Блог компании Поставка электрических узлов ST GaN:интегрированные умные GaN, драйверы STDRIVE GaN, высоковольтные преобразователи GaN

Поставка электрических узлов ST GaN:интегрированные умные GaN, драйверы STDRIVE GaN, высоковольтные преобразователи GaN

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.является известным дистрибьютором электронных компонентов, предлагая множество видов электронных продуктов.

Преимущества поставки:
1.Богатой ассортимент продукции: микросхемы, датчики, Ethernet, модули IGBT, искусственный интеллект ИИ, микроконтроллеры, Интернет вещей и т. д., с широким ассортиментом поставок для удовлетворения разнообразных потребностей клиентов.
2.Стабильные каналы поставок: Компания имеет стабильный и надежный канал поставок для обеспечения стабильности и надежности поставок продукции.
3Обеспечение качества: We have established close cooperative relationships with globally renowned electronic component manufacturers to ensure that the supplied components come from legitimate channels and have reliable quality.
4Большое преимущество запасов: имеет до 1 миллиона моделей преимуществ запасов, которые могут быстро реагировать на потребности клиентов и сокращать время ожидания.
5Разумная цена: благодаря тесному сотрудничеству с поставщиками и эффективному управлению цепочкой поставок мы можем предоставить вам конкурентоспособные цены.

Интегрированные умные GaN
Галлиевый нитрид (GaN) революционизирует мир энергетики, обеспечивая высокую скорость, повышение эффективности и более высокую плотность мощности, никогда ранее невозможную с кремниевыми MOSFET.Интеграция транзисторов GaN и драйверов ворот, наши передовые системы MasterGaN предлагают высокую эффективность из-за оптимизированного расположения привода ворот, высокой плотности мощности и повышенной частоты переключения из-за минимального паразитического воздействия.

Драйверы STDRIVE® GaN
Устройства драйверов GaN являются драйверами полумостовых шлюзов для усиления режима GaN FET или N-канального питания MOSFET.

Высоковольтные преобразователи GaN
Высоковольтные преобразователи мощности обогащены внедрением технологии GaN HEMT (транзистор высокой электронной мобильности).повышение эффективности, более высокая частота переключения с последующим меньшим и более легким ПКБ, упрощая конструкцию SMPS и улучшая общую производительность.