8-SOIC (0,209", 5,30 мм ширины)
Пакет устройств поставщика: 8-SOIC

Особенности AT45DB081E-SHN-T

● Однонаправленное питание 1,7 В - 3,6 В
● совместимый с серийным интерфейсом периферийных устройств (SPI)
- Поддерживает SPI режимы 0 и 3
- Поддерживает операцию RapidS"M
● Возможность непрерывного чтения по всему массиву
- До 85 МГц.
- опция чтения с низкой мощностью до 15 МГц
- Время отсчета до выхода (tv) не более 6 нс
●Устройство размера страницы пользователем
- 256 байтов на страницу
- 264 байта на страницу (по умолчанию)
- Размер страницы может быть предварительно настроен на 256 байтов
●Два полностью независимых буфера данных SRAM (256/264 байта)
- Позволяет принимать данные при перепрограммировании основного массива памяти
● Гибкие варианты программирования
- Байт/страница Программа (1-256 / 264 байт) непосредственно в основную память
- Буферное письмо
- Буфер к программе главной памяти
● Гибкие варианты стирания
- Удаление страницы (256/264 байта)
- Удаление блоков (2 кБ)
- Удаление секторов (64 кБ)
- Удаление чипа (8 Мбит)
●Программа и удаление Приостановить/возобновить
●Усовершенствованные аппаратные и программные средства защиты данных
- Защита отдельного сектора
- Отдельное блокирование секторов, чтобы сделать любой сектор постоянно читаемым.
●128-байтовый, одноразовый программируемый (OTP) регистр безопасности
- 64 байта заводской программы с уникальным идентификатором
- 64 байта программируемые пользователем
●Устройства и программное обеспечение
●Учет идентификатора производителя и устройства по стандарту JEDEC
●Низкое расхождение энергии
- 400 нА Ультра-глубокий ток (типичный)
- 4,5 мкА глубокий подающий ток (типичный)
- 25 мкА напряжения в режиме ожидания (типичный)
- 11 мА активного тока чтения (типично при 20 МГц)
●Продолжительность: минимум 100 000 циклов программы/удаления на странице
●Сохранение данных: 20 лет
● Соответствует всему диапазону промышленных температур

AT45DB081E-SHN-T представляет собой флеш-память с последовательным доступом к серийному интерфейсу на 1,7 В, идеально подходящая для широкого спектра цифровых голосовых, изобразительных, программных кодов и приложений для хранения данных.

AT45DB081E-SHN-T также поддерживает серийный интерфейс RapidS для приложений, требующих очень высокой скорости работы.650,752 бита памяти организованы как 4096 страниц по 256 байтов или 264 байта каждая.

В дополнение к основной памяти, AT45DB081E-SHN-T также содержит два буфера SRAM по 256/264 байта каждый.Переплетение между обоими буферами может значительно увеличить способность системы записывать непрерывный поток данныхКроме того, SRAM буферы могут использоваться в качестве дополнительной системы скретч-пады памяти,и эмуляции E2PROM (бит или байт изменяемость) может быть легко обработана с самостоятельной трех шагов чтения-изменения-записи операции.

AT45DB081E-SHN-T?? В отличие от обычных флэш-памятей, к которым можно получить случайный доступ с помощью нескольких адресных строк и параллельного интерфейса,DataFlash@ использует серийный интерфейс для последовательного доступа к своим даннымПростой последовательный доступ резко уменьшает количество активных пин, облегчает упрощенное устройство оборудования, повышает надежность системы, минимизирует шум переключения и уменьшает размер пакета.AT45DB081E-SHN-T оптимизирован для использования во многих коммерческих и промышленных приложениях, где высокая плотность, низкое количество штифтов, низкое напряжение и низкая мощность необходимы.

Основные характеристики AT45DB081E-SHN-T

Включает управляемый буфер SRAM R/W для максимальной гибкости
Стандартная архитектура блоков с добавленным 256-байтовым стиранием страниц для энергоэффективного регистрации данных
Byte-write обеспечивает Serial EEPROM функциональность в Serial NOR Flash устройство
Ультраглубокая отключенная мощность работает при > 400nA
Расширенная работа Vcc позволяет системной памяти работать на всем диапазоне напряжения
Всеобъемлющая защита и уникальные функции идентификации защищают устройство от внешнего вмешательства

Диаграмма блока AT45DB081E-SHN-T

Минцзяда Электроникапоставлял Flash данныхAT45DB081E-SHN-TДля получения дополнительной информации о памяти AT45DB081E-SHN-T посетите официальный сайт Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/)).